公开(公告)号：KR100498467B1

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：KR1020020077034

申请日：2002-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승환 ,  추강수 ,  이주원 ,  박재언 ,  양종호

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C30B25/14 ,  Y10T117/10

Abstract: 배기 경로에서의 파우더(powder) 생성을 방지할 수 있는 원자층 증착 장비(atomic layer deposition)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 의한 원자층 증착 장비는 적어도 두 종류 이상의 반응체들을 사용하는 원자층 증착 과정이 웨이퍼 상에 수행되는 반응부와, 반응체들을 교대로 반응부로 각각 제공하는 반응체 공급부들과, 원자층 증착 과정에 참여하고 남은 미반응된 반응체들 각각이 배기 중에 서로 만나지 않고 상호간에 독립적으로 반응부로부터 배기되도록 하기 위해서 반응체들 종류의 수와 같은 수로 도입되는 배기 경로들, 및 미반응된 반응체들 각각이 어떤 정해진 배기 경로로만 배기되도록 배기 경로들 각각을 배기될 상기 미반응된 반응체의 종류에 따라 선택적으로 단속(on/off)하는 배기 제어 밸브들을 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR100480610B1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：KR1020020047233

申请日：2002-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재언 ,  추강수 ,  이주원 ,  양종호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274

Abstract: 포토레지스트 상에 실리콘 산화막을 형성한 뒤에 건식 식각 공정을 진행하여 미세 패턴을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의하면 미세 패턴을 형성하고자 하는 물질막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그리고 그 위에 실리콘 산화막을 증착하는데 하부의 포토레지스트 패턴에 손상을 가하지 않고 정합적으로 얇게 형성할 수 있어야 한다. 다음으로 하부막에 대하여 건식 식각을 실시하는데 초기에는 포토레지스트 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하고 다음으로 포토레지스트 패턴 상에 폴리머막을 형성한다. 본 발명에 의하면 포토레지스트 패턴이 얇아지는 현상을 방지하여 식각 프로파일을 유지할 수 있고, 패터닝된 물질막에 스트리에이션(striation)이나 위글링(wiggling) 등의 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100459724B1

公开(公告)日：2004-12-03

申请号：KR1020020055005

申请日：2002-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 추강수 ,  이주원 ,  박재언 ,  양종호

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116

Abstract: Provided are a semiconductor device having an etch stopper formed of a nitride film by low temperature atomic layer deposition which can prevent damage to a semiconductor substrate and a method for fabricating the semiconductor device. Damage to the semiconductor substrate under the etch stopper composed of a second nitride film can be prevented by forming a first nitride film using high temperature LPCVD on the semiconductor substrate, forming the etch stopper including the second nitride film by low temperature ALD on the first nitride film, and removing the second nitride film by dry etching, thus taking advantage of the different etch selectivities of the first nitride film and the second nitride film.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，该半导体装置具有通过低温原子层沉积形成氮化膜的蚀刻停止层，该半导体装置能够防止损伤半导体基板。 通过在半导体衬底上使用高温LPCVD形成第一氮化物膜，通过低温ALD在第一氮化物上形成包括第二氮化物膜的蚀刻停止层，可以防止由第二氮化物膜构成的蚀刻停止层下的半导体衬底的损坏 通过干法蚀刻除去第二氮化物膜，从而利用第一氮化物膜和第二氮化物膜的不同蚀刻选择性。