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公开(公告)号：KR1020120025407A
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020110086469
申请日：2011-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1335 , G02B5/30
CPC classification number: G02F1/133528 , G02B5/3058 , G02F2001/133548
Abstract: PURPOSE: A liquid crystal display device is provided to replace an expensive transparent electrode with a metal pattern electrode. CONSTITUTION: A liquid crystal display device includes a thin film transistor substrate(100), a color filter substrate(200), and a liquid crystal layer. The color filter substrate faces the thin film transistor substrate. The liquid crystal layer is located between the thin film transistor substrate and the color filter substrate. Grid polarization patterns are formed on the thin film transistor substrate and the color filter substrate.
Abstract translation: 目的：提供液晶显示装置以用金属图案电极代替昂贵的透明电极。 构成：液晶显示装置包括薄膜晶体管基板（100），滤色器基板（200）和液晶层。 滤色器基板面向薄膜晶体管基板。 液晶层位于薄膜晶体管基板和滤色器基板之间。 栅极偏振图案形成在薄膜晶体管基板和滤色器基板上。
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公开(公告)号：KR101070408B1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020080132238
申请日：2008-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본발명은자기정렬전계효과트랜지스터구조체형성방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른자기정렬전계효과트랜지스터구조체형성방법은기판상에활성영역패턴을형성하는것, 기판상에개방된상부를갖는게이트절연패턴을형성하는것, 기판상에활성영역패턴에인접한제1 및제2 게이트전극들을형성하는것, 그리고기판상에활성영역패턴에연결되는소스및 드레인전극들을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及形成自对准场效应晶体管结构的方法。 根据本发明的一个实施例haneungeot在衬底上形成的有源区图案，毗邻haneungeot形成具有在权利要求的衬底的衬底开口的上，有源区域图案的栅绝缘图案自对准的场效应晶体管结构上形成 形成第一和第二栅电极，以及在衬底上形成连接到有源区图案的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：KR101064727B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020080116747
申请日：2008-11-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 제 1 감광층을 형성하는 것, 제 1 감광층에 임프린트 리소그라피 공정을 수행하여 돌출부를 포함하는 제 1 감광 패턴을 형성하는 것, 제 1 감광 패턴을 덮으며 돌출부를 노출하는 제 2 감광 패턴을 형성하는 것, 제 2 감광 패턴 상에 돌출부와 돌출부 주위의 제 2 감광층을 노출하는 제 1 개구부를 갖는 제 3 감광 패턴을 형성하는 것, 제 1 개구부에 의해 노출된 돌출부를 제거하여 기판을 노출하는 제 2 개구부를 형성하는 것 및 제 2 개구부를 채우는 다리부 및 다리부와 연결되며 제 1 개구부에 한정되는 머리부를 갖는 티형 게이트 전극을 형성하는 것을 포함한다.
감광층, 게이트 전극, 광형상 반전 공정-
公开(公告)号：KR101064726B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020080116744
申请日：2008-11-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 절연막 및 절연막 상에 제 1 감광 패턴을 형성하는 것, 절연막을 덮으며 제 1 감광 패턴의 일부를 노출하는 제 2 감광 패턴을 형성하는 것, 제 2 감광 패턴 상에 제 1 감광 패턴과 제 1 감광 패턴 주위의 제 2 감광층을 노출하는 제 1 개구부를 갖는 제 3 감광 패턴을 형성하는 것, 제 1 개구부에 의해 노출된 제 1 감광 패턴을 제거하여 절연막을 노출하는 제 2 개구부를 형성하는 것, 노출된 절연막을 제거하여 제 2 개구부로부터 연장하며 기판을 노출하는 제 3 개구부를 갖는 절연 패턴을 형성하는 것 및 제 2 및 제 3 개구부들을 채우는 다리부 및 다리부와 연결되며 제 1 개구부에 한정되는 머리부를 갖는 티형 게이트 전극을 형성하는 것을 포함한다.
감광층, 게이트 전극, 광형상 반전 공정Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。 该方法包括：在衬底上的绝缘膜和绝缘膜上形成第一光敏图案，形成覆盖绝缘膜并暴露第一光敏图案的一部分的第二光敏图案，在第二光敏图案上形成第一光敏图案 形成具有感光图案和第一开口的第三感光图案，所述第一开口在所述第一感光图案周围暴露第二感光层;去除由所述第一开口曝光的所述第一感光图案以暴露所述第二感光层， 形成具有从第二开口延伸的第三开口的绝缘图案，并且通过去除暴露的绝缘膜并且连接填充第二和第三开口的腿和腿来暴露衬底， 并且形成具有由第一开口限定的头部的T形栅电极。
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公开(公告)号：KR1020110069288A
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：KR1020090125961
申请日：2009-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/7621
Abstract: PURPOSE: A method for forming a through silicon via is provided to prevent the performance deterioration of a device after a final packaging process by obtaining a uniform step coverage when a dielectric layer, a diffusion preventing layer, and a seed layer are deposited. CONSTITUTION: A via is formed on a silicon substrate by etching the silicon substrate(10). A part of a scallop on the sidewall of the via is removed(20). The surface of the scallop is oxidized(30). The scallop is removed by etching an oxide layer formed on the surface of the scallop(40).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成贯通硅通孔的方法，以防止在最终封装过程中器件的性能恶化，通过在沉积介电层，扩散防止层和籽晶层时获得均匀的台阶覆盖。 构成：通过蚀刻硅衬底（10）在硅衬底上形成通孔。 通孔的侧壁上的扇贝的一部分被去除（20）。 扇贝的表面被氧化（30）。 通过蚀刻形成在扇贝（40）的表面上的氧化物层来除去扇贝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101004734B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020080074124
申请日：2008-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/0036 , H01L51/0533 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 절연층의 표면 에너지를 제어하여 게이트 절연층의 극성이 상부에 형성될 반도체 채널층과 동일한 극성으로 변화되도록 함으로써, 게이트 절연층의 상부에 반도체 채널층이 보다 잘 성장할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 게이트 절연층과 반도체 채널층과의 계면 특성이 향상되어 누설 전류 발생을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 높은 전계 효과 이동도와 낮은 턴-온 전압을 갖는 유기 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 자외선, 표면 에너지, 누설 전류, 이동도, 턴온 전압-
公开(公告)号：KR100974885B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020080074170
申请日：2008-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 우물 형상의 함몰 패턴이 형성된 임프린트 몰드를 이용하여 게이트 절연막을 한번에 패터닝함으로써, 포토 공정을 통해 패터닝을 수행하는 종래의 박막 트랜지스터 제조 방법에 비하여 제조 비용 및 공정 시간을 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 임프린트 몰드에 의해 우물 형상으로 패터닝된 게이트 절연막의 양 측면 및 상부에 전극 용액을 증착하는 한번의 용액 공정을 통해 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 동시에 형성할 수 있으므로, 제조 공정을 단순화할 수 있다.
박막 트랜지스터, 임프린트, 패터닝Abstract translation: 本发明是薄膜晶体管，并且通过使用压印模具凹井字形形成的图案的栅极在时刻绝缘膜，其生产成本与制造方法相比，一个常规的薄膜晶体管通过光处理以执行构图模式涉及制造方法，的方法 处理时间可以缩短。 此外，能够形成源电极，漏电极，并通过沉积电极溶液双方和栅绝缘膜在井状形状通过同时压印模具图案化的顶部的单个溶液处理栅电极，为了简化制造工艺 可以。
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公开(公告)号：KR1020100058068A
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：KR1020080116744
申请日：2008-11-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/823437
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to stably maintain a T-shape gate electrode by forming an insulating pattern which surrounds the lower leg part of the gate electrode. CONSTITUTION: An insulating layer is formed on a substrate(100). A first photo-sensitive pattern is formed on the insulating layer. A second photosensitive pattern exposing a part of the first photosensitive pattern is formed. A third photosensitive pattern(142) comprises a first opening(144) which exposes the first photosensitive pattern and a second photosensitive layer around the first photo sensitive pattern. A second opening exposing the insulating layer is formed by removing the exposed first photosensitive pattern. The exposed insulating layer is removed to form an insulating pattern which exposes the substrate. The insulating pattern includes a third opening. A T-shape gate electrode(156) comprising a leg part(152) and a head part(154), which fill the second and the third openings, is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，通过形成围绕栅电极的小腿部的绝缘图案来稳定地维持T型栅电极。 构成：在基板（100）上形成绝缘层。 在绝缘层上形成第一光敏图案。 形成露出第一感光图案的一部分的第二感光图案。 第三感光图案（142）包括暴露第一感光图案的第一开口（144）和围绕第一感光图案的第二感光层。 通过去除暴露的第一光敏图案形成暴露绝缘层的第二开口。 去除暴露的绝缘层以形成暴露基板的绝缘图案。 绝缘图案包括第三开口。 形成包括填充第二和第三开口的脚部（152）和头部（154）的T形栅电极（156）。
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公开(公告)号：KR1020100042345A
公开(公告)日：2010-04-26
申请号：KR1020080101447
申请日：2008-10-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 경희대학교 산학협력단
IPC: C23C26/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an organic thin film using an electric spraying method is provided to control the thin film by supplying a deposited material in a molecular ion beam form to a substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method of an organic thin film comprises the following steps: preparing an electric spraying solution by dissolving an organic material to evaporate into a solvent(S11); spraying the electric spraying solution through a nozzle on an electric spray while applying electricity to the electric spraying solution(S12); separating the solvent and the organic material by the electricity while the solvent is being evaporated; and attaching the organic material to the substrate in a state of gaseous ion(S13).
Abstract translation: 目的：提供使用电喷雾法的有机薄膜的制造方法，通过将分子离子束形式的沉积材料供给到基板来控制薄膜。 构成：有机薄膜的制造方法包括以下步骤：通过将有机材料溶解到溶剂中来制备电喷雾溶液（S11）; 在电喷雾的同时通过电喷雾喷雾电喷雾溶液（S12）; 在溶剂蒸发时通过电分离溶剂和有机材料; 并以气态离子的状态将有机材料附着到基板上（S13）。
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公开(公告)号：KR100851279B1
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020060123921
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G09B21/004 , Y10T29/49002 , Y10T29/494
Abstract: 본 발명은 점자 인식용 점자 스틱을 전기 유변 유체 현상을 통해 선택적으로 밀어 올리도록 하는 점자 디스플레이 장치 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 점자 디스플레이 장치는 복수 개의 절연성 수납홈이 형성된 베이스 본체; 상기 수납홈이 형성된 상기 베이스 본체 하부에 형성되는 제1 전극; 상기 수납홈 내에 수용되는 전기 유변 유체; 상기 전기 유변 유체 내에 분산되며, 전기 영동 입자가 수용되어 있는 마이크로 캡슐; 상기 마이크로 캡슐 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상부에 설치되는 점자 인식용 점자 스틱; 상기 점자 스틱 상에 형성되는 보호층을 포함한다. 이에 따라, 시각 정보를 시각 장애인이 촉각으로 느낄 수 있는 점자들로 손쉽고, 용이하게 표현할 수 있고, 가벼워서 휴대하기 편리하다.
점자 스틱, 전기 유변 유체, 마이크로캡슐, 수납홉
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