-
公开(公告)号：KR200370865Y1
公开(公告)日：2004-12-18
申请号：KR2020040027639
申请日：2004-09-24
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: C12Q1/6825 , B82Y5/00 , B82Y15/00
Abstract: 본 고안은 박막의 두께와 선택 에칭 기술을 이용하여 형성된 나노 패턴을 이용하여 소자가 전사되도록 하는 나노 바이오 측정 시스템에 관한 것이다.
본 고안의 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템은 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템에 있어서, 기판; 상기 기판상에 두 개 이상의 교대하는 이종 재질로 구성된 박막층 및 상기 박막층의 일단면에 일부 박막층이 돌출되어 형성된 패턴으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 고안의 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템은 박막의 두께와 선택 에칭 기술을 이용하여 정밀한 나노 패턴을 형성하여 바이오 물질을 원하는 폭과 간격을 가진 상태에서 소자에 전사할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR200367729Y1
公开(公告)日：2004-11-15
申请号：KR2020040024408
申请日：2004-08-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/80
Abstract: 본 고안은 pH 센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 마이크로 칩을 이용하여 극소량의 시료 용액의 광학적 특성으로 pH를 측정하는 pH 센서에 관한 것이다.
본 고안의 상기 목적은 시료 용액과 지시약 용액이 각각 주입되는 주입부; 상기 주입부와 연결되며 시료 용액과 지시약 용액이 접촉하며 층흐름으로 흘러가는 미세 통로; 및 상기 시료 용액과 지시약 용액이 배출되는 배출부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 칩을 이용한 pH 센서에 의해 달성된다.
따라서, 본 고안에 의한 마이크로 칩을 이용한 pH 센서는 마이크로 칩을 이용하여 극소량의 시료 용액만으로 pH를 측정하고 층흐름(laminar flow)을 이용하여 pH 측정 후 시료 용액을 회수할 수 있는 특징이 있다.-
公开(公告)号：KR100864179B1
公开(公告)日：2008-10-17
申请号：KR1020060135847
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 광전류를 전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워용 모스(MOS) 및 상기 리셋용 모스(MOS)와 상기 광전변환용 모스(MOS)의 사이에 위치하여 전류를 축적하기 위한 플로팅 디퓨전 노드를 포함하며, 해당 로우(row)에 선택적으로 전원을 공급하는 방식을 적용하여이미지 데이타를 처리한다.
따라서, 본 발명은 신호 검출을 제외하고는 오프(off)되어 있으므로 저전력으로 구동이 가능할 뿐만 아니라 종래의 암전류가 발생하는 현상을 방지할 수 있어 고감도의 이미지 센서의 구현이 가능하며, 광전변환방식을 적용한 PMOS를 사용하여 이미지 센서의 능동 픽셀을 구현함으로써, 미세한 빛이 존재하는 저조도에서도 고감도를 실현할 수 있으며, 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하는 이점이 있다.
씨모스 이미지센서, PMOS, NMOS-
公开(公告)号：KR1020080061062A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135849
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3741 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: A CMOS image sensor and an image data processing method are provided to minimize a pitch of unit pixels of the image sensor by insulating adjacent wells or adjacent elements, and improve a charge capacitance by forming a capacitor in a trench. A photoelectric transformation photo-PMOS(210) includes a well doped with the second type impurity and generates an electrical signal upon receiving light. A select NMOS(230) outputs a signal which has been received from the photoelectric transformation photo-PMOS. A reset NMOS(220) applies a reset signal to the photoelectric transformation photo-PMOS. A capacitor(240) accumulates charges received from the photoelectric transformation photo-PMOS. The photoelectric transformation photo-PMOS includes a color filter at an upper portion thereof to implement a color image, and adjusts the thickness of a gate electrode to implement a color image.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器和图像数据处理方法，通过绝缘相邻的阱或相邻元件来最小化图像传感器的单位像素的间距，并且通过在沟槽中形成电容器来改善电荷电容。 光电转换光电PMOS（210）包括掺杂有第二类型杂质的阱，并在接收光时产生电信号。 选择NMOS（230）输出从光电转换光PMOS接收的信号。 复位NMOS（220）向光电转换光PMOS施加复位信号。 电容器（240）累积从光电转换光PMOS接收的电荷。 光电转换光电PMOS在其上部包括滤色器以实现彩色图像，并且调节栅电极的厚度以实现彩色图像。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100864180B1
公开(公告)日：2008-10-17
申请号：KR1020060135849
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 신호를 출력하기 위한 셀렉트용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS) 및 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 전하를 축적하기 위한 캐패시터를 포함한다.
따라서, 본 발명에 다른 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀은 광전변환이 빠르고 광전 효율이 좋은 플로팅 게이트 및 바디 구조의 Photo-PMOS를 포함하는 구성으로 인하여 저조도의 환경에서도 용이하게 이미지를 획득할 수 있으며, 이와 더불어 고속의 동영상 촬영이 가능할 뿐 아니라, Photo-PMOS의 N-well 외부에 트랜치를 형성하여, 인접한 웰(well) 혹은 인접한 소자간의 절연을 실현할 수 있어 이미지 센서의 단위 픽셀의 피치 사이즈를 최소화하며, 이와 더불어 형성된 트랜치에 캐패시터를 형성함으로써 전하 축적 용량의 향상, 다이나믹 레인지를 넓힐 수 있다.
Photo-PMOS, 트랜치, 캐패시터, 이미지 센서Abstract translation: 本发明包括在形成于半导体衬底上的CMOS图像传感器的第一类型的杂质，莫尔斯光电转换到包括井掺杂（孔）与第二类型的掺杂剂，和光接收来产生电信号（MOS ），选择MOS（MOS），复位MOS（MOS），并从光电转换MOS（MOS），用于接收用于对输出信号施加复位信号到光电转换MOS（MOS）的光电转换 一个电容器，用于存储从接收到用于MOS（MOS）的电荷。
-
公开(公告)号：KR1020080061061A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135847
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3741 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: A CMOS image sensor and an image data processing method are provided to accomplish a high sensitivity at a low illumination by implementing active pixels, and implement video at a high speed. A photoelectric transformation MOS(220) includes a well doped with the second type impurity and generates an electrical signal upon receiving light. A reset MOS(210) applies a reset signal to the photoelectric transformation MOS. A source follower MOS(230) converts a photoelectric current received from the photoelectric transformation MOS into a voltage. A floating diffusion node is positioned between the reset MOS and the photoelectric transformation MOS and accumulates currents. The photoelectric transformation MOS includes a color filter at an upper portion thereof to implement a color image, and adjusts the thickness of a gate electrode to implement a color image.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器和图像数据处理方法，以通过实现有源像素在低照度下实现高灵敏度，并且以高速实现视频。 光电转换MOS（220）包括掺杂有第二类型杂质的阱，并在接收光时产生电信号。 复位MOS（210）向光电变换MOS施加复位信号。 源极跟随器MOS（230）将从光电转换MOS接收的光电流转换为电压。 浮置扩散节点位于复位MOS和光电转换MOS之间并累积电流。 光电转换MOS包括在其上部的滤色器以实现彩色图像，并且调节栅电极的厚度以实现彩色图像。
-
公开(公告)号：KR1020070096106A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020050129800
申请日：2005-12-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14614
Abstract: A photo-PMOS APS(active pixel sensor) image sensor is provided to embody an image of high sensitivity at low illumination by using a photoelectrically transformed photo-PMOS employing a photoelectric transformation method in an active unit pixel of an image sensor. One side of a photoelectric transformation MOS(200) is connected to a first power voltage, and the other side of the photoelectric transformation MOS is connected to a first node. The photoelectric transformation MOS receives light from the outside to transform the light into an electric signal. A reset transistor(202) is reset to initialize a floating diffusion region(204), positioned between a second power voltage and the first node and controlled by a reset signal. A transfer transistor(203) transfers an electrical signal received from photoelectrical transformation transistor to the floating diffusion region, electrically connected to the photoelectric transformation transistor. A source follower buffer converts the electrical signal into a voltage. A select transistor(205) is switched by a switching signal applied from the outside. The photoelectric transformation MOS can be photo-PMOS, and the reset transistor and the transfer transistor can be a PMOS.
Abstract translation: 提供了一种光PMOS-APS（有源像素传感器）图像传感器，其通过在图像传感器的有源单位像素中使用光电变换方法的光电转换光电PMOS来在低照度下实现高灵敏度的图像。 光电变换MOS（200）的一侧与第一电源电压连接，光电变换MOS的另一侧与第一节点连接。 光电变换MOS从外部接收光，将光变换为电信号。 复位晶体管（202）被复位以初始化位于第二电源电压和第一节点之间并由复位信号控制的浮动扩散区域（204）。 传输晶体管（203）将从光电转换晶体管接收的电信号传送到电连接到光电转换晶体管的浮动扩散区域。 源跟随器缓冲器将电信号转换成电压。 通过从外部施加的切换信号切换选择晶体管（205）。 光电转换MOS可以是光电PMOS，复位晶体管和转移晶体管可以是PMOS。
-
公开(公告)号：KR1020080061060A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135846
申请日：2006-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14636
Abstract: A unit pixel of a CMOS(complementary metal oxide semiconductor) image sensor is provided to reduce the pitch size of a pixel itself by forming a unit pixel composed of only NMOS and PMOS. An NMOS(110) is formed on a semiconductor substrate doped with impurities of a first conductivity type to receive light and generate an electrical signal. A PMOS(120) outputs a signal received from the NMOS, including a well doped with impurities of a second conductivity type. The gate and the body of the NMOS can be floated. The NMOS can include a ground connection part formed of the same impurity type as the body so as to be connected to the ground.
Abstract translation: 提供CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器的单位像素，以通过形成仅由NMOS和PMOS构成的单位像素来减小像素本身的间距尺寸。 在掺杂有第一导电类型的杂质的半导体衬底上形成NMOS（110）以接收光并产生电信号。 PMOS（120）输出从NMOS接收的信号，包括掺杂有第二导电类型的杂质的阱。 NMOS的栅极和主体可以浮动。 NMOS可以包括与主体相同的杂质类型形成的接地连接部分，以便连接到地面。
-
公开(公告)号：KR1020070064186A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：KR1020050124834
申请日：2005-12-16
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14612 , H04N5/361 , H04N5/3741
Abstract: A CMOS image sensor is provided to obtain an amplified photo current and reduce the time of chare storage. A CMOS image sensor is formed on a first conductive type semiconductor substrate. The CMOS image sensor includes a PMOSFET(P channel MOS Field Effect Transistor) and an output portion. The PMOSFET(210) includes a second conductive type well. The PMOSFET is used for receiving light and transforming the light into an electrical signal. The output portion is used for outputting the electric signal transmitted from the PMOSFET. A gate of the PMOSFET is electrically connected with the second conductive type well.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器以获得放大的光电流并减少chare存储的时间。 CMOS图像传感器形成在第一导电型半导体衬底上。 CMOS图像传感器包括PMOSFET（P沟道MOS场效应晶体管）和输出部分。 PMOSFET（210）包括第二导电型阱。 PMOSFET用于接收光并将光转换成电信号。 输出部分用于输出从PMOSFET传输的电信号。 PMOSFET的栅极与第二导电型阱电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.02 seconds)
