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公开(公告)号：KR1020020060454A
公开(公告)日：2002-07-18
申请号：KR1020010001556
申请日：2001-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device having a mask ROM is provided to simplify process by reducing the steps for masking. CONSTITUTION: A device isolation film(110) is formed on a semiconductor substrate(100) comprising a ROM formation part(A) and a memory cell formation part(B). The boron is simultaneously injected into a lower part of the insulation film on the ROM and memory cell formation part. A mask(120) covers all region excepting a coding region of the ROM formation part and a channel region of the memory cell formatting region. The phosphate ion is injected into the exposed coding and channel region. The coding cell of the ROM formation part is coded by the phosphate ion injection. The read/write of the memory cell becomes easy by injecting the electron into the channel region of the memory cell through the phosphate ion injection.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有掩模ROM的半导体器件的方法，以通过减少掩蔽步骤来简化工艺。 构成：在包含ROM形成部分（A）和存储单元形成部分（B）的半导体衬底（100）上形成器件隔离膜（110）。 硼同时注入ROM和存储单元形成部分的绝缘膜的下部。 掩模（120）覆盖除了ROM形成部分的编码区域和存储单元格式化区域的通道区域之外的所有区域。 将磷酸根离子注入暴露的编码区和通道区。 ROM形成部分的编码单元通过磷酸盐离子注入编码。 通过磷酸盐离子注入将电子注入到存储单元的沟道区域中，存储单元的读/写变得容易。
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公开(公告)号：KR100314708B1
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：KR1019980026847
申请日：1998-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재익
IPC: H01L27/115
Abstract: 기존 대비 공정을 단순화할 수 있는 이피롬(이하, EPROM이라 한다) 셀이 내장된 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다.
필드 산화막과 제 1 게이트 절연막이 구비된 반도체 기판 상에 폴리실리콘막과 절연막을 순차적으로 형성한 후, 상기 필드 산화막의 중앙부 상측에 위치한 절연막 표면이 컨트롤 게이트와 수직되는 방향을 따라 서로 소정 간격 이격되어 노출되도록, EPROM 셀 형성부의 절연막 상에만 선택적으로 제 1 감광막 패턴을 형성한다. 제 1 감광막 패턴을 마스크로해서 절연막과 폴리실리콘막을 순차식각하여 EPROM 셀 형성부에 상단에 절연막이 놓여진 구조의 플로팅 게이트를 형성한 후, 로직 형성부의 제 1 게이트 절연막을 습식식각 공정으로 제거하고, 제 1 감광막 패턴을 제거한다. 이어, 산화 공정을 이용해서 상기 제 1 게이트 절연막이 제거된 부분과 플로팅 게이트의 측면에 제 2 게이트 절연막과 산화막을 동시에 형성한다.
그 결과, 플로팅 게이트를 형성하기 위한 폴리실리콘막 식각 공정과 절연막식각 공정을 1회의 광식각 공정을 이용하여 한꺼번에 실시할 수 있게 되므로, 식각공정 진행시 마스크 수 1매를 절감할 수 있게 되어 공정 단순화와 비용 절감을 동시에 이룰 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020000042750A
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980059028
申请日：1998-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재익
IPC: H04M1/00
Abstract: PURPOSE: A method for cutting off a last call is provided to cut off a last call, when a redial-key or a send-key is pressed after setting a last call cutoff mode in a communication system. CONSTITUTION: A method for cutting off a last call in a communication system comprises the steps of: setting a last call cutoff mode; cutting off an origination of a last call number when a send-key of a redial-key is inputted after setting a last call cutoff mode. The step of setting a last call cutoff mode comprises the steps of: displaying a password input demand message when a setup of a last call is inputted; detecting whether a password inputted by a user is coinciding with a passport previously memorized, after the password input demand message is displayed; displaying a setup menu of a last call cutoff when the passwords are coinciding with each other; and setting to a mode corresponding to a selection key of an inputted last call cutoff mode, when one selection key of a last call cutoff mode is inputted from the displayed setup menu of a last call cutoff.
Abstract translation: 目的：在通信系统中设置最后一个呼叫切断模式之后，当按下重拨键或发送键时，提供一种切断最后一个呼叫的方法来切断最后一个呼叫。 构成：一种用于在通信系统中切断最后呼叫的方法包括以下步骤：设置最后呼叫截止模式; 在设定最后呼叫截止模式之后输入重拨键的发送键时，切断最后一个呼叫号码的发起。 设置最后呼叫截止模式的步骤包括以下步骤：当输入最后呼叫的设置时，显示密码输入需求消息; 在显示密码输入要求消息之后，检测用户输入的密码是否与先前存储的护照一致; 当密码相互重合时显示最后一个呼叫截止的设置菜单; 并且当从所显示的最后呼叫截止的设置菜单中输入最后呼叫截止模式的一个选择键时，设置为与所输入的最后呼叫截止模式的选择键相对应的模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000007479A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980026847
申请日：1998-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재익
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/11521 , H01L27/11543
Abstract: PURPOSE: The semiconductor device can achieve the simplification of process and the reduction of cost without process inferiority, by changing the layout structure of a floating gate(106a) constituting an EPROM cell when fabricating an EPROM built-in logic device. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a first conductive film and an insulating film in sequence on a semiconductor substrate(100) comprising a field oxide(102) and a first gate insulating film(104a); forming a first photoresist pattern selectively only on the insulating film of an EPROM cell formation region, to reveal the surface of the insulating film on top of the center of the field oxide along the length direction; forming the floating gate on the EPROM cell formation region by etching the insulating film and the first conductive film using the first photoresist pattern as a mask; etching the first gate insulating film on a logic formation part; removing the first photoresist pattern; and a second insulating film and an oxide film simultaneously on the region where the first gate insulating film is removed and on the side of the floating gate, using oxidation process. In doing so, the method can perform the process of etching the first conductive film to form the floating gate and the process of etching the insulating film simultaneously by using one photolithography process.
Abstract translation: 目的：当制造EPROM内置逻辑器件时，通过改变构成EPROM单元的浮动栅极（106a）的布局结构，可以实现工艺的简化和成本的降低，而无过程劣化。 方法：该方法包括以下步骤：在包括场氧化物（102）和第一栅极绝缘膜（104a）的半导体衬底（100）上依次形成第一导电膜和绝缘膜; 仅在EPROM单元形成区域的绝缘膜上选择性地形成第一光致抗蚀剂图案，以沿着长度方向露出氧化物中心顶部的绝缘膜的表面; 通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻绝缘膜和第一导电膜，在EPROM单元形成区域上形成浮栅; 在逻辑形成部分上蚀刻第一栅极绝缘膜; 去除第一光致抗蚀剂图案; 以及在去除第一栅极绝缘膜的区域上并且在浮动栅极的侧面上使用氧化工艺同时进行第二绝缘膜和氧化膜。 在这样做时，该方法可以执行蚀刻第一导电膜以形成浮置栅极的过程以及通过使用一个光刻工艺同时蚀刻绝缘膜的工艺。
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公开(公告)号：KR1019980013663A
公开(公告)日：1998-05-15
申请号：KR1019960032236
申请日：1996-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재익
IPC: H04M1/26
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
전화기에서 링음 선택 발생방법.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 전화기에서 착신 전화를 거부하는 경우에는 모든 착신을 차단하게 되므로 가족이나, 가까운 친척의 전화 등과 같이 중요한 전화까지 차단하였다.
다. 발명의 해결 방법의 요지
전화기에서 링톤발생 선택모드가 설정된 상태에서 착신되는 링에 응답하여 통화로를 형성하며, 상기 형성된 통화로를 통해 설정된 비밀번호가 수신되면 링음을 발생하는 링음 선택 발생방법.
라. 발명의 중요한 용도
전화기.-
公开(公告)号：KR1019970013879A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950025998
申请日：1995-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재익
IPC: H04B7/26
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 자석을 이용한 휴대폰의 인체부착장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명의 목적은 마그네트(인체에 무해하고 자석요 또는 자석목걸이로 사용하는 재질을 적용할 경우 오히려 인체에 유익함)의 상반된 극성의 친화력을 이용하여 상기 마그네트를 케이스 본체의 저면 또는 케이스 본체에 장착되는 밧대리 팩과 이와 대응하는 착탈판에 실장하여 송, 수신시 부착된 부위로 부터 가장 편리하게 휴대용 무선전화기를 꺼내는 데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 휴대폰의 인체부착장치에 있어서, 케이스 본체의 저면 또는 배터리 팩의 상면에 마그네트를 실장하고, 별도로 일체로 벨트클럽이 형성된 착탈판에 마그네트를 실장하여 자성의 상반된 극의 친화력을 이용함으로서 상기 휴대폰을 상기 착탈판에서 용이하게 착탈가능함을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 휴대폰의 휴대와 분리가 편리하고 장착위치에 따라 스타일을 바꿔 자신만이 개성을 나타낼 수 있는 잇점이 있다. -
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