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公开(公告)号：KR101328569B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120003026
申请日：2012-01-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/144
Abstract: 본 발명은 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광에너지를 측정하기 위해 쇼트키 다이오드 상에 유기염료 분자층이 증착되어 있는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 핫전자 기반의 나노다이오드 센서는 광반응을 쇼트키 다이오드를 이용하여 직접적으로 측정함으로써, 간단한 공정으로 나노다이오드 센서의 신뢰도와 민감도를 향상시킬 수 있고, 우수한 내구성으로 센서의 수명을 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR101237282B1
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020100131686
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명의 핫 전자 기반의 고효율 금속-반도체 나노다이오드 태양전지는 빛을 전기로 전환하는 활성 층과 생성된 전자를 수집하는 반도체 층 및 절연체 층, 제 1전극, 제 2전극으로 구성되어 있다. 제 1전극은 활성 층과 접해 있고, 제 2전극은 반도체 층과 접해 있다. 활성 층은 Au,Pt,Ag 등의 금속을 사용하며, 이 활성 층과 반도체 층의 접합은 광 에너지를 전기에너지로 전환시키는 쇼트키장벽을 만든다.
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公开(公告)号：KR1020120070220A
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020100131686
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A metal-semiconductor nano diode solar cell based on a hot electron is provided to improve efficiency by minimizing loss of light entering through a simple process on an active layer. CONSTITUTION: Provided is the metal-semiconductor nano diode solar cell based on a hot electron. The hot electron is detected over a shorttkey energy barrier after being generated on the surface of a metal thin film. The metal is selected from a group consisting of Pt(Platinum), Au(Aurum), and Ag(Argentums). A semiconductor is selected from a group consisting of TiO2(Titanium Dioxide), CeO2(Cerium Oxide), ZnO(Zinc Oxide), Si(Silicon), Ge(Germanium), SiC(Silicon Carbide), CdSe(Cadmium Selenide), GaP(Gallium Phosphate), and GaN(Gallium Nitride).
Abstract translation: 目的：提供一种基于热电子的金属 - 半导体纳米二极管太阳能电池，通过最小化通过活性层上的简单工艺进入的光的损失来提高效率。 构成：提供了基于热电子的金属 - 半导体纳米二极管太阳能电池。 在金属薄膜的表面上产生热电子之后，通过短键能量势垒检测热电子。 金属选自Pt（铂），Au（Aurum）和Ag（Argentums）。 半导体选自TiO 2（二氧化钛），CeO 2（氧化铈），ZnO（氧化锌），Si（硅），Ge（锗），SiC（碳化硅），CdSe（硒化镉），GaP （磷酸镓）和GaN（氮化镓）。
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