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公开(公告)号：KR1019960007642B1
公开(公告)日：1996-06-07
申请号：KR1019920022702
申请日：1992-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312
Abstract: The method makes the substrate be plane by polishing. The method comprises the steps : (a) forming the first passivation layer only on the conducting material, (b) depositing insulating layer up to the highest conducting layer, (c) polishing the insulating layer until the exposure of the highest conducting layer, (d) deposing the second insulating layer, (e) patterning the contact hole, and (f) metalization.
Abstract translation: 该方法通过抛光使基板平面。 该方法包括以下步骤：（a）仅在导电材料上形成第一钝化层，（b）将绝缘层沉积到最高导电层，（c）抛光绝缘层直到最高导电层的曝光（ d）去除第二绝缘层，（e）图案化接触孔，和（f）金属化。
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公开(公告)号：KR1019940012536A
公开(公告)日：1994-06-23
申请号：KR1019920022702
申请日：1992-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312
Abstract: 본 발명은 폴리싱 기법에 의한 막질 평탄화로 다층 배선막 구조의 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것으로, 서로 다른 높이의 패턴이 있는 하부막질상에 보호 절연층을 형성하는 단계; 상기 패턴중 가장 높은 패턴을 충분히 덮을 수 있을만한 두께의 또 다른 절연층을 형성하고 폴리싱에 의해 상기 가장 높은 패턴위의 보호 절연층이 보이도록 상기 절연층을 전면 제거하여 평탄화 시키는 단계로 이루어진다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100181959B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019910008734
申请日：1991-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 비아홀의 크기가 확대되지 않고 폴리머가 발생되지 않으면서 티타늄이 함유된 힐록 방지용 캡핑메탈을 제거할 수 있는 반도체 장치의 비아홀을 형성하기 위하여, 티타늄이 함유된 물질을 힐록 방지용 캡핑메탈(3)로 사용하는 반도체 장치의 비아홀 형성방법에 있어서, 반도체기판 위에 제1배선층(2)을 형성시키는 공정과, 상기 제1배선층에 힐록 방지용 캡핑메탈(3)을 형성시키는 공정과, 상기 제1배선층(2)과 그 위에 형성시킬 제2배선층간을 절연시키기 위해 절연막(4)을 형성시키는 공정과, 상기 절연막(4)상에 비아홀을 형성시킬 예정 부위에 포토레지스터 패턴(5)을 형성시키는 공정과, 상기 캡핑메탈층(3)이 드러나기 직전까지 상기 절연막(5)을 건식 식각하는 공정과, 고주파 건식 식각기로 플라즈마 상태에서 상기 캡핑메탈층(3)을 식각하는 공정으로 반 도체 장치의 비아홀 형성방법에 관한 것이다.
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