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公开(公告)号：KR101186687B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020080127263
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/2587 , H04J14/02 , H04J14/0227 , H04J2014/0253
Abstract: A spectrum-sliced seed light module for a wavelength division multiplexing passive optical network (WDM PON) is provided. The seed light module includes an optical amplifier to amplify seed light, an optical wavelength filter to transmit broadband light, which is output in opposite direction to an output direction of the seed light, at periodic frequency intervals, and a reflective mirror to reflect light which is spectrum-sliced through the optical wavelength filter to the optical wavelength filter.
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公开(公告)号：KR100809436B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020070001140
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/291 , H04B10/25 , H04B10/00
CPC classification number: H01S5/50 , H01S5/06812 , H04J14/02 , H04J14/0282
Abstract: 본 발명은 입력되는 하향광신호의 형태에 따라 반도체 광 증폭기에 적절한 동적 전류를 주입함으로써 하향 광신호를 상향광신호로 효과적으로 재활용하게 해주는 전기적 구동장치 및 파장재활용에 적합한 반도체 광증폭기 구조에 관한 것으로, 입력 광신호를 반사하는 반사면 및 상기 반사면의 일측면에 위치하고 상기 입력 광신호의 극성과 반전된 신호가 주입되는 후면부와 상기 후면부의 타측면에 위치하고 상기 입력 광신호를 상기 후면부로 통과시키고 상기 반사면으로부터 반사된 입력 광신호를 출력 광신호로 변조하는 신호가 주입되는 전면부로 구성된 증폭형 반도체로 구성되어 있으며 반사형 반도체 광 증폭기(RSOA : Reflective Semiconductor Optical Amplifier)의 입력 광신호 압축(Amplitude Squeezing)효과를 이용한 하향 광신호 재활용 방식을 기반으로 한 파장다중 수동형 광네트워크(WDM-POM : Wavelength Division Multiplexing-passive optical network)에서 현실적으로 입력 광신호를 충분히 압축하여 광신호의 소광비를 축소한다.
선궤환 동적 전류주입, 반도체 광 증폭기, 광파장 재활용, 파장분할 수동형 광가입자망-
公开(公告)号：KR100785775B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060049022
申请日：2006-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00 , H04L12/28 , G02B6/12 , H04B10/291
Abstract: 본 발명은 광링크에 의한 광손실을 보상해줄 수 있는 RSOA, RSOA가 실장되되 편광의존성 특성이 향상된 RSOA 모듈 및 RSOA를 이용하여 경제성 및 대역폭의 활용도를 향상시킬 수 있는 PON을 제공한다. 그 PON은 하향 신호 전송을 위한 광원(optic source)들 및 상향 신호 수신을 위한 제1 수신기(receiver)들을 포함하는 중앙 기지국(Central Office:CO); 하향 신호를 수신하는 제2 수신기 및 하향 신호를 받아 상향 신호로 재변조하여 전송하는 루프-백(loop-back) 방식의 반사형 반도체 광증폭기(Reflective Semiconductor Optical Amplifier:RSOA)를 각각 포함한 적어도 1개의 가입자단(Optical Network Terminal:ONT); 및 중앙 기지국 및 가입자단 사이를 중계하는 옥외 노드(Remote Node:RN);를 구비하고, 옥외 노드와 각각의 가입자단 사이의 상향 신호 및 하향 신호의 입출력이 하나의 광섬유를 통해 이루어지며, 옥외 노드가 가입자단으로 향하는 각 포트에 광파워 분배기(splitter)를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100785796B1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020060096411
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전자빔 방법 및 레이저 빔 간섭 방법의 문제점을 개선할 수 있고, 위상 마스크를 이용하면서도 평판형 광도파로에 브라그 격자를 형성할 수 있는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치 및 그 장치를 이용한 브라그 격자 형성방법을 제공한다. 그 브라그 격자 형성장치는 브라그 격자를 형성하기 위해 이용되는 위상 마스크; 위상 마스크로 입사 및 출사되는 자외선(ultraviolet) 빔을 조절하여 자외선 빔에 의한 노광을 제어하는 노광 제어장치; 및 브라그 격자가 형성될 평판형 광도파로 구조를 가진 샘플의 정렬 및 상기 노광 제어장치의 위치를 자동으로 조절하는 자동 위치조절장치;를 포함한다.
격자, 평판형 광도파로, 브라그 격자, 위상 마스크-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070061119A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060049022
申请日：2006-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00 , H04L12/28 , G02B6/12 , H04B10/291
Abstract: An RSOA(Reflective Semiconductor Optical Amplifier), an RSOA module and a PON(Passive Optical Network) using the RSOA are provided to operate the RSOA in a gain saturation area even at low input optical power by dividing an active area into a simple non-saturated amplification area and a saturated amplification area. An RSOA(100) is composed of an active region(110) for executing amplification; a p-type electrode(130) for applying the current to the active region; and an anti-reflective coating facet(144) for inputting/outputting a signal and a high-reflective coating facet(142) for reflecting the signal, which are formed at both ends. The p-type electrode is separated into two areas(132,134) while maintaining a predetermined gap. The active region has a multiple quantum well or bulk structure.
Abstract translation: 提供了使用RSOA的RSOA（反射半导体光放大器），RSOA模块和PON（无源光网络），即使在低输入光功率下，通过将有源区域划分为简单的非易失性存储器来操作增益饱和区域中的RSOA， 饱和放大区域和饱和放大区域。 RSOA（100）由用于执行放大的有源区（110）组成; 用于将电流施加到有源区的p型电极（130）; 以及用于输入/输出信号的抗反射涂层面（144）和用于反射形成在两端的信号的高反射涂层面（142）。 p型电极被分成两个区域（132,134），同时保持预定的间隙。 有源区具有多重量子阱或体结构。
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公开(公告)号：KR100637929B1
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020040089059
申请日：2004-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/4232 , G02B6/4207 , G02B2006/12121 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/0226 , H01S5/1014 , H01S5/227 , H01S2301/176
Abstract: 본 발명은 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩 방식을 이용하여 반도체 레이저가 실장된 구조를 갖는 하이브리드형 광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 광생성영역(active region)을 포함하고 적어도 하나의 측면을 광출사면으로 하는 제1 구조물 및 상기 제1 구조물 하부에 형성되며 상기 제1 구조물의 광출사면 및/또는 그 반대면 측으로 노출된 상면을 갖는 제2 구조물을 포함하는 반도체 레이저; 및 기판과, 상기 기판 상의 일부영역을 노출시키도록 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부클래드층, 코어층 및 상부클래드층과, 상기 기판 상의 노출된 영역에 형성된 금속 패턴을 포함하는 평판형 도파로 플랫폼을 포함하여, 상기 제2 구조물의 노출된 상면이 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상부클래드층 상면에 접하도록 상기 반도체 레이저가 상기 금속패턴에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 광소자를 제공한다.
하이브리드형 광소자, 반도체 레이저, 평면 매립형 이종접합, 광모드 크기 변환기, 평판형 도파로 플랫폼, 플립칩 본딩Abstract translation: 混合光学装置技术领域本发明涉及一种混合光学装置，其具有使用倒装芯片接合方法将半导体激光器安装在扁平波导平台上的结构。 本发明中，光产生区（活性区），以包括，并且在所述第一结构和所述第一结构底部至光出射面的至少一侧和/或第一结构的相对表面的光出射表面上形成 具有暴露于第一结构的侧面的上表面的第二结构; 和板状波导的平台，其包括在基板上形成在基板上的金属图案，其被顺序地堆叠在衬底上，以露出下包层的一些区域，在衬底上的芯层和上包层，所述暴露区域 其中半导体激光器倒装接合到金属图案，使得第二结构的暴露的上表面接触平面波导平台的上覆层的上表面。
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公开(公告)号：KR100637928B1
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020040081831
申请日：2004-10-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/138 , G02B6/12007 , G02B2006/12107 , G02F1/0147 , G02F2201/06 , G02F2201/16 , G02F2201/18 , G02F2201/307 , G02F2203/055 , G02F2203/585
Abstract: 본 발명은 C 밴드의 넓은 파장 영역에서 파장가변이 가능하면서, 저가로 구현 가능하여 ONT에 적용가능한 파장가변 광송신모듈에 관한 것으로서, 서로 격자주기가 다른 브래그격자를 병렬 또는 직렬로 배치한 후, 상기 각 브래그격자 영역의 온도를 조절함으로서 광신호의 파장을 넓은 파장 범위에서 낮은 온도 변화를 통해 을 가변시킬 수 있다.
WDM-PON, 광망종단장치(ONT), FTTH, 파장가변 광송신모듈, 도파로, 브래그격자, 열광학 효과,-
公开(公告)号：KR1020060055606A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040094490
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B5/26 , H01S3/106 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02284 , H01S5/06804 , H01S5/1014 , H01S5/141
Abstract: 본 발명은 평판형 도파로 플랫폼에 플립칩 본딩 방식을 이용하여 반도체 레이저 다이오드가 실장된 하이브리드 구조를 갖는 외부공진 레이저에 관한 것이다. 본 발명은, 광을 생성하는 능동영역(active region)을 포함하고, 상기 능동영역에서 생성된 광을 방출하는 적어도 하나의 광출사면을 갖는 반도체 레이저 다이오드; 기판과, 상기 기판 상의 소정 영역에 형성된 금속패턴과, 상기 금속패턴이 형성된 영역을 제외한 영역에 순차적으로 형성된 하부클래드층, 코어 및 상부클래드층을 포함하는 도파로 구조물과, 상기 도파로 구조물의 소정 영역에 상기 코어가 노출된 대향하는 측면을 갖도록 형성된 트랜치부를 갖는 평판형 도파로 플랫폼; 및 상기 트랜치부에 배치된 다중 박막 반사 필터를 포함하며, 상기 광출사면과 상기 평판형 도파로 플랫폼의 일측면이 서로 대면하도록 상기 반도체 레이저 다이오드가 상기 금속패턴에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저를 제공한다.
온도 무의존, 외부 공진, 레이저 다이오드, 평판형 플랫폼, 다중 박막(TFML) 반사 필터-
公开(公告)号：KR1020060032842A
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：KR1020040081831
申请日：2004-10-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/138 , G02B6/12007 , G02B2006/12107 , G02F1/0147 , G02F2201/06 , G02F2201/16 , G02F2201/18 , G02F2201/307 , G02F2203/055 , G02F2203/585 , G02B2006/12145
Abstract: Disclosed herein is a tunable wavelength optical transmission module, the wavelength of which can be tuned over the wide wavelength region of a C band and which can be implemented at a low price and, thus, can be applied to an optical network terminal. Bragg gratings having different grating periods are arranged in parallel or series and the temperatures of Bragg grating regions are then controlled, so that the wavelength of an optical signal can be tuned over a wide wavelength range through the small variation in temperature.
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