公开(公告)号：KR1020050113790A

公开(公告)日：2005-12-05

申请号：KR1020040038898

申请日：2004-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 설비의 도어 구동장치에 관한 것으로서, 이를 위하여 본 발명은 반응 챔버로부터 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위해 형성한 슬릿의 개폐를 위해 구비하는 반도체 제조 설비의 도어 구동장치에 있어서, 상기 슬릿을 개폐하도록 승강 가능하게 구비되는 도어 플레이트(10)의 저부에서 일체로 움직일 수 있도록 연결한 승강 블록(30)에는 병렬로 나란하게 3개 이상의 승강 구동 수단(20)이 연결되면서 상기 승강 구동 수단(20)들이 동시에 구동되면서 상기 도어 플레이트(10)가 승강되도록 하는 구성인 바 비록 승강 구동 수단(20)의 하나 또는 일부가 구동 불량 상태가 되더라도 나머지 정상적으로 구동되는 승강 구동 수단(20)들에 의해 도어 플레이트(10)를 항상 안정되게 승강시킬 수가 있게 되므로 안정된 공정 수행과 함께 작동 신뢰성 및 제품 생산성을 더욱 향상되도록 하는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050112691A

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：KR1020040037872

申请日：2004-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  F04B45/02 ,  H01L21/67005

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 벨루오즈(bellows)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조장비의 로드 락 챔버(loadlock chamber)에 있어서 격리밸브의 개폐시 틀어지지 않도록 구성된 반도체 제조장비의 벨루오즈에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 반응챔버에 일단부가 연결된 연결관, 상기 연결관의 타단부에 연결된 격리밸브 및 상기 격리밸브의 타측부에 연결된 펌핑라인(pumping line)을 포함하여 구성된 반도체 제조장비에 있어서, 상기 격리밸브가 복수의 관통지지부재가 삽입설치된 벨루오즈(bellows)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다. 결국, 본 발명은 반도체 공정 중에 최소한으로 틀어질 수 있는 반도체 제조장비의 벨루오즈를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050072165A

公开(公告)日：2005-07-11

申请号：KR1020040000063

申请日：2004-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67288 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0693 ,  H01J2237/0225

Abstract: 본 발명은 공정챔버의 내벽에 폴리머의 증착상태를 자동으로 센싱하여 오염될 시 인터록을 발생하는 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 오염상태 모니터링장치는, 공정챔버의 양측벽에 각각 대칭으로 설치되어 빛이 투과되도록 형성된 제1 및 제2 투명창과, 상기 제1 투명창에 설치되어 직진성을 갖는 빛을 발생하는 발광센서와, 상기 제2 투명창에 설치되어 상기 발광센서로부터 발생된 빛을 수광하는 수광센서와, 상기 수광센서로부터 센싱된 전압을 받아 상기 공정챔버 내부의 오염상태를 판단하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040022093A

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：KR1020020053927

申请日：2002-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A gas distribution plate capable of suppressing particles in a dry etching apparatus is provided to prevent the approach of pollutants to a wafer by forming a plurality of injection holes on an edge of the gas distribution plate. CONSTITUTION: A gas distribution plate capable of suppressing particles in a dry etching apparatus comprises a plate-shaped body and a plurality of injection holes(450). The plate-shaped body is installed on an upper side of a chamber(100) in order to provide a reaction gas on a wafer loaded into the chamber(100). The injection holes(450) are formed along an edge of the plate-shaped body in order to inject the reaction gas. The injection holes(450) are arranged along the edge of the plate-shaped body to form a shape of ring.

Abstract translation: 目的：提供一种能够抑制干蚀刻装置中的颗粒的气体分配板，以通过在气体分配板的边缘上形成多个喷射孔来防止污染物进入晶片。 构成：能够抑制干蚀刻装置中的粒子的气体分配板包括板状体和多个喷射孔（450）。 板状体安装在室（100）的上侧，以便在装载到室（100）中的晶片上提供反应气体。 喷射孔（450）沿板状体的边缘形成，以便喷射反应气体。 注射孔（450）沿着板状体的边缘布置以形成环形。

公开(公告)号：KR1020070010503A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050065146

申请日：2005-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/6831

Abstract: A plasma process apparatus is provided to uniformly process the front surface of a wafer by plasma generated by an RF power by simultaneously supplying process gas from the upper and the lower portions of a reaction chamber so that process gas can be uniformly distributed to the front surface of the wafer from the center to the edge of the wafer. An upper gas injecting unit injects process gas from the center part of the upper surface of a wafer(W) to the outer circumferential part of the wafer, installed in a reaction chamber. A lower gas injecting unit injects process gas upward from the outside of an electrostatic chuck so that the process gas is injected from the outside of the wafer to the inside of the wafer through an edge part of the wafer, installed in the reaction chamber. Process gas is simultaneously injected from the upper gas injecting unit and the lower gas injecting unit. A plurality of through holes are formed in the surface of the upper gas injecting unit so that process gas is injected from the center of the wafer to the outer circumferential part of the wafer.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，通过同时从反应室的上部和下部提供处理气体，通过RF功率产生的等离子体均匀地处理晶片的前表面，使得处理气体可以均匀地分布到前表面 从晶片的中心到边缘。 上部气体注入单元将处理气体从晶片（W）的上表面的中心部分注入安装在反应室中的晶片的外周部分。 下部气体喷射单元从静电卡盘的外部向上注入工艺气体，使得处理气体从晶片的外部通过安装在反应室中的晶片的边缘部分注入到晶片的内部。 从上部气体喷射单元和下部气体喷射单元同时喷射工艺气体。 在上部气体喷射单元的表面中形成多个通孔，使得处理气体从晶片的中心喷射到晶片的外周部分。

公开(公告)号：KR100470998B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020064455

申请日：2002-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y10S438/908 ,  Y10T29/41

Abstract: 본 발명은 생산라인의 상압 분위기와 공정 조건인 진공압 분위기 사이의 압력 변화를 중재하는 로드락챔버에서 유체 흐름에 의한 웨이퍼의 오염 및 손상을 방지하도록 하는 반도체소자 제조용 로드락챔버의 진공/퍼지방법에 관한 것으로서, 이에 대한 특징은, 밀폐 분위기를 이루는 로드락챔버와; 상기 로드락챔버에 연결된 배출라인을 통해 인가되는 제어신호에 따라 진공압을 제공하는 진공펌프와; 상기 로드락챔버에 연결된 가스 공급라인을 통해 인가되는 제어신호에 따라 퍼지가스를 제공하는 가스공급부와; 인가되는 제어신호에 따라 상기 배출라인과 가스 공급라인을 통한 유체의 유동을 제어하는 제어밸브 및 상기 진공펌프와 가스공급부 및 제어밸브의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 로드락챔버 내부의 압력을 변화시키는 시점에서 진공압과 퍼지가스의 제공을 동시에 진행하는 단계와; 상기 진공압과 퍼지가스의 제공 중 어느 하나의 제공을 소정 시간 범위 내에 점진적으로 줄이며 차단하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이에 따르면 로드락챔버 내부의 압력 상태를 변화시키는 과정에서 진공압과 퍼지가스의 제공을 제어하여 그 유동의 흐름성이 제시됨으로써 퍼지가스를 포함한 로드락챔버 내에 잔존하는 각종 가스의 와류 현상이 방지되고, 그에 따른 파티클의 비상이나 유동에 의한 웨이퍼 및 로드락챔버 내의 오염 및 손상이 예방되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040100638A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030033056

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최웅천 ,  박봉진

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing apparatus is provided to prevent a wafer from sticking on an electrostatic chuck due to static electricity by using a connection member. CONSTITUTION: An apparatus includes a chamber, a susceptor, and a spraying part. The susceptor is installed in the chamber to load a wafer. The spraying part is used for spraying gas to the wafer of the susceptor. The susceptor includes a base(300), an electrostatic chuck, and a connection member. The electrostatic chuck(200) is installed on the base. The connection member(400) is installed between the electrostatic chuck and the base to remove micro current from the electrostatic chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造装置，用于通过使用连接部件防止晶片由于静电而粘附在静电卡盘上。 构成：装置包括腔室，基座和喷射部件。 基座安装在腔室中以加载晶片。 喷涂部分用于将气体喷射到基座的晶片上。 基座包括基座（300），静电卡盘和连接构件。 静电卡盘（200）安装在基座上。 连接构件（400）安装在静电卡盘和基座之间以从静电卡盘移除微电流。

公开(公告)号：KR1020030055660A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010085704

申请日：2001-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for preventing sticking of wafer is provided to unload safely a wafer by generating or removing automatically the electrostatic force according to the switching operation of a power supply unit for supplying the electric power to an electrostatic chuck. CONSTITUTION: An apparatus for preventing sticking of wafer includes an electrostatic chuck(10), a power supply unit(20), and a switching portion(30). The electrostatic chuck is used for chucking a wafer. The power supply unit applies the electric power to the electrostatic chuck in order to generate the electrostatic force on a surface of the electrostatic chuck. The switching portion connects the electrostatic chuck to the ground(G) in order to discharge the remaining electric charges when the power supply unit does not supply the electric power to the electrostatic chuck. A plurality of lift pins(11) are installed at the electrostatic chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止晶片粘附的装置，通过根据用于向静电卡盘供电的电源单元的切换操作自动产生或去除静电力来安全地卸载晶片。 构成：用于防止晶片粘附的装置包括静电卡盘（10），电源单元（20）和切换部分（30）。 静电卡盘用于夹紧晶片。 电源单元将电力施加到静电卡盘，以在静电卡盘的表面上产生静电力。 当电源单元不向静电卡盘供电时，切换部分将静电卡盘连接到地面（G）以排出剩余的电荷。 多个提升销（11）安装在静电卡盘上。

公开(公告)号：KR1020030009790A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020010044419

申请日：2001-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: An apparatus for preventing back stream of particles in semiconductor fabrication equipment is provided to prevent a back stream phenomenon of particles from a pump line into a chamber by intercepting a pump line before a vacuum control valve is closed. CONSTITUTION: A vacuum pump(40) is used for performing a pumping operation to form a vacuum state of a chamber(20). A vacuum control valve(22) is used for controlling a degree of vacuum of the chamber(20). A gate valve(38) is opened when the vacuum pump(40) perform the pumping operation. The first ball(26) is used for intercepting back stream of the first pump line(42). The first ball bracket(24) is formed on the first pump line(42) in order to intercept the first pump line(42). The second ball bracket(28) is formed on the first pump line(42) in order to receive the first ball(26). The second ball(32) is used for intercepting back stream of the second pump line(44). The third ball bracket(30) is formed on the second pump line(44) in order to intercept the second pump line(44). The fourth ball bracket(34) is formed on the second pump line(42) in order to receive the second ball(32).

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止半导体制造设备中的颗粒背流的装置，以在真空控制阀关闭之前通过截取泵管线来防止颗粒从泵管回流到室中的回流现象。 构成：真空泵（40）用于进行泵送操作以形成腔室（20）的真空状态。 真空控制阀（22）用于控制室（20）的真空度。 当真空泵（40）进行泵送操作时，闸阀（38）打开。 第一球（26）用于拦截第一泵管（42）的回流。 第一球托架（24）形成在第一泵管线（42）上，以便拦截第一泵管线（42）。 第二球托架（28）形成在第一泵管线（42）上以便接收第一球（26）。 第二球（32）用于拦截第二泵管（44）的回流。 为了拦截第二泵管线（44），第三球支架（30）形成在第二泵管线（44）上。 第四球托架（34）形成在第二泵管线（42）上以便接收第二球（32）。

公开(公告)号：KR1020000067246A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990014883

申请日：1999-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박봉진

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing semiconductor is provided to prevent a wafer defect caused by floating particles, by driving a second pump with a heater turned off to eliminate the floating particles in a chamber to the exterior of the chamber. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing semiconductor comprises a chamber(300), a heater(340), a bottom electrode(310), a first pump(350) and a second pump(370). The heater is mounted on an upper part of the chamber. The bottom electrode on which a wafer is placed is established inside the chamber. The first pump is composed of a turbo pump, a dry pump and a connection path for connecting the turbo pump with the dry pump, mounted on an upper part of a sidewall of the chamber. The second pump is composed of a turbo pump, a dry pump and a connection path for connecting the turbo pump with the dry pump, connected to the sidewall of the chamber through a bypass valve.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的装置，以通过驱动带有加热器的第二泵来消除由浮动颗粒引起的晶片缺陷，以将腔室中的浮动颗粒除去到室外。 构成：半导体制造装置包括室（300），加热器（340），底部电极（310），第一泵（350）和第二泵（370）。 加热器安装在腔室的上部。 在其内部建立放置晶片的底部电极。 第一泵由涡轮泵，干式泵和用于连接涡轮泵与干式泵的连接路径组成，安装在腔室的侧壁的上部。 第二泵由涡轮泵，干式泵和用于连接涡轮泵与干泵的连接路径组成，通过旁通阀连接到腔室的侧壁。