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公开(公告)号：KR100518796B1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：KR1020030034191
申请日：2003-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/01
Abstract: 코일이 형성된 반도체 기판의 평탄화가 용이하며, 또한 평탄화 물질의 두께가 얇아 제조 공정이 간소화될 뿐만 아니라 박형으로 구성할 수 있는 자계검출소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 의한 자계검출소자는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 연자성코어; 상기 연자성코어의 상하부측에 위치하도록 형성된 절연막; 및 상기 연자성코어와 상기 절연막을 사이에 두고 연자성코어를 에워 싸는 형태로 형성되며, 각각 다수의 코일선을 구비하는 제 1 및 제 2 코일;을 포함하며, 상기 반도체 기판에는 소정깊이의 웰이 형성되고, 상기 웰 내에 상기 제 1 코일을 이루는 코일선들이 배치된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 제 1 코일이 반도체 기판의 상부로 돌출되지 않고 웰 내에 위치되기 때문에, 반도체 기판의 평탄화가 용이할 뿐만 아니라 평탄화 물질의 두께를 얇게 할 수 있다. 따라서, 평탄도 향상으로 인한 연자성코어의 성능 향상을 꾀할 수 있고, 얇은 절연막의 구현으로 인한 관통홀 형성을 위한 에칭공정의 간소화를 도모할 수 있으며, 또한, 상기 에칭공정의 간소화로 코일간의 피치를 줄일 수 있어 센서의 감도를 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100503455B1
公开(公告)日：2005-07-25
申请号：KR1020030036130
申请日：2003-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G01R33/05
Abstract: 본 발명은 아몰퍼스 자성체를 코어로 하여 제조된 마이크로 플럭스게이트 센서 및 상기 센서를 마이크로 머시닝 기술을 이용하여 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 플럭스게이트 센서는 두개의 바형태 또는 사각 링형태로 제조된 아몰퍼스 자성코어, 상기 아몰퍼스 자기코어를 권선한 형태의 여자코일 및 자계검출용 코일, 상기 코일상에 증착되어 보호막을 형성하는 절연층 및 상기 절연층을 패터닝하여 상기 코일을 외부로 노출시키는 패드를 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 방법은, 웨이퍼상에 여자코일 및 자계검출용 코일의 하부코일을 제작하는 단계, 상기 하부코일 상에 제1절연층을 증착한후, 두개의 바형태의 아몰퍼스 자성코어를 제작하는 단계, 상기 아몰퍼스 자성코어상에 제2절연층을 증착한후, 상기 하부코일과 연결된 상부코일을 제작하여 여자 코일 및 자계검출용 코일을 제작하는 단계 및 상기 코일의 상부부분상에 보호막을 씌우고 패드를 노출시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따라 제조된 마이크로 플럭스게이트 센서는 아몰퍼스 자성코어를 이용함으로써 자계 검출 감도가 훨씬 더 개선되며, 기존의 제조 방법에 따라 제조하는 경우보다 소형화, 경량화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100449026B1
公开(公告)日：2004-09-18
申请号：KR1020020081580
申请日：2002-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76879
Abstract: A method for manufacturing a metal structure using a trench includes etching a semiconductor substrate to form a trench (105), depositing a seed layer (102) over the semiconductor substrate including in the trench, stacking an insulating layer (103) over the seed layer, removing a portion of the insulating layer to expose a portion of the seed layer at a bottom of the trench, filling the trench with a metal material (104), and removing the seed layer and the insulating layer on the semiconductor substrate. As a result, a subsequent process in forming a multi-layered structure may be easily carried out, thereby simplifying a manufacturing process.
Abstract translation: 一种使用沟槽来制造金属结构的方法包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽（105）;在包括沟槽的半导体衬底上沉积晶种层（102）;在晶种层上方堆叠绝缘层（103） 去除绝缘层的一部分以暴露沟槽底部处的籽晶层的一部分，用金属材料（104）填充沟槽，以及去除半导体衬底上的籽晶层和绝缘层。 结果，可以容易地执行后续的形成多层结构的过程，由此简化制造过程。 ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020040076460A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：KR1020030011807
申请日：2003-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L43/02
Abstract: PURPOSE: A method for detecting a fine magnetic detection device is provided to simplify a fabrication process by omitting a plating frame removal process for removing a seed layer. CONSTITUTION: A seed layer(102) is formed on a semiconductor substrate(100). The seed layer is partially removed to insulate plural coils for forming lower coils and connect the coils to outer circumferences of the lower coils. A photoresist is coated on the semiconductor substrate. A predetermined pattern corresponding to the lower coils is formed on an upper surface of the semiconductor by performing an exposure process and a development process. A metal layer is formed on the semiconductor substrate in order to fill up a depressed part of the predetermined pattern. A soft magnetic core(122) and an upper coil(136) are formed on the semiconductor substrate. A cutting process is performed to separate a part of the semiconductor substrate corresponding to the outer circumferences of the lower coil.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检测精细磁检测装置的方法，以通过省略用于去除种子层的电镀框架去除工艺来简化制造工艺。 构成：种子层（102）形成在半导体衬底（100）上。 种子层被部分去除以绝缘多个线圈以形成下部线圈并将线圈连接到下部线圈的外周。 在半导体衬底上涂覆有光致抗蚀剂。 通过进行曝光处理和显影处理，在半导体的上表面上形成与下部线圈对应的规定图案。 在半导体衬底上形成金属层以填充预定图案的凹陷部分。 在半导体衬底上形成软磁芯（122）和上部线圈（136）。 执行切割处理以分离对应于下线圈的外周的半导体基板的一部分。
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公开(公告)号：KR1020040068440A
公开(公告)日：2004-07-31
申请号：KR1020030005078
申请日：2003-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R33/04 , G01R15/185 , G01R33/05
Abstract: PURPOSE: A fluxgate sensor integrated in a semiconductor substrate is provided to remarkably reduce the size of a system by integrating a fluxgate sensor with other sensors and circuits, and to detect an organic voltage according to an outer magnetic field by differentially driving a voltage induced from each core or each side in spite of being very small. CONSTITUTION: A soft magnetic core is formed on a semiconductor substrate. An excitation coil is wound around the upper and lower layers of the soft magnetic core, insulated at the upper and lower portions of the soft magnetic core by an insulation layer. A magnetic field variation detecting coil is so formed to wind the soft magnetic field, insulated at the upper and lower portions of the excitation coil by an insulation layer.
Abstract translation: 目的：集成在半导体衬底中的磁通门传感器通过将磁通门传感器与其他传感器和电路集成在一起，显着地减小了系统的尺寸，并且通过差分驱动由外部磁场引起的电压来检测根据外部磁场的有机电压 每个核心或每一侧尽管非常小。 构成：在半导体衬底上形成软磁芯。 励磁线圈缠绕在软磁芯的上层和下层，通过绝缘层在软磁芯的上部和下部绝缘。 形成磁场变化检测线圈以缠绕通过绝缘层在励磁线圈的上部和下部绝缘的软磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100413793B1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：KR1020000073483
申请日：2000-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81B7/04
CPC classification number: G02B26/085 , B81B3/0043 , B81B3/0054 , B81B2201/042 , B81B2203/0109 , B81B2203/0154 , B81B2203/0346 , B81B2203/0384 , B81B2203/04 , B81B2203/058 , H02N1/006 , Y10S359/904
Abstract: A micromirror actuator is provided. The micromirror actuator includes a substrate, posts formed to a predetermined height on the substrate and spaced a predetermined distance apart, a torsion bar fixed to the posts, a mirror coupled to the torsion bar, and a groove including an inclined contact surface and formed in the substrate. Here, the inclined contact surface contacts the lower bottom surface of the mirror when the mirror is rotated. The micromirror actuator can be applied to a structure in which a plurality of micromirror actuators are arrayed side-by-side and is capable of precisely and stably maintaining the rotation angle of a mirror, particularly, stably maintaining the inclination angle of the mirror irrespective of an increase in the strength of a magnetic field.
Abstract translation: 提供微镜致动器。 所述微镜致动器包括衬底，在所述衬底上形成预定高度并且以预定距离分开的柱，固定到所述柱的扭杆，耦合到所述扭杆的反射镜以及包括倾斜接触表面的凹槽，所述凹槽形成在 衬底。 这里，倾斜的接触表面在镜子旋转时接触镜子的下底表面。 微镜致动器可以应用于多个微镜致动器并排排列并且能够精确并稳定地保持镜的旋转角度的结构，特别是稳定地保持镜的倾斜角度，而不管 磁场强度的增加。
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公开(公告)号：KR1020020044377A
公开(公告)日：2002-06-15
申请号：KR1020000073483
申请日：2000-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81B7/04
CPC classification number: G02B26/085 , B81B3/0043 , B81B3/0054 , B81B2201/042 , B81B2203/0109 , B81B2203/0154 , B81B2203/0346 , B81B2203/0384 , B81B2203/04 , B81B2203/058 , H02N1/006 , Y10S359/904
Abstract: PURPOSE: A micro-mirror actuator is provided to maintain rotating angle of mirror accurate and stable, while maintaining tilt angle of the mirror constant despite of the change of intensity of magnetic field. CONSTITUTION: A micro-mirror actuator comprises a substrate(10); posts(20a,20b) arranged onto the substrate, such that two posts are spaced apart from each other; a torsion bar(31) having both ends fixed to the upper end of the posts; a mirror(30) coupled to the torsion bar; and a magnet(40) arranged at the mirror. The substrate has a channel(50) that has a tilt contact surface(51) where the bottom surface of the substrate contacts when the mirror is rotated. The tilt contact surface of the channel has a clamping electrode for generating an electrostatic force with respect to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供微镜致动器以保持镜的旋转角度准确和稳定，同时保持镜的倾斜角恒定，尽管磁场强度的变化。 构成：微镜致动器包括基底（10）; 布置在基板上的柱（20a，20b），使得两个柱彼此间隔开; 扭杆（31），其两端固定在柱的上端; 耦合到所述扭杆的反射镜（30）; 以及布置在所述反射镜处的磁体（40）。 衬底具有通道（50），该通道（50）具有倾斜接触表面（51），其中当反射镜旋转时，衬底的底表面接触。 通道的倾斜接触表面具有用于相对于基板产生静电力的夹紧电极。
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公开(公告)号：KR101910575B1
公开(公告)日：2018-10-22
申请号：KR1020130003139
申请日：2013-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01J5/12
CPC classification number: H01L27/16 , G01J5/0853 , G01J5/12 , H01L35/325
Abstract: 서모파일방식의적외선검출기및 이를구비하는적외선이미지센서가개시된다. 개시된적외선검출기는, 기판상에마련되는플라즈몬공진기또는메타물질공진기를포함하는적어도하나의적외선흡수체와, 상기적어도하나의적외선흡수체에의해발생된열에너지를전달받아기전력을발생시키는복수의열전쌍을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130039654A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020120069477
申请日：2012-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01J5/20
Abstract: PURPOSE: An infrared heat detector and a manufacturing method thereof are provided to collect lights in a small area using a structure capable of generating a local surface plasmon resonance phenomenon, thereby obtaining little thermal mass and thermal conductivity under an identical incident energy amount. CONSTITUTION: An infrared heat detector(10) comprises a substrate(20), a detecting unit(30), and a thermal image leg(50). The detecting unit is spaced from the substrate, absorbs incident infrared rays through local surface plasmon resonance, and changes a resistance value according to changes in temperature caused by the absorbed infrared rays. The thermal image leg transmits signals from the detecting unit to the substrate. The detecting unit includes a metal layer(31) and a thermal conduction material layer(35).
Abstract translation: 目的：提供一种红外热量检测器及其制造方法，使用能够产生局部表面等离子体共振现象的结构在小区域收集光，从而在相同的入射能量下获得少量的热质量和热导率。 构成：红外热检测器（10）包括基板（20），检测单元（30）和热图像支腿（50）。 检测单元与基板间隔开，通过局部表面等离子体共振吸收入射的红外线，并根据吸收的红外线引起的温度变化来改变电阻值。 热图像支路将信号从检测单元传送到基板。 检测单元包括金属层（31）和导热材料层（35）。
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