Abstract:
광대역의표면플라즈몬공진기를이용하여넓은대역폭의적외선스펙트럼을검출할수 있는적외선검출기가개시된다. 개시된적외선검출기는, 서미스터부재, 및상기서미스터부재위에배치된것으로다수의공진모드에서표면플라즈몬공명을일으키도록구성된공진기를포함할수 있다. 개시된적외선검출기는하나의공진기로넓은대역의적외선파장을갖는전자기파를흡수할수 있으며, 향상된신호대 잡음비를가질수 있다.
Abstract:
An infrared detector is provided. The infrared detector comprises a substrate; a resonance unit disposed spaced apart from the substrate to generate heat by producing resonance at a plurality of wavelengths in incident infrared light; a thermistor layer supporting the resonance unit, wherein a resistance value of the thermistor is varied according to the heat generated from the resonance unit; and a connection unit electrically connecting the thermistor layer to the substrate while supporting the thermistor layer such that the thermistor is spaced apart from the substrate.
Abstract:
Disclosed is an infrared detector, capable of detecting an infrared spectrum with a broad bandwidth by using a broadband surface plasmon resonator. The disclosed infrared detector comprises: a substrate; a light absorber spaced apart from the substrate; and a pair of thermal legs supporting the light absorber to be spaced apart from the substrate, wherein the light absorber includes; a thermistor layer of which the resistance value changes according to a temperature variation; and at least two resonator layers arranged on at least one between an upper surface and a lower surface of the thermistor layer.
Abstract:
Disclosed is a wafer level vacuum sealing method using conformal deposition. The disclosed wafer level vacuum sealing method includes a step of preparing read circuit wafers on which arrays comprising detection devices are arranged; a step of preparing a capping wafer for packing the detection device array in vacuum on the read circuit wafer; a step of bonding the capping wafer on the read circuit wafer; and a step of sealing a via hole which is formed in the capping wafer with a via material by conformal deposition.
Abstract:
알에프 모듈, 멀티 알에프 모듈 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 이 개시된 알에프 모듈은 베이스 기판; 베이스 기판의 상부에 마련되며, 알에프 신호를 처리하는 제1 소자; 제1 소자의 상부에서 이격되게 배치되며, 알에프 신호를 처리하는 제2 소자; 베이스 기판과 결합되어 제1 및 제2 소자를 밀봉하며, 제1 및 제2 소자가 외부와 전기적으로 연결되도록 하는 복수개의 관통전극이 형성된 캡 기판; 베이스 기판과 상기 캡 기판을 밀봉접합하는 것으로, 제1 및 제2 소자가 관통전극과 전기적으로 연결되도록 하는 실링패드;를 포함한다. 이러한 구조에 의해, 웨이퍼 단위에서 제조가능하므로 그 생산 수율을 향상시킬 수 있으며, 칩 스케일로 패키징되어 소형화가 용이하다.
Abstract:
송수신단 필터 간의 영향을 차단하는 듀플렉서가 개시된다. 본 듀플렉서는, 기판, 기판의 일 표면 상의 소정의 제1 영역에 제작된 송신단 필터, 기판의 일 표면 상의 소정의 제2 영역에 제작된 수신단 필터 및 제1 영역과 제2 영역 사이 영역에서 기판을 식각한 형태로 제작되어, 송신단 필터 및 수신단 필터를 격리시키는 에어 캐비티를 포함한다. 이 경우, 에어 캐비티는, 기판 상에서, 송신단 필터 및 수신단 필터의 배치 방향에 수직한 형태로 제작되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 소자 간의 물리적 영향을 차단할 수 있게 된다. 듀플렉서, 에어 캐비티, 시스템 온 칩
Abstract:
모놀리식 듀플렉서가 개시된다. 본 모놀리식 듀플렉서는, 기판, 기판 상부 표면 상의 소정의 제1영역에 제작된 송신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정의 제2영역에 제작된 수신단필터, 기판 상부 표면 상의 소정 영역에 결합되어 송신단필터 및 수신단필터를 밀봉상태로 패키징 하는 패키징 기판, 및, 패키징 기판의 일표면 상에 제작되어 송신단필터 및 수신단필터와 각각 연결되며, 송신단필터 및 수신단필터 상호 간의 신호유입을 차단하는 위상천이부를 포함한다. 이에 따라, 초소형, 고성능 듀플렉서를 구현할 수 있게 된다. 듀플렉서, 필터, 위상천이부, 패키징 기판, 트리밍 인덕터