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31.发明授权고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 ｐ형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그제조방법 有权用于欧姆接触的薄膜电极使用能够制造与Al，InGaN和方法相关的高质量光学器件的二元和三元p型热电氧化物薄膜的材料
公开(公告)号：KR100707167B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020030047273
申请日：2003-07-11
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/42 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 청·녹색 및 자외선을 내는 단파장 발광 다이오드(light emitting diode: LED)와 레이저 다이오드(laser diode: LD) 제작의 핵심기술 중 하나인 양질의 오믹접촉(Ohmic Contact) 형성에 관한 것이다.
본 발명은 p형 질화갈륨 반도체 상부층에 p형 열전 산화물 박막(p-type thermoelectric oxide thin film; PTE)을 형성하는 합금 또는 고용체(alloys or solid solutions)를 증착한 다음, 열처리 공정을 통해서 p형 질화갈륨과 p형 열전 산화물간의 에너지 밴드갭 조절과 표면 부위에 실효 캐리어 농도의 증가를 통해서 질화갈륨과의 계면에서의 쇼트키 장벽의 높이 및 폭을 각각 감소시켜 우수한 전류-전압특성과 낮은 비접촉 저항값을 갖으면서 동시에 단파장 영역에서 높은 투과도 를 지닌 고품위 오믹접촉 시스템을 제공하는 데 있다.
발광다이오드, 레이저 다이오드, 오믹접촉, 질화갈륨, p형 열전 산화물-
公开(公告)号：KR100601945B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020040016271
申请日：2004-03-10
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있게 전도성을 갖는 소재로 30마이크로미터 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 형성된 격자셀층과, p형클래드층 표면을 보호할 수 있도록 적어도 셀 사이 영역을 커버할 수 있게 p형클래드층 위에 형성된 표면 보호층과, 표면 보호층과 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층을 구비한다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100580634B1
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020030095957
申请日：2003-12-24
IPC: H01L33/42
Abstract: 본 발명은 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 멀티 오믹컨택트층이 순차적으로 적층되어 있고, 멀티 오믹컨택트층은 제1투명 박막층/은/제2투명 박막층으로 형성된다. 이러한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 투명전극이 갖는 높은 빛 투과성으로 인해 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 一种氮化物基发光器件包括依次层叠的衬底，n型覆盖层，有源层，p型覆盖层和多欧姆接触层， 形成第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层。 根据这样的发光装置及其制造方法，与所述p型包覆层的欧姆接触特性得到改进的高电流 - 以及指示所述透明电极的电压特性是由于不必增加元件的发光效率的光透过性 有。
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公开(公告)号：KR1020050095721A
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1020040020993
申请日：2004-03-27
IPC: H01L33/40
Abstract: ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자의 p형 전극은, p형 GaN 계 화합물 반도체층 상의 은 또는 은 합금으로 이루어진 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상의 {Ni, Ni-alloy, Zn, Zn-alloy, Cu, Cu-alloy, Ru, Ir, Rh} 중 적어도 어느 하나로 형성된 제2 전극층을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020050090919A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：KR1020040016271
申请日：2004-03-10
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있게 전도성을 갖는 소재로 30마이크로미터 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 형성된 격자셀층과, p형클래드층 표면을 보호할 수 있도록 적어도 셀 사이 영역을 커버할 수 있게 p형클래드층 위에 형성된 표면 보호층과, 표면 보호층과 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층을 구비한다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050051920A
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：KR1020030085600
申请日：2003-11-28
Abstract: 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 플립칩형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 안티몬, 불소, 인, 비소 중 적어도 하나의 첨가원소가 도핑된 주석산화물로 형성된 오믹콘택트층과, 오믹콘택트층 상부에 광을 반사하는 소재로 형성된 반사층을 구비한다. 이러한 플립칩형 질화물계 발광소자 및 제조방법에 의하면, 낮은 면저항과 높은 캐리어농도를 갖는 전도성 산화물 전극 구조체의 적용에 의해 전류-전압 특성이 개선되고 내구성을 향상시킬 수 있다.
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37.发明公开고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 ｐ형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그제조방법 有权用于形成用于形成用于高质量GaN基光学器件的P型热电子氧化物薄膜的二次和三次合金或固体溶液的OHMIC接触的薄膜电极以及用于破坏Mg-H键和增加有效载流子密度的制造方法 附近的GaN表面
公开(公告)号：KR1020050007702A
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：KR1020030047273
申请日：2003-07-11
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/42 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A thin film electrode for forming an ohmic contact using a binary and ternary alloy or a solid solution for forming a p-type thermo-electronic oxide thin film for high-quality GaN-based optical device and a fabricating method thereof are provided to break a Mg-H bond and increase density of effective carrier around a GaN surface by using hydrogen affinity. CONSTITUTION: A first electrode layer(4) includes a Ni-based alloy or a solid solution to form a p-type thermo-electronic oxide thin film, which is laminated on p-type GaN(2). A second electrode layer(5) is laminated on the first electrode layer. The second electrode layer includes one or more element of Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, and Co.
Abstract translation: 目的：提供一种用于使用二元和三元合金形成欧姆接触的薄膜电极或用于形成用于高质量GaN基光学器件的p型热电氧化物薄膜的固溶体及其制造方法， 通过氢亲和力破坏Mg-H键并增加GaN表面周围的有效载体的密度。 构成：第一电极层（4）包括Ni基合金或固溶体以形成层压在p型GaN（2）上的p型热电氧化物薄膜。 第二电极层（5）层叠在第一电极层上。 第二电极层包括一种或多种Au，Pd，Pt，Ru，Re，Sc，Mg，Zn，V，Hf，Ta，Rh，Ir，W，Ti，Ag，Cr，Mo，Nb， Na，Sb，Li，In，Sn，Al，Ni，Cu和Co
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公开(公告)号：KR102243553B1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：KR1020140089914
申请日：2014-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/146
Abstract: 제1 전극, 상기제1 전극의일면에위치하고제1 p형반도체와제1 n형반도체가이종접합을형성하는흡광층, 상기흡광층의일면에위치하고상기흡광층보다작은반치폭을가지는제2 p형반도체또는제2 n형반도체를포함하는흡광보조층, 상기흡광보조층의일면에위치하는전하보조층, 그리고상기전하보조층의일면에위치하는제2 전극을포함하는유기광전소자및 이미지센서에관한것이다.
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