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公开(公告)号：KR1019960009029A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940021083
申请日：1994-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 신규한 이방성 건식식각 방법이 개시되어 있다. 상층막과 하층막으로 구성되는 다층막을 이방성 식각하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 평행평판형 시스탬에서 브로모수소(HBr)가스, 육불화황(SF
6 )가스, 산소(O
2 )가스 및 염소(Cl
2 )가스를 혼합하여 상기 상층막을 이방성 식각한다. 수직 프로파일을 얻을 수 있고, 마이크로 로딩효과를 감소시킬 수 있다.
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