公开(公告)号：KR1020070037934A

公开(公告)日：2007-04-09

申请号：KR1020050093103

申请日：2005-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영훈 ,  송재호 ,  박원제 ,  박진형 ,  배정훈 ,  박정호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 액티브 픽셀 센서 영역이 정의된 기판, 액티브 픽셀 센서 영역 내에 형성된 다수의 제1 도전형의 포토다이오드들, 및 액티브 픽셀 센서 영역 내에 제1 도전형의 포토다이오드들을 제외한 영역에 형성되고, 양전압과 전기적으로 연결된 제1 도전형의 제1 깊은 웰을 포함한다.
이미지 센서, 깊은 웰, 드레인, 크로스토크

公开(公告)号：KR1020070007666A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050062436

申请日：2005-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영훈 ,  송재호 ,  박원제

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: An image sensor is provided to avoid a phenomenon that a dark level of a photodiode increases or prevent driving capabilities of a transfer gate electrode from being reduced by doping substantially uniform n^+ impurities into a transfer gate electrode in a pixel region and a resistance pattern in a resistor region. A pixel region(A) is formed in a semiconductor substrate(10). An active region is disposed in the semiconductor substrate in the active region. An insulated transfer gate electrode has a substantially uniform impurity doping distribution, disposed on the semiconductor substrate and crossing the active region. A photodiode is disposed in the active region at one side of the transfer gate electrode.

Abstract translation: 提供一种图像传感器，以避免光电二极管的暗电平增加或通过将基本上均匀的n + +杂质掺杂到像素区域中的传输栅电极中的传输栅电极的驱动能力而减小的现象，以及电阻图案 在电阻区域。 像素区（A）形成在半导体衬底（10）中。 有源区域设置在有源区域中的半导体衬底中。 绝缘传输栅电极具有基本均匀的杂质掺杂分布，设置在半导体衬底上并与有源区交叉。 在传输栅电极的一侧的有源区域中设置光电二极管。

公开(公告)号：KR1020060084484A

公开(公告)日：2006-07-24

申请号：KR1020050005007

申请日：2005-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영훈 ,  박원제 ,  오태석 ,  송재호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14687 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/3745

Abstract: 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 전송 트랜지스터 및 구동 트랜지스터 중 적어도 하나는 그 게이트 상부에 절연막을 개재하여 도전막 패턴을 구비한다. 따라서, 상기 도전막 패턴에 인가된 전압이 상기 전송 트랜지스터의 전송 게이트 및 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트에 커플링된다. 따라서 상기 전송 게이트에는 상기 전송 게이트에 인가되는 전압 뿐만아니라 상기 도전막 패턴에 의한 커플링 전압이 추가적으로 인가되기 때문에 별도의 고전압 발생회로가 필요 없으며, 또한 상기 구동 게이트에 상기 도전막 패턴에 의한 커플링 전압이 인가되기 때문에 이미지 센서의 동적 범위를 향상시킬 수 있다.
이미지 센서, CMOS, CCD, 전송 게이트, 플로팅 확산 영역