公开(公告)号：KR100431657B1

公开(公告)日：2004-05-17

申请号：KR1020010059323

申请日：2001-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광명 ,  다까기 ,  안재혁 ,  채승기 ,  김재욱

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: Disclosed are a method and an apparatus for processing a wafer in manufacturing a semiconductor device and a method and an apparatus for etching a material formed on the wafer, wherein first and second cooling parts adjust an ambient temperature near a plurality of wafers to a first temperature, the wafers are processed by introducing a reaction gas at the first temperature, then, a heating part rapidly raises the temperature of the atmosphere near the wafers from the first temperature to the second temperature to partially separate by-products produced during the processing, the second temperature is maintained to separate most of the by-products from the wafers, and the processing steps are implemented in-situ within the same space. Accordingly, a native oxide layer formed on several wafers can be etched and the reaction by-products can be removed in-situ in the same chamber so productivity is improved.

Abstract translation: 公开了一种用于在制造半导体器件中处理晶片的方法和设备以及用于蚀刻形成在晶片上的材料的方法和设备，其中第一和第二冷却部件将多个晶片附近的环境温度调整到第一温度 ，通过在第一温度下引入反应气体来处理晶片，然后，加热部分将晶片附近的气氛的温度从第一温度快速升高到第二温度，以部分地分离在处理期间产生的副产物， 保持第二温度以将大部分副产物与晶片分离，并且处理步骤在相同空间内原位实施。 因此，可以蚀刻在几个晶片上形成的自然氧化层，并且可以在同一室中原位去除反应副产物，从而提高生产率。

公开(公告)号：KR1020010053701A

公开(公告)日：2001-07-02

申请号：KR1019990054172

申请日：1999-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  양창집 ,  김태철 ,  한현

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/10 ,  C23C16/46

Abstract: PURPOSE: A heating system for manufacturing a semiconductor is provided to minimize a loss of heat of a furnace by using a thermal shielding portion formed with a reflective plate at a lower side of a wafer boat. CONSTITUTION: An outer tube(21) is located inside of an insulating material(20). A lower side of the insulating material(20) is opened. An inner tube(22) is located at inside of the outer tube(21). An upper and a lower side of the inner tube(22) are opened. A gas supply tube(23) is installed at one side of the outer tube(21). An exhaust portion(24) is installed at the other side of the outer tube(21). An elevating plate(25) is formed at a lower side of the outer tube(21). A rotary shaft(26) is formed at an upper side of the elevating plate(25). A wafer boat(27) is located at an upper side of the rotary(26). A thermal shielding portion(30) is inserted between the rotary shaft(26) and the boat(27).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的加热系统，通过使用在晶片舟皿的下侧形成有反射板的热屏蔽部分来最小化炉的热损失。 构成：外管（21）位于绝缘材料（20）的内部。 打开绝缘材料（20）的下侧。 内管（22）位于外管（21）的内侧。 内管（22）的上侧和下侧开口。 气体供给管（23）安装在外管（21）的一侧。 排气部分（24）安装在外管（21）的另一侧。 在外管（21）的下侧形成有升降板（25）。 旋转轴（26）形成在升降板（25）的上侧。 晶片舟（27）位于旋转体（26）的上侧。 热屏蔽部分（30）插入在旋转轴（26）和船（27）之间。

公开(公告)号：KR1020010028029A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040066

申请日：1999-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양창집 ,  김태철 ,  안재혁

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer boat is provided to improve a deposition rate of gas and uniformity of a layer, by preventing a wafer from being separated, and by making the gas uniformly induced to the inside of a tube. CONSTITUTION: A plurality of pillars(30) are vertically installed. A supporting plate(31) is fixed in the inside of the pillar. A plurality of supporting pins(32) support a wafer(W), vertically installed on the supporting plate. A guiding pin(33) is located on an edge of the wafer, longer than the supporting pin.

Abstract translation: 目的：提供晶片舟，通过防止晶片分离，并使气体均匀地引导到管内，以提高气体的沉积速率和层的均匀性。 构成：垂直安装多个支柱（30）。 支撑板（31）固定在柱的内部。 多个支撑销（32）支撑垂直安装在支撑板上的晶片（W）。 引导销（33）位于晶片的边缘上，比支撑销长。

公开(公告)号：KR1020000020763A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980039511

申请日：1998-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  안정수 ,  권수영

IPC: H01L21/50

Abstract: PURPOSE: A vacuum device for manufacturing semiconductor device is provided to prevent the overload of a vacuum pump by identifying the jamming of a muffler through naked eyes. CONSTITUTION: A vacuum device for manufacturing semiconductor device comprises a vacuum pump(1), an inlet pipe(2) connected to the pump, an exhaust pipe(3) for exhausting air, a check valve(4) of the exhaust pipe, a muffler(5). The muffler comprises a separating wall(52) having plural vent holes, soundproof material(53) attached to the around of the separating wall, a housing(51) surrounding the soundproof material, and a transparent window(54) attached to the side wall of the housing.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的真空装置，以通过肉眼识别消声器的堵塞来防止真空泵的过载。 构成：用于制造半导体器件的真空装置包括真空泵（1），连接到泵的入口管（2），用于排出空气的排气管（3），排气管的止回阀（4）， 消声器（5）。 消音器包括具有多个通气孔的分隔壁（52），附着在分隔壁周围的隔音材料（53），围绕隔音材料的壳体（51），以及安装在侧壁 的住房。

公开(公告)号：KR100183743B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950034571

申请日：1995-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  최영묵 ,  백상천 ,  전세욱

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체 제조용 화학기상증착 장비가 개시되었다. 본 발명은 로 부, 상기 로 부와 연결된 배기관 및 상기 배기관의 소정 부위에 위치한 압력감지부를 포함하는 반도체 장치 제조용 화학기상증착 장비에 있어서, 상기 압력감지부는 상기 배기관에서 연통되어 돌출된 제1포트, 상기 제1포트의 끝부분에 설치된 제1연결수단, 상기 제1연결수단에 의해 상기 제1포트와 연결된 제2포트, 상기 제2포트의 끝부분에 설치된 제2연결수단 및 상기 제2연결수단에 의해 상기 제2포트에 부착된 압력 감지용 센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 화학기상증착 장비의 압력감지부를 제공한다. 본 발명에 의하면 화학기상증착 장비의 배기관내의 뜨거운 배기가스의 유입으로 인한 압력감지 센서의 저항요소(element)의 부식과 주위의 온도변화에 다른 압력감지 센서의 압력감지의 불량을 최소화 할 수 있어 장비의 고장과 압력감지 센서수명을 연장할 수 있게 됨은 물론 공정품질 향상에 개선을 가져올 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970063462A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960005408

申请日：1996-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁

IPC: H01L21/205

Abstract: 가스에서 제거대상 물질을 석출시키는 능력이 향상되면서 세정시 석출된 화합물질의 제거가 쉬운 반도체 LPCVD장비의 콜드트랩에 관한 것이다.
본 발명에 공정챔버와 진공 배기펌프 사이의 폐가스 배출 경로상에 설치되며, 가스입구와 가스출구를 가지는 일정형태의 케이스 내에 냉각라인이 설치된 반도체 LPCVD장비의 콜드트랩에 있어서, 상기 냉각라인이 외부 케이스와 내부 케이스 사이 공간에 위치하도록 케이스와 냉각라인이 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, LPCVD장비의 공정챔버에서 배출된 폐가스에서 진공펌프로 유입되는 이물질을 능률적으로 제거하고, 세정시 용이하고 신속하게 내부에 쌓인 이물질을 제거하는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR2019970050335U

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR2019960001200

申请日：1996-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  안기민

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체소자의제조공정후배기라인으로배출되는폐가스에포함된이물을제거하도록된 반도체소자제조장치의폐가스이물제거용미스트트랩에관한것으로, 속이빈 원통형상의하우징의유입포트및 배출포트가형성되어이루어진반도체소자제조장치의폐가스이물제거용미스트트랩에있어서, 상기유입포트로유입된폐가스에포함되어있는염화암모늄을용해시키도록하우징내부에중수(重水)롤분사하는적어도하나이상의노즐이설치되고, 하우징바닥에상기중수를배출하기위한배수포트가형성된구성이다. 따라서폐가스에포함된염화암모늄이용해되어효과적으로제거됨으로써염화암모늄의제거효율이향상되는것이고, 이로써배출포트및 배기라인이염화암모늄에의해막히는것이방지되어진공펌프의성능이유지되는것이며, 하우징의내부를자주청소해야하는관리상의번거로움이완전해소되는효과가있다.

公开(公告)号：KR1019970023676A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034571

申请日：1995-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  최영묵 ,  백상천 ,  전세욱

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체 제조용 화학기상증착 장비가 개시되었다. 본 발명은 로 부, 상기 로부와 연결된 배기관 및 상기 배기관의 소정 부위에 위치한 압력감지부를 포함하는 반도체 장치 제조용 화학기상증착 장비에 있어서, 상기 압력감지부는 상기 배기관에서 연통되어 돌출된 제1포트, 상기 제1포트의 끝부분에 설치된 제1연결수단, 상기 제1연결수단에 의해 상기 제1포트와 연결된 제2포트, 상기 제2포트의 끝부분에 설치된 제2연결수단 및 상기 제2연결수단에 의해 상기 제2포트에 부착된 압력 감지용 센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 화학기상증착 장비의 압력감지부를 제공한다. 본 발명에 의하면 화학기상증착 장비의 배기관내의 뜨거운 배기가스의 유입으로 인한 압력 감지 센서의 저항요소(element)의 부식과 주위의 온도변화에 다른 압력감지 센서의 압력감지의 불량을 최소화 할 수 있어 장비의 고장과 압력감지 센서의 수명을 연장할 수 있게 됨은 물론 공정품질 향상에 개선을 가져올 수 있다.

公开(公告)号：KR101025323B1

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：KR1020040009272

申请日：2004-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아루박

Inventor： 이광명 ,  윤기영 ,  김일경 ,  박성욱 ,  채승기 ,  허노현 ,  김재욱 ,  안재혁 ,  김우석 ,  김명진 ,  장경호 ,  야나기사와신지 ,  츠츠미켄고 ,  타카하시세이이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명의 과제는 다수의 처리 대상물의 고속 처리가 가능하고, 또한 처리 후의 처리 대상물의 면내 균일성을 확보하는 것이 가능한 에칭 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 에칭 장치는 진공 처리조(3)와, 래디컬 상태의 제1 처리 가스를 진공 처리조(3) 내로 도입하여 반도체 웨이퍼(10)로 유도하도록 구성된 제1 가스 도입부(30)와, 제1 처리 가스와 반응하는 제2 처리 가스를 진공 처리조(3) 내로 도입하여 반도체 웨이퍼(10)로 유도하도록 구성된 제2 가스 도입부(40)를 구비한다. 제2 가스 도입부(40)는 제1 가스 도입부(30)에 설치된 도입관(41)을 협지하는 위치에 설치된 2개의 샤워 노즐(41, 42)을 가지고 있다.
에칭, 진공 처리조, 래디컬, 반도체 기판, 면내 균일성

公开(公告)号：KR1020030026475A

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：KR1020010059323

申请日：2001-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광명 ,  다까기 ,  안재혁 ,  채승기 ,  김재욱

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for processing a wafer and a method and an apparatus for etching a wafer are provided to improve productivity by etching easily natural oxides of plural wafers. CONSTITUTION: The first chamber(400) has a storage space(400a) for storing a plurality of wafers(W). The volume of the storage space(400a) corresponds to the volume of a boat(420) for loading 25 to 100 sheets of wafers. The second chamber(410) includes the first chamber(400). An inner face of the second chamber(410) and an outer face of the first chamber(400) face to each other. A vacuum adiabatic space(410a) is formed between the second chamber(410) and the first chamber(400). A wall of the first chamber(400) is thinner than the wall of second chamber(410) in thickness. A heating portion(430) is arranged at an inner circumference of the second chamber(410) in order to heat the storage space(400a) of the first chamber(400). The first coolant circulation line(440a) is used for cooling the first chamber(400). The second cooling portion is used for cooling directly the wafer(W) within the first chamber(400). A rotary portion(460) is installed on the first chamber(400) in order to rotate the boat(420). A reaction gas induction line(470) and an exhaust line(480) are connected with the first chamber(400). A load lock chamber(490) is installed at a lower portion of the first chamber(400). A transfer portion(500) is installed at a lower portion of the load lock chamber(490).

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理晶片的方法和装置，以及用于蚀刻晶片的方法和装置，以通过蚀刻易于多个晶片的天然氧化物来提高生产率。 构成：第一室（400）具有用于存储多个晶片（W）的存储空间（400a）。 存储空间（400a）的体积对应于用于装载25至100张晶片的船（420）的体积。 第二室（410）包括第一室（400）。 第二室（410）的内表面和第一室（400）的外表面彼此面对。 在第二室（410）和第一室（400）之间形成真空绝热空间（410a）。 第一腔室（400）的壁厚度比第二腔室（410）的壁薄。 为了加热第一室（400）的储存空间（400a），加热部（430）配置在第二室（410）的内周。 第一冷却剂循环管线（440a）用于冷却第一室（400）。 第二冷却部分用于直接冷却第一室（400）内的晶片（W）。 旋转部分（460）安装在第一室（400）上以便使船（420）旋转。 反应气体诱导管线（470）和排气管线（480）与第一室（400）连接。 负载锁定室（490）安装在第一室（400）的下部。 传送部分（500）安装在负载锁定室（490）的下部。