-
公开(公告)号：KR1020170109899A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160034080
申请日：2016-03-22
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예는제1 도전형반도체층과, 양자우물과양자벽을포함하여상기제1 도전형반도체층상에배치되는활성층및 상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함할수 있다. 상기양자우물은상기제2 도전형반도체층에비해상기제1 도전형반도체층에인접하게배치되는제1 양자우물과, 상기제1 도전형반도체층에비해상기제2 도전형반도체층에인접하게배치되는제2 양자우물을포함할수 있다. 상기제1 양자우물은제1 깊이와제1 너비를가지며, 상기제2 양자우물은상기제1 깊이보다얕은제2 깊이와상기제1 너비보다큰 제2 너비를구비할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 该实施例可以包括第一导电型半导体层，在第一导电型半导体层上的包括量子阱和量子墙的有源层以及设置在有源层上的第二导电型半导体层。 量子阱邻近于比第二比导电型半导体层和第一量子阱的第二导电类型半导体层相邻设置于所述第一导电类型半导体层，第一导电型半导体层 并在其中布置第二量子阱。 第一量子阱具有第一深度和第一宽度，以及可以设置有第二宽度比所述第一宽度和所述第二深度较浅比所述第一深度大的第二量子。
-
公开(公告)号：KR1020170105945A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029367
申请日：2016-03-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층(112) 상에활성층과, 상기활성층상에제2 도전형 AlGaN 계열층과, 상기제2 도전형 AlGaN 계열층상에제2 도전형제1 반도체층과, 상기제2 도전형제1 반도체층상에 AlInGaN 계열층및 상기 AlInGaN 계열층상에제2 도전형제2 반도체층을포함할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 根据本实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层，第一导电类型半导体层112，有源层上的第二AlGaN基导电型层，所述有源层和所述第二导电类型的AlGaN系列 第一导电双极层上的第二导电分叉半导体层，第二导电双极半导体层上的AlInGaN串联层以及AlInGaN串联层上的第二半导体双极层。
-
公开(公告)号：KR1020160050210A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140147865
申请日：2014-10-29
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/42
Abstract: 실시예는발광소자및 이를포함하는조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는기판과, 상기기판상에브이-피트(v-pit)를포함하는제1도전형반도체층과, 상기제1도전형반도체층상에활성층과, 상기활성층상에확산방지층과, 상기확산방지층상에초격자층과, 상기초격자층상에제2도전형반도체층을포함하고, 상기초격자층은 MgN층과 GaN층이교대로배치될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光装置和包括该发光装置的照明系统。 根据本发明的实施例，发光器件包括：衬底; 在所述基板上的第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被构造为包括V形凹坑; 在第一导电型半导体层上的有源层; 有源层上的扩散层; 在扩散层上的超晶格层; 和超晶格层上的第二导电型半导体层。 在超晶格层上，可以交替排列MgN层和GaN层。 本发明提供一种具有改进的膜质量效率和增加的孔密度的发光装置。
-
公开(公告)号：KR1020160015761A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140098438
申请日：2014-07-31
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 농도의제1 도전형제1 반도체층; 상기제1 반도체층상에제2 농도의제1 도전형제2 반도체층; 상기제2 반도체층상에피트를포함하는제3 반도체층; 상기제3 반도체층상에활성층; 및상기활성층상에제2 도전형반도체층;을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及发光装置，发光装置的制造方法，发光装置封装和照明系统。 根据本发明实施例的发光器件可以包括：含有第一浓度的第一导电类型的第一半导体层; 在所述第一半导体层上包含第二浓度的第一导电类型的第二半导体层; 在所述第二半导体层上的第三半导体层，所述第三半导体层包括凹坑; 第三半导体层上的有源层; 以及在有源层上具有第二导电类型的半导体层。
-
公开(公告)号：KR1020140062947A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120129278
申请日：2012-11-15
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/145 , H01L2924/12041
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a light emitting element, a method for manufacturing the light emitting element, a light emitting element package, and a lighting system. According to the embodiment, the light emitting element includes: a first conductivity-type semiconductor layer (112); an active layer (114) which is placed on the first conductivity-type semiconductor layer (112); a second conductivity-type gallium nitride layer (128) which is placed on the active layer (113); and a second conductivity-type semiconductor layer (116) which is placed on the second conductivity-type gallium nitride layer (128). The second conductivity-type gallium nitride layer (128) may include: a second conductivity-type AlxGa(1-x)N layer (0
Abstract translation: 本发明的实施例涉及发光元件，发光元件的制造方法，发光元件封装和照明系统。 根据实施例，发光元件包括：第一导电型半导体层（112）; 放置在第一导电型半导体层（112）上的有源层（114）; 放置在有源层（113）上的第二导电型氮化镓层（128）; 以及放置在第二导电型氮化镓层（128）上的第二导电型半导体层（116）。 第二导电型氮化镓层（128）可以包括：放置在有源层（114）上的第二导电型Al x Ga（1-x）N层（0
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140046163A
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020120112252
申请日：2012-10-10
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: A light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer; and an activating layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, and including a plurality of quantum well layers and a plurality of quantum-barrier layers which are alternately disposed, wherein the activating layer includes a first region adjacent to the first conductive semiconductor layer, a second region adjacent the second conductive semiconductor layer, and a third region formed between the first region and the second region. The quantum well layer of the first region is thicker than the quantum well layer of the third region, and the quantum well layer of the second region is thicker than the quantum well layer of the third region.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括第一导电半导体层; 第二导电半导体层; 以及激活层，其设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间，并且包括交替设置的多个量子阱层和多个量子势垒层，其中所述激活层包括与所述第二导电半导体层相邻的第一区域 第一导电半导体层，与第二导电半导体层相邻的第二区域，以及形成在第一区域和第二区域之间的第三区域。 第一区域的量子阱层比第三区域的量子阱层厚，第二区域的量子阱层比第三区域的量子阱层厚。
-
公开(公告)号：KR1020140045734A
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020120111842
申请日：2012-10-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: An embodiment relates to a light emitting device, a method of fabricating the light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system. The light emitting device according to the embodiment includes a first conductive semiconductor layer (112), a gallium nitride-based superlattice layer (124) on the first conductive semiconductor layer (112), an active layer (114) on the gallium nitride-based superlattice layer (124), a second conductive gallium nitride-based layer (129) on the active layer (114), and a second conductive semiconductor layer (116) on the second conductive gallium nitride-based layer (129). The second conductive gallium nitride-based layer (129) may include a second conductive GaN layer (126) having first concentration on the active layer (114), a second conductive InxAlyGa(1-x-y) N layer (where, 0
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件包括第一导电半导体层（112），在第一导电半导体层（112）上的氮化镓基超晶格层（124），在氮化镓基上的有源层（114） 超晶格层（124），有源层（114）上的第二导电氮化镓基层（129）和第二导电氮化镓基层（129）上的第二导电半导体层（116）。 第二导电氮化镓基层（129）可以包括在有源层（114）上具有第一浓度的第二导电GaN层（126），第二导电In x Al y Ga（1-xy）N层（其中0 < 具有第二浓度的第一导电AlzGa（1-z）N层（其中0
-
公开(公告)号：KR1020140039644A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120106039
申请日：2012-09-24
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: One embodiment of the present invention relates to a light emitting device, a method for manufacturing the same, a light emitting device package, and a lighting system. The light emitting device, according to the one embodiment, comprises: a first conductive type semiconductor layer (112); a gallium nitride-based superlattice layer (124) on the first conductive type semiconductor layer (112); an active layer (114) on the gallium nitride-based superlattice layer (124); and a second conductive type semiconductor layer (116) on the active layer (114), wherein the gallium nitride-based superlattice layer (124) in the first conductive type semiconductor layer (112) can change a band gap energy level in the direction of the active layer (114).
Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及发光器件，其制造方法，发光器件封装和照明系统。 根据一个实施例的发光器件包括：第一导电类型半导体层（112）; 在所述第一导电类型半导体层上的氮化镓基超晶格层; 位于所述氮化镓基超晶格层（124）上的有源层（114）; 以及在所述有源层（114）上的第二导电类型半导体层（116），其中所述第一导电类型半导体层（112）中的所述氮化镓基超晶格层（124）可以改变所述第一导电类型半导体层 有源层（114）。
-
公开(公告)号：KR1020130096336A
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020120016203
申请日：2012-02-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to improve light emitting efficiency by relieving the stress between a first conductive semiconductor layer and an active layer. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer (210), an active layer (230), and a second conductive semiconductor layer (240). An electron injection layer (220) is located between the first conductive semiconductor layer and the active layer and includes In. The active layer includes a well layer and a barrier layer which are alternately located. The electron injection layer includes multiple sub layers. An energy band gap of the sub layer is wider than an energy band gap of the well layer. The multiple sub layers include a sub well layer and a sub barrier layer which are alternately located.
Abstract translation: 目的：通过减轻第一导电半导体层和有源层之间的应力来提供发光器件以提高发光效率。 构成：发光结构包括第一导电半导体层（210），有源层（230）和第二导电半导体层（240）。 电子注入层（220）位于第一导电半导体层和有源层之间，并包括In。 活性层包括交替位置的阱层和势垒层。 电子注入层包括多个子层。 子层的能带隙比阱层的能带隙宽。 多个子层包括交替位置的子阱层和子阻挡层。
-
公开(公告)号：KR1020120042340A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020100103999
申请日：2010-10-25
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to improve extraction efficiency of light emitting to a second conductivity type semiconductor layer from an active layer by forming a conductive layer on the second conductivity type semiconductor layer. CONSTITUTION: A light emitting structure(120) is arranged on a substrate(110). The light emitting structure comprises a conductive semiconductor layer(122), an active layer(124), and a second conductivity type semiconductor layer(126). A conductive layer(130) is arranged on the second conductivity type semiconductor layer. A first electrode(142) is arranged on a first conductivity type semiconductor layer which is exposed by an etching process. A second electrode(144) is arranged on the conductive layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，通过在第二导电类型半导体层上形成导电层，从有源层提高发光到第二导电类型半导体层的光的提取效率。 构成：发光结构（120）布置在基板（110）上。 发光结构包括导电半导体层（122），有源层（124）和第二导电类型半导体层（126）。 导电层（130）布置在第二导电类型半导体层上。 第一电极（142）布置在通过蚀刻工艺暴露的第一导电类型半导体层上。 第二电极（144）布置在导电层上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.037 seconds)
