公开(公告)号：KR1019990050539A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970069671

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 한선규 ,  이혁재 ,  이명현 ,  안주헌 ,  이형종 ,  강석열

IPC: H04L12/52

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 공간 병렬형 광 페이지의 시간 분할 교환 장치 및 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 화상 정보를 비트 단위로 처리하지 않고 그대로 전송 및 교환하여, 대용량의 광신호 처리를 저속의 제어 시스템으로도 가능토록 하고, 대용량의 광 정보를 기존의 전자 교환 장치로 용이하게 처리토록 하는 공간 병렬형 광 페이지의 시간 분할 교환 장치 및 방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 화상 신호를 시간축 상에 일직선으로 늘어 놓는 형태로 시간 다중화를 하는 시간 다중화 수단과, 다중화된 신호를 전송받아 교환하고자 하는 채널간에 각 시간 슬럿을 바꿔 치기하는 시간 슬럿 교환 수단, 및 시간 슬럿 교환 수단으로부터 위치가 바꾸어진 화상 신호를 전송받아 채널별 신호로 분리 시키는 시간 역다중화 수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 광 전송 및 교환 시스템에 이용됨.

公开(公告)号：KR1019990033424A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970054781

申请日：1997-10-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이명현 ,  한선규 ,  이형종 ,  안주헌 ,  원용협

IPC: C08G65/48 ,  C08G65/34

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 (1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)

公开(公告)号：KR100164102B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019980015718

申请日：1998-04-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김환규 ,  이형종 ,  이명현 ,  원용협

IPC: C08F220/34 ,  C08F220/04

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 열적으로 안정한 광소자용 유기 광전자 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있는 광소자용 유기 광전자 화합물 및 그 화합물을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 제조방법은 OH기가 아민기 말단에 붙착된 디알킬아미노 알킬설폰 스틸벤과 메타크릴로일크롤라이드를 반응시켜 단량체를 제조하고, 상기 단량체와 메틸메타아크릴레이트를 공중합시키는 것으로 이루어진다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 광 소자 등에 이용됨.

公开(公告)号：KR100169910B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019960020080

申请日：1996-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  이명현 ,  한선규 ,  원용협

IPC: C08G73/10 ,  G02F1/00

Abstract: 본 발명은 하기 일반식 (1)및 (2)로 표시되는 비선형 광학 폴리이미드, 그의제조방법 및 하기 일반식 (1)및 (2)로 표시되는 비선형 광학 폴리이미드를 코어층으로서 사용한 광도파로형 광소자에 관한 것이다.

상기 식에서,n은 유변기의 길이로서, 2내지 10의 자연수이고;X는 C(CF
3 )
2 , C(CH
3 )
2 , Si(CH
3 )
2 , CO, SO
2 , O및 S이고;D는 전자주게기로, O, NH및 알킬아민(NR
1 , 이때 R
1 은 C
1 내지 Ca의 알킬기)이고;B는 연결기로 아무것도 없거나, CH=CH, N=N, C=C이고;A는 전자받게기로, N0
2 , 트리시아노에틸렌, CN, SO
2 R
2 (이때,R
2 는 C
1 내지 C
6 의 알킬기)이고; 및, Y는 C(CF
3 )
2 , C(CH
3 )
2 , Si(CH
3 )
2 , CO, SO
2 , O및 S이다.

公开(公告)号：KR100152243B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940010423

申请日：1994-05-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김환규 ,  이형종 ,  이명현 ,  원용협

IPC: C07C245/06

Abstract: 본 발명은 열적으로 안정한 전기광학적 성질을 가지며, 광전송 손실이 아주 낮은 하기 일반식(Ⅰ)로 표현되는 비선형 광전자 화합물을 폴리아믹 애시드에 분산시켜 얻은 물질을 이용한 호스트-게스트(host-guest)계의 광소자 제조방법에 관한 것으로, 고분자 매질과의 상용성이 우수하고 전기광학적 성질이 아주 우수하며 250℃ 이상의 온도에서도 열적 분해가 일어나지 않을 뿐만 아니라 승화되지 않고, 광전송 손실이 아주 낮은 비선형 광전자 화합물을 제조할 수 있다.

상기식에서, R
1 및 R
2 는 각각 C
2 ∼C
20 의 알킬기, 알켄기, 알킨기, 치환 또는 비치환의 페닐 또는 나프탈렌기이다.

公开(公告)号：KR1019980002108A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960020080

申请日：1996-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  이명현 ,  한선규 ,  원용협

IPC: C08G73/10 ,  G02F1/00

公开(公告)号：KR1019970054566A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950053176

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김혜영 ,  한선규 ,  이명현 ,  이형종 ,  원용협

IPC: H01L31/02

Abstract: 본 발명은 전기적 광학소자가 형성되는 기판(1); 상기 기판(1) 상에 형성되는 하부 금속층(2); 상기 하부 금속층(2) 상에 광도파로가 형성된 폴리머 다층 박막(3); 상기 폴리머 다층 박막(3) 상의 패드영역에 형성되는 유전상수가 큰 패드용 폴리머층(4); 상기 폴리머 다층 박막(3) 상에 형성되되 광도파로 영역을 따라 형성된 좁은 마이크로스트립 라인과, 상기 좁은 마이크로스트립 라인과 연결되는 상기 패드용 폴리머층(4) 상에서 형성된 넓은 마이크로스트립 라인을 갖는 상부 금속층(5)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기광학소자의 전극패드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019950032076A

公开(公告)日：1995-12-20

申请号：KR1019940010421

申请日：1994-05-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김환규 ,  이형종 ,  이명현 ,  원용협

IPC: C07C211/52 ,  G02F2/00

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물, 상기 화합물을 유기 광전자 화합물로 사용하고 폴리이미드를 고분자 매질로 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 전기 광학적 성질이 아주 우수하고 250℃ 이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 비선형 광전자 화합물을 얻을 수 있었고, 광전송 손실이 아주 낯은 광소자를 재조합 수 있다.

상기식에서, R
1 및 R
2 는 각각C
2 ~C
20 의 알킬기, 알켄기, 알킨기, 치환 또는 비치환의 페닐 또는 나프탈렌기이다.

公开(公告)号：KR100652900B1

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020040078012

申请日：2004-09-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정익 ,  김미경 ,  추혜용 ,  황도훈 ,  황치선 ,  박상희 ,  양용석 ,  김덕일 ,  김숙경 ,  이형종 ,  오지영

IPC: C09K11/06

Abstract: 본 발명은 전기 발광 고분자 합성용 경화성 관능기를 갖는 단량체를 저가격의 간단한 합성법으로 제조하는 방법, 이로부터 얻은 단량체, 이 단량체로부터 얻은 전기 발광 고분자, 이를 포함한 전기 발광 소자 및 이를 이용한 자체 발광 디스플레이를 개시하며, 본 발명에 따른 경화성 관능기를 갖는 단량체는 하기와 같은 구조를 갖는다:

상기 식에서, X는 할로겐, 붕산 또는 붕산 에스테르이고, R
1 및 R
2 는 서로 같거나 다르고, 각각 선형 또는 분지형의 C
2 -C
22 알킬기 또는 C
2 -C
22 알킬기로 치환된 아릴기이며, R
1 및 R
2 는 서로 결합하여 연결될 수 있도록 -O, 또는 -S와 같은 헤테로원자, 이중결합, 또는 삼중결합을 포함한다.
전기 발광 고분자, 플루오렌, 경화성

公开(公告)号：KR1020060029038A

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：KR1020040078012

申请日：2004-09-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정익 ,  김미경 ,  추혜용 ,  황도훈 ,  황치선 ,  박상희 ,  양용석 ,  김덕일 ,  김숙경 ,  이형종 ,  오지영

IPC: C09K11/06

Abstract: 본 발명은 전기 발광 고분자 합성용 경화성 관능기를 갖는 단량체를 저가격의 간단한 합성법으로 제조하는 방법, 이로부터 얻은 단량체, 이 단량체로부터 얻은 전기 발광 고분자, 이를 포함한 전기 발광 소자 및 이를 이용한 자체 발광 디스플레이를 개시하며, 본 발명에 따른 경화성 관능기를 갖는 단량체는 하기와 같은 구조를 갖는다:

상기 식에서, X는 할로겐, 붕산 또는 붕산 에스테르이고, R
1 및 R
2 는 서로 같거나 다르고, 각각 선형 또는 분지형의 C
2 -C
22 알킬기 또는 C
2 -C
22 알킬기로 치환된 아릴기이며, R
1 및 R
2 는 서로 결합하여 연결될 수 있도록 -O, 또는 -S와 같은 헤테로원자, 이중결합, 또는 삼중결합을 포함한다.
전기 발광 고분자, 플루오렌, 경화성