성능이 향상된 기판을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법
    32.
    发明公开
    성능이 향상된 기판을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법 有权
    具有增强基板的太阳能电池及其制造方法。

    公开(公告)号:KR1020150012450A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:KR1020130087979

    申请日:2013-07-25

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/04 H01L31/0236 H01L31/18

    Abstract: 태양전지의 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 균일하게 소정의 입자를 소정의 시간 동안 분사 압력과 분사 각도를 조절하여 요철 구조를 형성하는 샌드 블래스트(sand blast) 처리 단계, 상기 요철 구조가 형성된 기판을 세척하는 단계, 상기 기판의 요철 구조에 의해 후면전극층의 표면에 요철 구조가 형성될 수 있는 소정의 두께로 후면전극층을 증착하는 단계, 상기 후면전극층 상에 광흡수층을 증착하고, 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 증착하는 단계, 상기 버퍼층 상에 투명전도층을 증착하는 단계, 상기 투명전도층 상에 반사방지막을 전면전극층이 형성되는 영역을 제외한 부분에 증착하는 단계, 상기 투명전도층 상에 상기 반사방지막이 형성되지 않은 부분에 전면전극층을 증착하는 단계를 포함하는 태양전지 제조 방법을 이용한다.
    본원 발명에서는 태양전지의 기판에 샌드 블래스트(sand blast) 처리를 통하여 요철 구조를 형성하고, 상기 기판 상부에 형성되는 후면전극에도 요철 구조가 형성되는 효과를 두어 광흡수층에서 흡수되는 태양광의 비율을 높일 수 있게 된다.
    또한, 기판에 형성된 요철 구조로 인하여 상기 기판의 고온에서의 변형을 방지할 수 있어 태양전지의 안정성을 확보할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:制造太阳能电池基板的工序; 通过调节喷射压力和喷射角度,进行喷砂以形成具有预定颗粒的不规则结构均匀地涂覆在基板上; 清洁具有不规则结构的基板; 沉积具有预定厚度的后电极层,使得通过衬底的不规则结构在后电极的表面上形成规则结构; 在后电极层上沉积光吸收层并在光吸收层上沉积缓冲层; 在缓冲层上沉积透明导电层; 在除了形成前电极层的区域之外的部分,在透明导电层上沉积抗反射层; 以及在未形成抗反射层的透明导电层的一部分中沉积前电极层。 在本发明中,由于通过喷砂在太阳能电池的基板上形成不规则结构,并且在形成于基板的上方的背面电极上也形成不规则结构,所以可以将由光吸收层吸收的太阳光的速率 增加。 此外,由于在基板上形成的不规则结构,可以防止基板在高温下变形,从而确保太阳能电池的稳定性。

    전반사막을 갖는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법
    36.
    发明授权
    전반사막을 갖는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
    反射层反覆接触和使用其的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101448030B1

    公开(公告)日:2014-10-10

    申请号:KR1020130068930

    申请日:2013-06-17

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/052 H01L31/0224 H01L31/18

    Abstract: The present invention relates to a solar cell having a rear electrode in which a reflection film is formed and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a technique capable of improving a photoelectric conversion rate by forming a reflection film on a rear electrode for a thin film solar cell having a CIGS (Cu(InGa)Se_2) light absorbing layer. The method for manufacturing a rear electrode in a solar cell, according to the present invention, comprises the steps of: (s1000) forming a rear electrode layer (200) on a substrate (100); and (s2000) forming a transparent electrode reflection film (210) on the rear electrode layer (200).

    Abstract translation: 本发明涉及具有形成反射膜的背面电极的太阳能电池及其制造方法。 更具体地说,本发明涉及通过在具有CIGS(Cu(InGa)Se_2)光吸收层的薄膜太阳能电池的背面电极上形成反射膜来提高光电转换率的技术。 根据本发明的太阳能电池中的后电极的制造方法包括以下步骤:(s1000)在基板(100)上形成后电极层(200); 和在所述背面电极层(200)上形成透明电极反射膜(s2000)。

    소스 오염 방지 구조를 갖는 진공증발원 및 이를 포함하는 증착 장비
    37.
    发明授权
    소스 오염 방지 구조를 갖는 진공증발원 및 이를 포함하는 증착 장비 有权
    具有源污染的消毒池预防结构和蒸发装置

    公开(公告)号:KR101405067B1

    公开(公告)日:2014-06-10

    申请号:KR1020130018068

    申请日:2013-02-20

    Abstract: Disclosed are an effusion cell with a source contamination preventing structure and an evaporation equipment having the same. The effusion cell with a source contamination preventing structure, according to the present invention, comprises a body having an external container providing an inner cylindrical space, a crucible placed in the inner space of the external container, and a heater disposed between the external container and the crucible to heat the crucible; a first shutter having a first shutter plate disposed at an upper portion of an outlet of the body and closing the outlet at a given interval, and a first side cover extending from a portion of a circumference of the first shutter plate to the outlet of the body to close a portion of the circumference of the upper portion of the outlet; and a second shutter having a second shutter plate disposed at an upper portion of the first shutter and closing the shutter plate at a given interval, and a second side cover extending from a portion of a circumference of the second shutter plate to the outlet of the body to close a portion of the circumference of the upper portion of the outlet.

    Abstract translation: 公开了一种具有源污染防止结构的渗流池和具有该防渗结构的蒸发设备。 根据本发明的具有源污染防止结构的积液单元包括具有提供内圆柱形空间的外部容器的主体,放置在外部容器的内部空间中的坩埚和设置在外部容器和 坩埚加热坩埚; 第一挡板,其具有设置在所述主体的出口的上部并以给定间隔闭合所述出口的第一挡板,以及从所述第一挡板的圆周的一部分延伸到所述第一挡板的出口的第一侧盖 从而封闭出口上部的圆周的一部分; 以及第二挡板,其具有设置在所述第一挡板的上部并以给定间隔闭合所述挡板的第二挡板,以及从所述第二挡板的圆周的一部分延伸到所述挡板的出口的第二侧盖 从而封闭出口上部的圆周的一部分。

    후면 버퍼층을 갖는 플렉서블 태양전지
    38.
    发明授权
    후면 버퍼층을 갖는 플렉서블 태양전지 有权
    具有背面缓冲层的柔性太阳能电池。

    公开(公告)号:KR101394181B1

    公开(公告)日:2014-05-15

    申请号:KR1020130044050

    申请日:2013-04-22

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04 H01L31/0224 H01L31/06 H01L31/18

    Abstract: The present invention relates to a flexible solar cell having a flexible substrate, which can improve photoelectric conversion efficiency because the sunlight reaches a light absorbing layer without any loss and without passing through a buffer layer, a front electrode, and a grid electrode by having a backside buffer layer and which enables an electron-hole generated by the light absorbing layer to shorten a moving distance to the electrode or the buffer layer by preparing the buffer layer and a first electrode to be engaged with each other in a sawtooth form.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有柔性基板的柔性太阳能电池,其由于太阳光到达光吸收层而没有任何损耗并且不通过缓冲层,前电极和栅格电极可以提高光电转换效率,具有 并且通过制备缓冲层和以锯齿形形式彼此接合的第一电极,能够使由光吸收层产生的电子空穴缩短到电极或缓冲层的移动距离。

    Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지 및 그 제조방법
    39.
    发明公开
    Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지 및 그 제조방법 有权
    具有改进的钠掺合法的柔性电容太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140021971A

    公开(公告)日:2014-02-21

    申请号:KR1020130094089

    申请日:2013-08-08

    Abstract: The present invention relates to a flexible substrate CIGS solar cell in which a Na supply method is improved. The flexible substrate CIGS solar cell is made of; a substrate of a flexible material; a back side electrode formed on the substrate; a CIGS light absorption layer formed on the back side electrode; a buffer layer formed on the CIGS light absorption layer, and a front side electrode formed on the buffer layer. The back side electrode is a Na added Mo electrode layer which is made of a single layer. The present invention applies the Na added Mo electrode layer which shows low specific resistance of 1/10 than an existing Na added Mo electrode layer and provides a flexible substrate CIGS solar cell of high efficiency which forms a back side electrode into a signal layer. Also, a process which forms a back side electrode is formed of a process which forms the Na added Mo electrode layer of the single layer only. Therefore, a manufacturing process and manufacturing costs of the flexible substrate CIGS solar cell are reduced. Furthermore, the present invention comprises a process of eliminating a Na compound formed on the surface while a Na added metal layer is exposed to air and solves a problem in which a light absorption layer is separated or the conversion efficiency of a solar cell is reduced.

    Abstract translation: 本发明涉及一种其中提供Na供应方法的柔性基板CIGS太阳能电池。 柔性基板CIGS太阳能电池由...制成; 柔性材料的基材; 形成在所述基板上的背面电极; 形成在背面电极上的CIGS光吸收层; 形成在CIGS光吸收层上的缓冲层和形成在缓冲层上的前侧电极。 背面电极是由单层制成的Na添加的Mo电极层。 本发明应用与现有的Na添加的Mo电极层相比低电阻率为1/10的Na添加Mo电极层,并且提供高效率的柔性衬底CIGS太阳能电池,其形成信号层中的背面电极。 此外,形成背面电极的工艺由仅形成单层的Na添加Mo电极层的工艺形成。 因此,柔性基板CIGS太阳能电池的制造工艺和制造成本降低。 此外,本发明包括在Na添加金属层暴露于空气中时除去形成在表面上的Na化合物的方法,并且解决了分离光吸收层或太阳能电池的转换效率降低的问题。

    저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막
    40.
    发明公开
    저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 有权
    基于CIGS的复合薄膜的制备方法使用具有低熔点的熔点和其制备的CI(G)S基化合物薄膜

    公开(公告)号:KR1020130089350A

    公开(公告)日:2013-08-12

    申请号:KR1020120010638

    申请日:2012-02-02

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S-based thin film for a solar cell by using flux with a low melting point and the CI(G)S-based thin film manufactured by the same are provided to reduce manufacturing costs by selenization at low temperatures. CONSTITUTION: CI(G)S-based nanoparticles are manufactured. The CI(G)S-based nanoparticles and slurry including flux with a melting point between 30 and 400 degrees centigrade are manufactured. A CI(G)S-based precursor thin film is formed by coating the slurry on a substrate without a vibration. The CI(G)S-based precursor thin film is dried. The CI(G)S-based precursor thin film is selenized by using selenium steam. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Manufacture CI(G)S nanoparticles; (CC) Manufacture slurry; (DD) Non-vibration coating; (EE) Dry; (FF) Selenization and thermal process; (GG) Step a; (HH) Step b; (II) Step c; (JJ) Step d; (KK) Step e; (LL) End

    Abstract translation: 目的:通过使用低熔点的助熔剂和其制造的CI(G)S系薄膜,制造用于太阳能电池的CI(G)S系薄膜的方法,以降低制造成本 低温硒化。 构成:制造CI(G)S基纳米粒子。 制造了CI(G)S型纳米粒子和包含熔点在30-400摄氏度之间的焊剂的浆料。 通过在没有振动的情况下将浆料涂布在基板上形成CI(G)S基前体薄膜。 将CI(G)S基前体薄膜干燥。 通过使用硒蒸汽对CI(G)S基前体薄膜进行硒化。 (附图标记)(AA)开始; (BB)制造CI(G)S纳米颗粒; (CC)制造浆料; (DD)无振动涂层; (EE)干燥; (FF)硒化和热处理; (GG)步骤a; (HH)步骤b; (二)步骤c; (JJ)步骤d; (KK)步骤e; (LL)结束

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