公开(公告)号：KR101431758B1

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：KR1020080005790

申请日：2008-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재우

IPC: G11C16/30 ,  G11C16/10 ,  G11C16/20 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C5/145 ,  G11C8/10 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/30

Abstract: 안정적인 워드라인 전압을 발생할 수 있는 플래시 메모리 장치가 개시된다. 상기 플래시 메모리 장치의 일예에 따르면, 멀티레벨 셀에 대한 리드(read) 동작을 위하여 하나 이상의 워드라인 전압을 발생하는 워드라인 전압 발생부와, 상기 하나 이상의 워드라인 전압 및 초기화 전압을 입력받으며, 스위칭 동작에 의하여 상기 하나 이상의 워드라인 전압 및 초기화 전압을 선택적으로 출력하는 스위치부 및 상기 스위치부의 출력에 기반하여 상기 멀티레벨 셀의 워드라인을 구동하기 위한 로우 디코더를 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100645047B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020040081465

申请日：2004-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재우

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10

Abstract: 여기에 개시된 불휘발성 메모리 장치 및 프로그램 방법은, 외부로부터 입력된 복수개의 데이터 비트들을 복수 개의 그룹으로 조합한다. 그리고, 조합 결과에 따라 실제 프로그램 될 데이터 비트들을 검출하는 데이터 스캐닝과, 검출된 비트에 대한 어드레스 계산을 선별적으로 수행한다. 본 발명에서는, 모든 데이터 비트를 스캐닝하는 대신에, 데이터 비트들의 조합에 따라 데이터 스캐닝을 선별적으로 수행하기 때문에, 데이터 스캐닝에 소요되는 시간 및 프로그램 시간이 줄어들게 된다.

公开(公告)号：KR1020060028983A

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：KR1020040077926

申请日：2004-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임재우

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/1096 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

Abstract: A non-volatile memory device and a program method thereof are provided. Data is scanned to search data bits to be practically programmed. The searched data bits are simultaneously programmed as many times as a predetermined number. Since data scanning and programming are conducted using a pipeline processing, an average time required for programming data is effectively shortened.

Abstract translation: 这里公开的非易失性存储设备和方法扫描数据以找到要编程的实际数据位，并将它们同时编程预定次数。 具体地说，在本发明中，由于数据扫描处理和程序处理是以流水线方式执行的，因此有效地缩短了编程数据所花费的平均时间。