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公开(公告)号：KR100864180B1
公开(公告)日：2008-10-17
申请号：KR1020060135849
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 신호를 출력하기 위한 셀렉트용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS) 및 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 전하를 축적하기 위한 캐패시터를 포함한다.
따라서, 본 발명에 다른 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀은 광전변환이 빠르고 광전 효율이 좋은 플로팅 게이트 및 바디 구조의 Photo-PMOS를 포함하는 구성으로 인하여 저조도의 환경에서도 용이하게 이미지를 획득할 수 있으며, 이와 더불어 고속의 동영상 촬영이 가능할 뿐 아니라, Photo-PMOS의 N-well 외부에 트랜치를 형성하여, 인접한 웰(well) 혹은 인접한 소자간의 절연을 실현할 수 있어 이미지 센서의 단위 픽셀의 피치 사이즈를 최소화하며, 이와 더불어 형성된 트랜치에 캐패시터를 형성함으로써 전하 축적 용량의 향상, 다이나믹 레인지를 넓힐 수 있다.
Photo-PMOS, 트랜치, 캐패시터, 이미지 센서Abstract translation: 本发明包括在形成于半导体衬底上的CMOS图像传感器的第一类型的杂质，莫尔斯光电转换到包括井掺杂（孔）与第二类型的掺杂剂，和光接收来产生电信号（MOS ），选择MOS（MOS），复位MOS（MOS），并从光电转换MOS（MOS），用于接收用于对输出信号施加复位信号到光电转换MOS（MOS）的光电转换 一个电容器，用于存储从接收到用于MOS（MOS）的电荷。
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公开(公告)号：KR1020080067929A
公开(公告)日：2008-07-22
申请号：KR1020070005434
申请日：2007-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N33/48
Abstract: A system is provided to predict and diagnose the metabolic syndrome more accurately by using information regarding metabolic function abnormality in a cell level as well as a clinical data of a patient and measure obesity level conveniently and accurately. A system for predicting and diagnosing metabolic syndrome comprises: a device for measuring metabolism abnormality of a cell(1) which measures variations of a cell level pH and oxygen concentration and temperature change of an object and outputs the abnormality of cell metabolism from the measured values; an input and storage device of clinical data of the object(2); and a prediction and diagnosis device(7) which generates a resulting value by diagnosing or predicting the metabolic syndrome of the object from the output values and the clinical data. The system further comprises a device for measuring obesity level(3) which measures the obesity level non-invasively.
Abstract translation: 通过使用关于细胞水平的代谢功能异常的信息以及患者的临床数据，并且方便且准确地测量肥胖水平，提供了更准确地预测和诊断代谢综合征的系统。 一种用于预测和诊断代谢综合征的系统包括：测量细胞代谢异常的装置（1），其测量细胞水平的pH值和氧浓度的变化以及对象的温度变化，并从测量值输出细胞代谢异常 ; 物体（2）的临床数据的输入和存储装置; 以及预测和诊断装置（7），其通过根据输出值和临床数据诊断或预测所述对象的代谢综合征来产生所得到的值。 该系统还包括用于测量非侵入性地测量肥胖水平的肥胖水平（3）的装置。
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公开(公告)号：KR1020080067916A
公开(公告)日：2008-07-22
申请号：KR1020070005413
申请日：2007-01-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N33/48
Abstract: An apparatus for measuring cellular metabolic information is provided to measure the cellular metabolic information existing in each of wells, measure temperature of cells easily, and measure the cellular metabolic information and well inside temperature in real time with maintaining precise resolution. An apparatus for measuring cellular metabolic information comprises: a micro-plate(110) where a plurality of wells(120) are arranged; a temperature measuring portion(160) including a plurality of temperature sensors, each of which is dipped inside the well for measuring temperature of a culture solution or cells; and a temperature data processing portion(170) which signal-processes the temperature measured by the temperature measuring portion to calculate the temperature of the culture solution or the cells. The apparatus further comprises a temperature sensor including a light source(100) for applying light to the micro-plate, a measuring plate(130) where a plurality of photodetectors(140) are placed corresponding to the plurality of the wells to detect the light passed through the wells and a photodetector data processing portion(150) which processes signals received from the plurality of photodetectors to generate and output the cellular metabolic information.
Abstract translation: 提供了一种用于测量细胞代谢信息的装置，用于测量每个孔中存在的细胞代谢信息，容易测量细胞的温度，并且在保持精确分辨率的情况下实时测量细胞代谢信息和良好的内部温度。 用于测量细胞代谢信息的装置包括：其中布置有多个孔（120）的微板（110）; 温度测量部分（160），其包括多个温度传感器，每个温度传感器浸入所述阱内以测量培养液或细胞的温度; 以及信号处理由温度测量部测量的温度以计算培养液或细胞的温度的温度数据处理部分（170）。 该装置还包括温度传感器，其包括用于向微板施加光的光源（100）;测量板（130），其中多个光电检测器（140）对应于多个阱放置以检测光 通过阱和光电检测器数据处理部分（150），其处理从多个光电检测器接收的信号以产生并输出细胞代谢信息。
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公开(公告)号：KR1020080061061A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135847
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3741 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: A CMOS image sensor and an image data processing method are provided to accomplish a high sensitivity at a low illumination by implementing active pixels, and implement video at a high speed. A photoelectric transformation MOS(220) includes a well doped with the second type impurity and generates an electrical signal upon receiving light. A reset MOS(210) applies a reset signal to the photoelectric transformation MOS. A source follower MOS(230) converts a photoelectric current received from the photoelectric transformation MOS into a voltage. A floating diffusion node is positioned between the reset MOS and the photoelectric transformation MOS and accumulates currents. The photoelectric transformation MOS includes a color filter at an upper portion thereof to implement a color image, and adjusts the thickness of a gate electrode to implement a color image.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器和图像数据处理方法，以通过实现有源像素在低照度下实现高灵敏度，并且以高速实现视频。 光电转换MOS（220）包括掺杂有第二类型杂质的阱，并在接收光时产生电信号。 复位MOS（210）向光电变换MOS施加复位信号。 源极跟随器MOS（230）将从光电转换MOS接收的光电流转换为电压。 浮置扩散节点位于复位MOS和光电转换MOS之间并累积电流。 光电转换MOS包括在其上部的滤色器以实现彩色图像，并且调节栅电极的厚度以实现彩色图像。
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公开(公告)号：KR1020080061052A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135822
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01J1/32
Abstract: A system and a method for calibrating a linear photodiode are provided to improve yield of products by making different optical current characteristics of optical sensors uniform through a program. A system for calibrating a linear photodiode includes a linear optical sensor(110), a memory(130), and a data processing unit(120). The linear optical sensor is made of a plurality of arrays to output a predetermined input light as an optical current value. The memory stores the optical current value, the optical current value corrected in sensitivity which is calculated by using a dark current value of the linear optical sensor, and the optical current value equalized in sensitivity. The data processing unit calculates the optical current value corrected in sensitivity and the optical current value equalized in sensitivity.
Abstract translation: 提供了用于校准线性光电二极管的系统和方法，以通过使程序中的光学传感器的不同的光电流特性均匀来提高产品的产量。 用于校准线性光电二极管的系统包括线性光学传感器（110），存储器（130）和数据处理单元（120）。 线性光学传感器由多个阵列制成，以输出预定的输入光作为光电流值。 存储器存储光电流值，通过使用线性光学传感器的暗电流值计算的灵敏度校正的光电流值和灵敏度均衡的光电流值。 数据处理单元计算灵敏度校正的光电流值和灵敏度均衡的光电流值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070096106A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020050129800
申请日：2005-12-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14614
Abstract: A photo-PMOS APS(active pixel sensor) image sensor is provided to embody an image of high sensitivity at low illumination by using a photoelectrically transformed photo-PMOS employing a photoelectric transformation method in an active unit pixel of an image sensor. One side of a photoelectric transformation MOS(200) is connected to a first power voltage, and the other side of the photoelectric transformation MOS is connected to a first node. The photoelectric transformation MOS receives light from the outside to transform the light into an electric signal. A reset transistor(202) is reset to initialize a floating diffusion region(204), positioned between a second power voltage and the first node and controlled by a reset signal. A transfer transistor(203) transfers an electrical signal received from photoelectrical transformation transistor to the floating diffusion region, electrically connected to the photoelectric transformation transistor. A source follower buffer converts the electrical signal into a voltage. A select transistor(205) is switched by a switching signal applied from the outside. The photoelectric transformation MOS can be photo-PMOS, and the reset transistor and the transfer transistor can be a PMOS.
Abstract translation: 提供了一种光PMOS-APS（有源像素传感器）图像传感器，其通过在图像传感器的有源单位像素中使用光电变换方法的光电转换光电PMOS来在低照度下实现高灵敏度的图像。 光电变换MOS（200）的一侧与第一电源电压连接，光电变换MOS的另一侧与第一节点连接。 光电变换MOS从外部接收光，将光变换为电信号。 复位晶体管（202）被复位以初始化位于第二电源电压和第一节点之间并由复位信号控制的浮动扩散区域（204）。 传输晶体管（203）将从光电转换晶体管接收的电信号传送到电连接到光电转换晶体管的浮动扩散区域。 源跟随器缓冲器将电信号转换成电压。 通过从外部施加的切换信号切换选择晶体管（205）。 光电转换MOS可以是光电PMOS，复位晶体管和转移晶体管可以是PMOS。
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公开(公告)号：KR100716801B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050105912
申请日：2005-11-07
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00
Abstract: 본 발명은 피하지방 두께 측정장치에 관한 것으로, 특히 광을 이용하여 피하지방의 두께를 측정하는 피하지방 두께 측정장치에 있어서, 대상 검수체에 근적외선을 조사하기 위한 적어도 하나 이상의 광원; 상기 광원으로부터 조사된 근적외선이 대상 검수체로 흡수된 뒤 반사되어 나오는 광을 감지하기 위한 적어도 하나 이상의 디텍터; 및 상기 디텍터에 의해 감지된 광의 세기로부터 대상 검수체의 피하지방 두께를 측정해내는 지방두께 측정부;를 포함하고, 상기 광원은 900㎚ 내지 1700㎚ 범위 내의 근적외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 피하지방 두께 측정장치이며, 이와 같이 종래와는 다른 파장대의 근적외선을 이용함으로써, 광의 피부 침투를 더욱 용이하게 하여 피하지방의 두께를 더욱 정확하고 간편하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
피하지방, 측정기, 근적외선-
公开(公告)号：KR100531240B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020030087319
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
IPC: H01L27/146
Abstract: 본 발명은 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 기판 상에 게이트 및 부유 바디(Floating Body)를 형성하고, 이격된 기판상의 포토 다이오드(Photo Diode)에서 빛에 의해 여기된 전자를 게이트에 축적시킴으로써, 채널의 완전 공핍을 유발시킬 뿐만 아니라, FET(Feld Effect transistor, 이하 FET)의 바디 포텐셜(Body Potential)을 광여기 캐리어에 선형적으로 증가시켜 결국, FET의 문턱 전압을 조절하여 광응답을 증대시키고, 하부 기판에 홀을 축적하여 LBT(Lateral Bipolar transistor, 이하 LBT)를 효과적으로 조절하여 채널의 홀의 흐름을 더욱 증가시킴으로써 광전변환 효율의 증가와 동시에 고감도, 고집적 이미지센서에 응용할 수 있는 고감도 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 고감도 이미지 센서 및 그 제조방법은 SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 실리콘 및 절연막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 P 형 기판에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하여 포토다이오드를 정의하는 단계; 상기 포토다이오드와 이격된 영역의 활성 실리콘 중앙 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 상기 활성 실리콘 및 게이트에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 게이트, N 형 소오스(Source) 및 N 형 드레인(Drain)을 형성하는 단계; 및 상기 포토다이오드의 N 형과 게이트를 연결하는 연결부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판을 이용함으로써 암 전류를 낮출 수 있고, 단위 소자의 크기를 줄 일수 있을 뿐만 아니라, 기생적인 부유 캐패시턴스를 줄일 수 있어 고속 동작이 가능하며 빛에 민감하게 반응할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020050054069A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030087357
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
IPC: H01L27/146
Abstract: 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 다결정 실리콘의 결정립 사이즈를 조절하여 결정립 내부에 캐리어를 트랩시켜 트랜지스터의 문턱전압을 변조하여 광전류를 얻어내는 방법을 이용하여, 적은 빛이 수광되더라도 고효율의 수광능력을 갖는 고감도 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 실리콘 기판의 상부에 실리콘 산화막과 실리콘 박막을 순차적으로 형성시킨 SOI 기판, 상기 SOI 기판의 상부에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상부에 형성된 게이트, 상기 게이트의 하부 양측에 제 2도전형으로 형성된 소오스와 드레인 및 상기 게이트 및 소오스를 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고감도 이미지 센서에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 고감도 이미지 센서는 일정한 사이즈의 다결정 실리콘에 빛을 조사하면 광여기된 전자-전공 쌍이 생성되며, 이때 소오스 전극에 일부를 연결하고 바이어스를 걸면 전자는 전극으로 흘러가고 정공은 다결정 실리콘의 각 결정립에 포획된다. 상기 포획된 정공은 각각의 결정립에서 포지티브 전하로써 존재하므로 다결정 실리콘 게이트 아래의 FET 채널의 문턱전압을 포획된 전하의 수만큼 낮추게 되어 신호전하를 유기시켜 광전변환 시킨다. 또한 다결정 실리콘의 결정립 사이즈를 조절하여 결정립 내부에 캐리어를 트랩시켜 광전류를 얻어내는 방법을 이용하여, 적은 빛이 수광되더라도 큰 광전변환 효율을 얻을 수 있다. 또한 SOI 구조의 기판을 사용하여 소자의 직접도를 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050054059A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020030087346
申请日：2003-12-03
Applicant: 전자부품연구원
Inventor： 김훈
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 단위 화소 내의 효율적인 광여기 전하 발생 및 전달 구조 형성에 관한 것으로, 광검출 트랜지스터에 나노 사이즈의 전자채널을 적어도 두 개 이상 형성하여 각 나노 채널 사이에 형성된 홀포켓(hole pocket)을 이용함으로써 신호 전달 트랜지스터의 효율적인 문턱전압 변조로 광전변환 효율을 높일 수 있는 단위 화소로 이루어진 고감도의 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서 및 그 제조방법은 Si 기판; 상기 Si 기판에 이온주입 공정으로 P형 도핑된 제 1 도전 영역; 상기 제 1 도전 영역의 표면층 양측에 소정의 간격으로 이격되어 고농도 n형 도핑된 소오스와 드레인 영역; 상기 소오스와 드레인 영역 사이의 채널영역; 상기 채널영역의 타측 양측면 표면층에 소정의 간격으로 이격되고 고농도 n형 도핑되어 형성된 제 2 도전 영역; 상기 채널영역에 형성된 제 2 도전 영역과 채널영역의 중심부 사이에 소정의 간격으로 이격되어 형성되는 적어도 두 개 이상의 나노 전자채널; 및 상기 채널영역 상부에 게이트 절연막을 개재하여 형성되는 고농도 n형 도핑된 게이트로 이루어진 단위 화소를 포함하는 고감도 이미지 센서로서, Si 기판에 포토마스크를 이용하여 나노 전자채널을 형성하는 제 1단계; 상기의 포토마스크를 제거하고 이온주입 공정으로 나노 전자채널을 포함하는 영역에 p형 도핑된 제 1 도전 영역을 형성하는 제 2단계; 상기 제 1 도전 영역 표면층에 소정 간격 이격되도록 고농도 n형의 제 2 도전 영역을 형성하는 제 3단계; 상기 나노 전자채널과 제 2 도전 영역을 모두 포함하도록 게이트 절연막 및 게이트를 형성하는 제 4단계; 이온 주입 공정으로 상기 게이트를 고농도 n형 영역으로 도핑하는 제 5단계; 상기 게이트 양측의 제 1 도전 영역 표면층에 고농도 n형의 소오스와 드레인 영역을 형성하는 제 5단계; 및 상기 소오스, 드레인과 게이트의 콘택을 형성하는 제 6단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서 및 그 제조방법은 이격되어 형성된 나노 사이즈의 전자채널 사이에 임의의 도핑과 바이어스에 의해 홀포켓이 형성되도록 하여 빛에 의해 여기된 정공이 축적되기 때문에 광검출 트랜지스터 채널의 전자의 흐름을 증폭시키는 역할을 하므로 적은 양의 빛이 조사되더라도 효율적인 광전변환 특성을 얻을 수 있다. 또한, 빛의 세기가 강해지는 영역에서는 상기 홀포켓의 측면 바이폴라 트랜지스터(Lateral Bipolar Transistor) 효과에 의해 큰 다이나믹 레인지(Dynamic Range)를 확보할 수 있고, 단위 화소의 최소화로 고화소 이미지 센서 어레이를 제조할 수 있다.
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