성긴 w-NAF 키 생성방법,이를 이용한 연산 방법 및암호화 방법
    34.
    发明公开
    성긴 w-NAF 키 생성방법,이를 이용한 연산 방법 및암호화 방법 有权
    用于生成稀疏W-NAF密钥的方法,其加工方法及其加密方法

    公开(公告)号:KR1020080050054A

    公开(公告)日:2008-06-05

    申请号:KR1020060120827

    申请日:2006-12-01

    CPC classification number: G06F7/725 H04L9/0841 H04L9/3013

    Abstract: A sparse w-NAF key generating method, a processing method, an encrypting method using the same are provided to increase an encrypting speed by decreasing a scalar multiplication quantity and an exponential manipulation quantity. An encryption apparatus includes a key generator(100), an exponential calculator(200), and an encryption unit(300). The key generator generates an unsigned-w-NAF(Non-Adjacent Form) key. The w-NAF key is an odd number whose absolute value of a non-zero coefficient is smaller than 2^(w-1). A maximum number of non-zero coefficients of w consecutive coefficients is one. The exponential calculator performs an exponential manipulation by using the non-signed w-NAF key as an exponent. The encryption unit performs an encryption process on the exponential result from the exponential calculator.

    Abstract translation: 提供稀疏的w-NAF密钥生成方法,处理方法,使用其的加密方法,以通过减少标量乘数和指数操纵量来增加加密速度。 加密装置包括密钥生成器(100),指数计算器(200)和加密单元(300)。 密钥生成器生成一个unsigned-w-NAF(Non-Adjacent Form)密钥。 w-NAF密钥是非零系数的绝对值小于2 ^(w-1)的奇数。 w个连续系数的非零系数的最大数量为1。 指数计算器通过使用非签名的w-NAF密钥作为指数来执行指数操纵。 加密单元对指数计算器的指数结果执行加密处理。

    포커스 링 깨짐을 방지할 수 있는 반도체 소자의 식각설비
    35.
    发明公开
    포커스 링 깨짐을 방지할 수 있는 반도체 소자의 식각설비 无效
    用于防止烧焦的聚焦环的半导体器件的蚀刻装置

    公开(公告)号:KR1020060110705A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:KR1020050033204

    申请日:2005-04-21

    CPC classification number: H01J37/32642 H01L21/67069 H01L21/6831

    Abstract: Semiconductor device etching equipment is provided to restrain the damage of a focus ring by using a tilted structure between an electrostatic chuck and the focus ring. Semiconductor device etching equipment comprises an etch chamber body(108), a cathode electrode, an electrostatic chuck, and a focus ring. The cathode electrode(102) is installed at an inner lower portion of the etch chamber body. The electrostatic chuck(104) is installed on the cathode electrode in the etch chamber body. The focus ring(110) is formed on the cathode electrode adjacent to the electrostatic chuck. A tilted structure is formed at a portion between the electrostatic chuck and the focus ring.

    Abstract translation: 半导体器件蚀刻设备用于通过使用静电卡盘和聚焦环之间的倾斜结构来抑制聚焦环的损坏。 半导体器件蚀刻设备包括蚀刻室主体(108),阴极电极,静电卡盘和聚焦环。 阴极电极(102)安装在蚀刻室主体的内部下部。 静电卡盘(104)安装在蚀刻室主体中的阴极上。 聚焦环(110)形成在与静电卡盘相邻的阴极上。 在静电卡盘和聚焦环之间的部分处形成倾斜结构。

    성긴 w-NAF 키 생성방법,이를 이용한 연산 방법 및암호화 방법
    36.
    发明授权
    성긴 w-NAF 키 생성방법,이를 이용한 연산 방법 및암호화 방법 有权
    生成稀疏w-NAF密钥的方法,其处理方法及其加密方法

    公开(公告)号:KR101309797B1

    公开(公告)日:2013-09-23

    申请号:KR1020060120827

    申请日:2006-12-01

    CPC classification number: G06F7/725 H04L9/0841 H04L9/3013

    Abstract: 성긴 w-NAF 키 생성방법, 이를 이용한 연산 방법 및 암호화 방법이 제공된다. 본 키 생성방법은, 계수들 중 0이 아닌 계수는 2
    w (w는 2 이상의 자연수) 이하의 양의 홀수이며, 연속된 w개의 계수들 중 0이 아닌 계수가 최대 하나인 계수열을 생성하는 단계 및 생성된 상기 계수열을 키로 출력하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 0 아닌 계수의 개수가 작은 성긴 w-NAF 키를 이용한 지수승 연산이나 스칼라곱 연산을 통해 암호화를 수행할 수 있게 되어 암호화 속도를 높일 수 있게 된다.
    키, w-NAF, 지수승 연산, 스칼라곱 연산, 암호화

    성긴 w-NAF 키 생성방법,이를 이용한 연산 방법 및 암호화 방법
    37.
    发明公开
    성긴 w-NAF 키 생성방법,이를 이용한 연산 방법 및 암호화 방법 有权
    用于生成稀疏W-NAF密钥的方法,其加工方法及其加密方法

    公开(公告)号:KR1020120101313A

    公开(公告)日:2012-09-13

    申请号:KR1020120084577

    申请日:2012-08-01

    CPC classification number: H04L9/0861

    Abstract: PURPOSE: A method for generating a sparse w-NAF(Non Adjacent Form) key and a calculation method and an encryption method using the same are provided to improve coding speed by reducing an exponent power operation quantity or a scalar multiplication operation quantity. CONSTITUTION: A key generation unit selects any t number of groups from m-(w-1)*t number of groups(S410). The key generation unit replaces the selected t number of groups with a string which is made of one of positive odd numbers below 2w or w-1 number of 0s(S420). The key generation unit replaces the group which is not selected with 0(S430). A generated coefficient row is outputted by a τ-adic w-NAF key(S440). The scalar multiplication unit performs scalar multiplication based on the τ-adic w-NAF key which is generated through the key generation unit(S510-S560). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S410) Selection of any t number of groups from the m-(w-1)(t) numbers of groups; (S420) Replacing of the selected t number of each group with a string which is formed by arranging the w-1 number of zeros and any one of integers whose absolute value is below qw/2 and which are aliquant by q; (S430) Replacing of non-selected groups with zero; (S440) Outputting of a coefficient generated through S410 and S430 steps to a τ-adic w-NAF key; (S510) Intermediate result value(Q)= [sign(initial coefficient which is not zero)]* |initial coefficient which is not zero|* P; (S520) Next coefficient = 0 ?; (S540) Q←τQ+[sign(next coefficient)]*|next coefficient|*P; (S550) Does the next coefficient exist?; (S560) Outputting of Q using scalar multiplication; (S610) Encoding

    Abstract translation: 目的:提供一种用于生成稀疏w-NAF(非相邻形式)密钥的方法以及使用该密钥的计算方法和加密方法,以通过减少指数功率操作量或标量乘法运算量来提高编码速度。 构成:密钥生成单元从m-(w-1)* t个组中选择任意t个组(S410)。 密钥生成单元用由低于2w的正奇数或w-1个0之一构成的字符串替换所选择的t个组。(S420)。 密钥生成单元用0替换未选择的组(S430)。 生成的系数行由τ-adic w-NAF键输出(S440)。 标量乘法单元基于通过密钥生成单元生成的τ-adic w-NAF密钥来执行标量乘法(S510〜S560)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S410)从m-(w-1)(t)个组中选择任意t个组; (S420)用通过布置w-1个零和绝对值低于qw / 2并且由q等分的整数中的任何一个形成的字符串来替换每个组的所选t个数; (S430)将未选择的组替换为零; (S440)通过S410和S430步骤生成的系数输出到τ-adic w-NAF键; (S510)中间结果值(Q)= [符号(初始系数不为零)] * |不为零的初始系数| * P; (S520)Next系数= 0? (S540)Q←τQ+ [符号(下一个系数)] * |下一个系数| * P; (S550)下一个系数是否存在? (S560)使用标量乘法输出Q; (S610)编码

    기판 처리 장치
    38.
    发明公开
    기판 처리 장치 无效
    用于处理基板的装置

    公开(公告)号:KR1020070081316A

    公开(公告)日:2007-08-16

    申请号:KR1020060013206

    申请日:2006-02-10

    Inventor: 권태경

    CPC classification number: H01L21/67069 H01L21/67161

    Abstract: An apparatus for treating substrates is provided to clean easily a liner member which encloses an inner wall of a process chamber and an outer wall of a support member, by detachably attaching the liner member on the process chamber. An apparatus for treating substrates includes a process chamber(100), a support block(220), a process gas supply member(300), and a support block liner(520). The support block is provided in the process chamber and supports the substrate during a treating process. The process gas supply member supplies a process gas into the process chamber. The support block liner encloses a sidewall and a lower wall of the support block, such that reaction particles are prevented from attaching to the sidewall and lower wall of the support block. The process chamber further includes an upper chamber(120) and a lower chamber(140). A lower chamber liner(560) encloses a sidewall and a lower wall of the lower chamber.

    Abstract translation: 提供了一种用于处理基板的设备,用于通过将衬垫部件可拆卸地附接在处理室上来容易地清洁包围处理室的内壁和支撑构件的外壁的衬里构件。 一种用于处理衬底的设备包括处理室(100),支撑块(220),工艺气体供应构件(300)和支撑块衬垫(520)。 支撑块设置在处理室中并在处理过程中支撑基板。 处理气体供应构件将处理气体供应到处理室中。 支撑块衬垫包围支撑块的侧壁和下壁,使得防止反应颗粒附着到支撑块的侧壁和下壁。 处理室还包括上室(120)和下室(140)。 下腔室衬套(560)包围下室的侧壁和下壁。

    정전 흡착 장치
    39.
    发明公开
    정전 흡착 장치 无效
    静电吸收装置

    公开(公告)号:KR1020060022151A

    公开(公告)日:2006-03-09

    申请号:KR1020040070951

    申请日:2004-09-06

    Inventor: 권태경

    CPC classification number: H01L21/6833 H01L21/67288 H02N13/00

    Abstract: 본 발명은 기판을 고정 유지하기 위한 정전 흡착 장치(ESC)를 개시한 것으로, 상기 정전 흡착 장치는 베이스상에 전극과 유전층이 형성되어 있다. 상기 전극은 둘의 영역으로 나누어지고 있다. 제 2 전극은 제 1 전극에 대하여 외측에 배치되어 있고, 상기 각각의 전극은 독립적으로 인가 전압을 변화 시키는 것이 가능하고, 전극의 각각에 인가하는 전압은 기판의 형상 정보에 따라 변화한다.
    정전흡착장치

    교실에서 학생의 출석을 자동으로 체크하기 위한 도구
    40.
    发明公开
    교실에서 학생의 출석을 자동으로 체크하기 위한 도구 审中-实审
    用于在教室自动检查学生出勤的工具

    公开(公告)号:KR1020170091879A

    公开(公告)日:2017-08-10

    申请号:KR1020160012691

    申请日:2016-02-02

    CPC classification number: G06F1/1652 H01L51/0097 H01L2251/5338

    Abstract: 우리는스마트폰을이용하여등록된학생의출석을자동으로체크할수 있는소프트웨어툴을디자인하고시행한다. 학생은그의스마트폰에어플리케이션을인스톨할필요가있다. 상기소프트웨어툴의도전이슈는, 우리는학생이교실의안팎에존재하는지여부를자동으로찾을필요가있다. 이러한목적을위해, 학생의스마트폰의어플리케이션은교실근처의와이파이및 블루투스장치의현재신호세기를측정할것이다. 그리고측정결과는학생의출석을체크하기위한소프트웨어를구동하는서버로보고된다. 서버는상기신호세기들을분석함으로써, 학생이교실의안 또는밖에위치했는지여불를결정할수 있다. 와이파이및 블루투스신호의세기의종합적인측정은스마트폰의와이파이스캐닝이비엘이(BLE) 스캐닝보다더 많은에너지를소비한다는것을드러낸다. 그리고와이파이비콘의수신된신호는간섭과페이딩으로인해다이나믹하게변할수있다. 즉, 와이파이신호세기는교실에서의학생의위치를알아낼수가없다. 만약우리가블루투스장치를배치할수 있다면, 우리는전송전력레벨을조정할수 있다. 이것은학생의위치측정의정확도를높이는데도움이된다. 블루투스장치를래버리징(leveraging)함으로써, 우리는상당히진보된위치측정을수행할수 있게된다.

    Abstract translation: 我们设计和实施软件工具,可以使用智能手机自动检查登记学生的出勤率。 学生需要在他的智能手机上安装应用程序。 软件工具面临的挑战是我们需要自动发现学生是否在教室内外。 为此,学生的智能手机应用程序将测量教室附近的Wi-Fi和蓝牙设备的当前信号强度。 测量结果被报告给运行该软件的服务器以检查学生出勤率。 通过分析信号强度,服务器可以确定学生是在教室还是在教室外。 WiFi和蓝牙信号强度的综合测量表明,智能手机WiFi扫描比BLE扫描消耗的能量更多。 并且由于干扰和衰落,Wi-Fi信标的接收信号可以动态改变。 换句话说,Wi-Fi信号无法找到学生在教室中。 如果我们可以部署蓝牙设备,我们可以调整发射功率级别。 这有助于提高学生位置测量的准确性。 通过利用蓝牙设备,我们能够执行高度先进的位置测量。

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