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公开(公告)号：KR101878455B1
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：KR1020110120557
申请日：2011-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C16/04 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3404 , G11C2211/56
Abstract: 비휘발성메모리장치에프로그램된데이터를독출하기위하여, 멀티-레벨셀들에대하여제1 독출동작을수행하고, 멀티-레벨셀들에상응하는적어도하나의플래그셀에대하여제1 센싱을수행하고, 제1 센싱의결과를기초로멀티-레벨셀들에대하여제2 독출동작을선택적으로수행하고, 제2 독출동작이수행되는경우에적어도하나의플래그셀에대하여제2 센싱을수행하며, 제1 독출동작의결과, 제1 센싱의결과, 제2 독출동작의결과및 제2 센싱의결과에기초하여멀티-레벨셀들에프로그램된데이터에상응하는독출데이터를출력한다.
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公开(公告)号：KR101785003B1
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020100095406
申请日：2010-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의본 발명에의한워드라인전압발생방법은, 타겟음전압이이전의타겟음전압보다높은경우음전압발생기의출력을방전하는단계, 그리고상기방전결과가상기타겟음전압보다높으면음전하펌핑을수행하여상기타겟음전압을발생하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的本发明的字线电压产生的方法，所述目标负电压来执行目标的传递比以下步骤放电电压发生器的输出端的负电压高，放电导致虚拟其他geteum高负电荷泵浦比电压 并产生目标负电压。
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公开(公告)号：KR1020120033724A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020100095406
申请日：2010-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/34 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/30 , G11C16/344 , G11C16/3459
Abstract: PURPOSE: A flash memory device and a method for generating a word line voltage thereof are provided to efficiently read and verify data distributed in a negative voltage domain by converting a negative word line voltage level at high speed. CONSTITUTION: It is discriminated whether a negative voltage is continuously generated(S1000). It is determined whether a negative charge pumping result is equal to or lower than a target negative voltage(S1100). If the negative voltage is not continuously generated, a negative charge is pumped. If the target negative voltage is higher than a prior target negative voltage, the output of a negative voltage generator is discharged(S1200). The target negative voltage is generated by pumping the negative charge if the discharge result is higher than the target negative voltage(S1300).
Abstract translation: 目的：提供闪速存储装置及其字线电压的产生方法，以通过高速转换负字线电压电平来有效地读取和验证分布在负电压域中的数据。 构成：判断是否连续产生负电压（S1000）。 确定负电荷泵送结果是否等于或低于目标负电压（S1100）。 如果不连续产生负电压，则泵送负电荷。 如果目标负电压高于先前的目标负电压，则负电压发生器的输出被放电（S1200）。 如果放电结果高于目标负电压，则通过泵送负电荷来产生目标负电压（S1300）。
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公开(公告)号：KR1020090020325A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020070085004
申请日：2007-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
CPC classification number: G11C8/12 , G11C8/14 , G11C16/30 , G11C2216/22
Abstract: A flash memory device for minimizing fluctuation of a read voltage in a state of an RWW(Read While Write) operation and a method thereof are provided to minimize the fluctuation of the read voltage according to an RWW function irrespective of a size of a NOR flash memory array. A semiconductor memory device(400) includes a read voltage generator(442), a write voltage generator(444), and a plurality of switches(SW1a,SW2a,SW3a,SW4a). The read voltage generator generates read voltages used for read operations from banks(BANK1,BANK2,BANK3,BANK4). The write voltage generator generates write voltages used for write operations with respect to the banks. The switches are used for switching the voltages applied to the banks to the write voltages or the read voltages in response to control signals(XSC1,XSC2,XSC3,XSC4).
Abstract translation: 提供了一种用于最小化在RWW（同时读写）操作的状态下的读取电压的波动的闪速存储器件及其方法，以便根据RWW功能使读取电压的波动最小化，而与NOR闪存的大小无关 内存阵列 半导体存储器件（400）包括读取电压发生器（442），写入电压发生器（444）和多个开关（SW1a，SW2a，SW3a，SW4a）。 读取电压发生器产生用于从银行（BANK1，BANK2，BANK3，BANK4）读取操作的读取电压。 写入电压发生器产生用于相对于存储体的写入操作的写入电压。 这些开关用于响应于控制信号（XSC1，XSC2，XSC3，XSC4）将施加到存储体的电压切换到写入电压或读取电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060056486A
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：KR1020040095595
申请日：2004-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
CPC classification number: G11C16/102
Abstract: 불휘발성 반도체 메모리 장치의 프로그램 비트 스캔표시회로가 게시된다. 본 발명의 프로그램 비트 스캔표시회로는 카운팅부, 설정비트수 제공부 및 비교부를 구비한다. 상기 카운팅부는 소정의 프로그램 필요 비트수를 카운팅하며, 상기 프로그램 필요 비트수를 나타내는 카운팅비트신호군을 제공한다. 상기 설정비트수 제공부는 상기 설정비트수를 나타내는 설정비트신호군을 제공한다. 상기 설정비트수은 외부에서 제어할 수 있다. 상기 비교부는 상기 카운팅비트신호군을 상기 설정비트신호군과 비교하여, 궁극적으로 상기 메모리어레이에 대한 프로그램을 제어하는 스캔종료신호를 제공한다. 상기 스캔종료신호는 상기 프로그램 필요 비트수가 상기 설정비트수에 도달함에 응답하여 천이한다. 본 발명의 프로그램 비트 스캔표시회로에 의하면, 설계자 또는 이용자가 동시에 프로그램할 비트수를 조절할 수 있게 되며, 전체적으로 프로그램 시간이 현저히 단축될 수 있다.
프로그램, 불휘발성, 메모리, 설정비트-
公开(公告)号：KR1020170052392A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150154771
申请日：2015-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C7/08 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/20 , G11C16/32 , G11C16/3404
Abstract: 리커버리동작을선택적으로수행하는불휘발성메모리장치및 그동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른불휘발성메모리장치의동작방법은, 제1 독출커맨드에대응하여제1 센싱동작을수행하는단계와, 제2 독출커맨드를수신하는단계와, 상기제2 독출커맨드가상기제1 센싱동작이종료되기이전에수신된경우, 리커버리동작을수행함이없이상기제1 독출커맨드에대한메모리동작을완료하는단계및 상기제2 독출커맨드에대응하여제2 센싱동작을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储器件及其操作方法，其选择性地执行恢复操作。 根据本发明的技术构思的操作非易失性存储器件的方法包括以下步骤：执行对应于第一读取命令的第一感测操作;接收第二读取命令; 该方法包括：在完成感测操作之前接收到感测操作时，完成用于第一读取命令的存储器操作而不执行恢复操作并且执行与第二读取命令相对应的第二感测操作; 而且，其特征在于。
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公开(公告)号：KR1020130055062A
公开(公告)日：2013-05-28
申请号：KR1020110120557
申请日：2011-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C16/04 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3404 , G11C2211/56
Abstract: PURPOSE: A method for reading data in a nonvolatile memory device and a driving method thereof are provided to improve operation performance by efficiently reading data programmed in multilevel cells. CONSTITUTION: A first reading operation is performed in a plurality of multilevel cells(S100). A first sensing operation is performed in one flag cell corresponding to the plurality of multilevel cells(S200). A second reading operation is selectively performed in the plurality of multilevel cells based on the result of the first sensing operation(S300). A second sensing operation is performed in the flag cell when the second reading operation is performed(S400). Read data corresponding to the data programmed in the plurality of multilevel cells are outputted based on the results of the first reading operation, the first sensing operation, and the second reading operation, and the second sensing operation(S500). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Perform a first reading operation for multilevel cells; (S200) Perform a first sensing operation for a flag cell corresponding to the multilevel cells; (S300) Selectively perform a second reading operation for the multilevel cells based on the result of the first sensing operation; (S400) Perform a second sensing operation for the flag cell when the second reading operation is performed; (S500) Output reading data based on the results of the first reading operation, the first sensing operation, the second reading operation, and the second sensing operation
Abstract translation: 目的：提供一种用于读取非易失性存储器件中的数据的方法及其驱动方法，以通过有效地读取多电平单元中编程的数据来提高操作性能。 构成：在多个多电平单元中执行第一读取操作（S100）。 在对应于多个多电平单元的一个标志单元中执行第一感测操作（S200）。 基于第一感测操作的结果，在多个多电平单元中选择性地执行第二读取操作（S300）。 执行第二读取操作时，在标志单元中执行第二感测操作（S400）。 基于第一读取操作，第一感测操作和第二读取操作的结果以及第二感测操作，输出与多个多电平单元中编程的数据相对应的读取数据（S500）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S100）对多电平单元进行一次读取操作; （S200）对与多层单元对应的标志单元执行第一感测操作; （S300）基于第一感测动作的结果，选择性地进行多电平单元的第二读取动作; （S400）在执行第二读取操作时对标志单元执行第二感测操作; （S500）基于第一读取操作，第一感测操作，第二读取操作和第二感测操作的结果的输出读取数据
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公开(公告)号：KR1020070004295A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059781
申请日：2005-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/24 , G11C16/26
Abstract: A NOR flash memory device having a multi-level cell and a read method thereof are provided to solve instability of the sensing operation due to the increase of a source line voltage, and to reduce unnecessary current consumption. A memory cell(MC1~MC4) is connected to a bit line, and is turned on or off according to the voltage level of a word line. A precharge circuit(211) charges the bit line. A discharge circuit(212) discharges the bit line. A data latch circuit(213) controls the discharge circuit to discharge the bit line through the discharge circuit, if it is determined that the memory cell is an on-cell as the result of a read operation according to the voltage level of the word line.
Abstract translation: 提供具有多电平单元及其读取方法的NOR闪速存储器件，以解决由于源极线电压的增加而导致的感测操作的不稳定性，并且减少不必要的电流消耗。 存储单元（MC1〜MC4）连接到位线，并根据字线的电压电平开启或关闭。 预充电电路（211）对位线充电。 放电电路（212）对位线进行放电。 如果根据字线的电压电平作为读取操作的结果确定存储单元是开小区，则数据锁存电路（213）控制放电电路将放电电路放电通过放电电路 。
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公开(公告)号：KR100645045B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040077926
申请日：2004-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 여기에 개시된 불휘발성 메모리 장치 및 방법은, 데이터를 스캐닝하여 실제 프로그램될 데이터 비트를 찾아내고, 이를 소정의 개수 만큼씩 동시에 프로그램 한다. 특히, 본 발명에서는 상기 데이터 스캐닝 과정과 상기 프로그램 과정을 파이프라인 방식으로 수행하기 때문에, 데이터를 프로그램 하는데 걸리는 평균 시간이 효과적으로 단축된다.
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