公开(公告)号：KR1020000025867A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980043129

申请日：1998-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 바ㄱ정규 ,  안재혁

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A process chamber of diffusion system is provided to prevent a heat loss in the chamber and a secondary contamination after PM(Preventive Maintenance) by using a quartz heat insulating tube. CONSTITUTION: A process chamber comprises a susceptor(12) for loading a wafer(10), a power flange(14) connected to the susceptor, an SUS chamber(18) having a quartz doom(16) surrounding to the susceptor(12), and a bell jar heater(22) for controlling the process temperature. The chamber further includes a quartz heat insulating tube(20) formed in the SUS chamber(18) and surrounding to the susceptor(12). The quartz heat insulating tube(20) comprises built-in type to the quartz doom(16).

Abstract translation: 目的：通过使用石英隔热管，提供扩散系统的处理室以防止室内的热损失和PM（预防性维护）后的二次污染。 构成：处理室包括用于装载晶片（10）的基座（12），连接到基座的电源凸缘（14），具有环绕到基座（12）的石英末端（16）的SUS室（18） ，以及用于控制处理温度的钟形加热器（22）。 所述室还包括形成在所述SUS室（18）中并围绕所述基座（12）的石英绝热管（20）。 石英绝热管（20）包括与石英灭火器（16）的内置型式。

公开(公告)号：KR100211649B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960005408

申请日：1996-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁

IPC: H01L21/205

Abstract: 가스에서 제거대상 물질을 석출시키는 능력이 우수하면서, 세정시 석출된 화합물질의 제거가 쉬운 LPCVD장비의 콜드트랩에 관한 것이다.
본 발명은 공정챔버와 진공 배기펌프 사이의 폐가스 배출 경로상에 설치되며, 가스입구와 가스출구를 가지는 일정형태의 외부 케이스 내에 냉각라인이 설치된 반도체 LPCVD장비의 콜드트랩에 있어서, 상기 외부 케이스 내에 공간이 형성되도록 내부 케이스를 일체로 구비시키고, 상기 일체로 구비된 외부 케이스와 내부 케이스 사이에 형성시킨 상기 공간에 냉각라인을 위치시키는 것을 특징으로 한다.
따라서, LPCVD장비의 공정챔버에서 배출된 폐가스에서 진공펌프로 유입되는 이물질을 능률적으로 제거하고, 세정시 용이하고 신속하게 쌓인 이물질을 제거하는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980027723A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960046574

申请日：1996-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  곽희수

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체설비 수평로의 석영관 탈착방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체설비 수평로의 석영관 탈착방법은, 발열체가 설치된 수평로 챔버의 내면에 놓이는 석영관을 챔버에서 분리시키거나 장착시킬 때, 챔버의 석영관 투입구에서 석영관의 한 끝을 잡고 챔버 내로 밀어넣거나 꺼내기 전에 챔버 내면과 석영관 사이에 얇고 매끈한 미끄럼판을 설치하고 미끄럼판면 위로 석영관이 미끄러지면서 움직이게 하는 것을 특징으로 한다
따라서, 본 발명은 수평로설비의 유지관리의 비용과 노력을 줄이고 수평로에서 이루어지는 공정의 불량 발생으로 인한 피해를 줄일 수 있다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980005392A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960023541

申请日：1996-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽희수 ,  조은환 ,  안재혁

IPC: H01L21/203

公开(公告)号：KR1019970063441A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004820

申请日：1996-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 석종규 ,  안재혁

IPC: H01L21/20

Abstract: 초기 산화막 및 질화막 형성공정에서 발생된 불량박막을 제거하여 웨이퍼를 재생하는 반도체 웨이퍼 재생방법에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 표면 위에 박막을 형성하는 공정에서 상기 박막에 불량이 발생하면 상기 박막을 제거하는 불량박막 제거공정, 웨이퍼 표면처리공정 및 웨이퍼 표면검사공정을 순차적으로 수행하여 이루어진다.
따라서, 불량박막이 형성된 웨이퍼를 재가공하여 불량을 최소화시킴으로서 수율의 극대화를 이루고, 리젝트(Reject)시키던 웨이퍼를 재생하여 다시 정상적으로 사용함으로서 제조원가의 절감을 가져오는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970030252A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950045813

申请日：1995-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  곽희수

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/68

Abstract: 설비의 진동에도 웨이퍼의 떨림이 발생하지 않는 저압 화학기상 증착장치의 석영보우트에 관한 것으로, 다수의 석영봉과 측면판으로 구성되고, 상기 다수의 석영봉 각각에 웨이퍼를 장착하기 위한 다수의 슬럿을 가지는 석영보우트에 있어서, 상기 슬럿의 곡면이 상기 슬럿에 장착되는 웨이퍼의 곡면과 일치함이 특징이고, 이러한 보우트의 제조 방법은, 상기 다수의 석영봉을 상기 측면판에 용접하는 단계, 및 상기 다수의 석영봉 각각에 상기 웨이퍼의 직경과 동일한 직경을 가지는 휠을 사용하여 상기 다수의 슬럿을 형성하는 단계로 구성된다.