公开(公告)号：KR1020100058069A

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：KR1020080116745

申请日：2008-11-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재엽 ,  백규하 ,  도이미

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28114

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to obtain a T-shape gate electrode including a short leg part a low resistance. CONSTITUTION: A first photosensitive pattern is formed on a substrate(100). A second photosensitive pattern(122) exposing a part of the first photosensitive pattern is formed. A third photosensitive pattern with a first opening(134), which exposes a second photosensitive layer that is around the first photosensitive layer, is formed. The first photosensitive pattern exposed by the first opening is removed. A second opening(124) which exposes the substrate is formed. A T-shape gate electrode(146) with a leg part(142) and a head part(144), which fill the second opening, is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的制造方法，以获得包括具有低电阻的短脚部分的T形栅电极。 构成：在基板（100）上形成第一感光图案。 形成暴露第一感光图案的一部分的第二感光图案（122）。 形成具有第一开口（134）的第三感光图案，其暴露第一感光层周围的第二感光层。 去除由第一开口露出的第一感光图案。 形成露出基板的第二开口（124）。 形成有填充第二开口的具有腿部（142）和头部（144）的T形栅电极（146）。

公开(公告)号：KR1020100058067A

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：KR1020080116743

申请日：2008-11-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재엽 ,  백규하 ,  도이미

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/28114 ,  G03F7/095 ,  H01L21/31051

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to obtain uniform a leg part by adjusting the length and width of the leg part of a T-shape gate electrode. CONSTITUTION: A first photosensitive pattern is formed on a substrate(100). A second photosensitive layer covering the first photosensitive pattern and a third photosensitive layer covering the second photosensitive layer are formed. A third photosensitive pattern(132) with a first opening is formed. The first photosensitive pattern is exposed by leveling the second photosensitive layer. A second photosensitive layer with a second opening is formed. A T-shape gate electrode including a leg part(142) and a head part(144) which fill the second opening is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的制造方法，通过调整T形栅电极的腿部的长度和宽度来获得均匀的腿部。 构成：在基板（100）上形成第一感光图案。 形成覆盖第一感光图案的第二感光层和覆盖第二感光层的第三感光层。 形成具有第一开口的第三感光图案（132）。 第一感光图案通过调平第二感光层来曝光。 形成具有第二开口的第二感光层。 形成包括支撑部分（142）和填充第二开口的头部（144）的T形栅电极。

公开(公告)号：KR100849923B1

公开(公告)日：2008-08-04

申请号：KR1020070053311

申请日：2007-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤형섭 ,  심재엽 ,  강동민 ,  홍주연 ,  이경호

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 버퍼층, 채널층, 스페이서층 및 쇼트키층을 포함하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 화합물 반도체 소자의 제조 방법은 상기 쇼트키층 상에 식각 정지층 및 오믹층을 형성하는 단계; 상기 오믹층 상에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막을 패터닝하여 미세 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 미세 게이트 패턴을 이용하여 상기 오믹층을 선택적으로 식각하여 제1 게이트 리세스를 형성하는 단계; 상기 제1 게이트 리세스가 형성된 다음, 상기 질화막 상에 산화막을 증착하여 산화막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 산화막 스페이서가 형성된 다음, 상기 식각 정지층을 식각하여 제2 게이트 리세스를 형성하는 단계; 상기 제2 게이트 리세스가 형성된 다음, 상기 질화막 상에 게이트 금속을 형성하는 단계; 상기 게이트 금속 상에 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 제거하여 상기 제1 금속층으로 비대칭형 게이트 전극의 머리 부분을 형성하는 단계; 및 상기 비대칭형 게이트 전극의 머리 부분이 형성된 다음, 상기 비대칭형 게이트 전극의 머리 부분을 마스크로 하여 상기 게이트 금속을 패터닝하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 미세한 게이트 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 게이트 리세스 영역에 절연막을 형성하는 방법을 고안하여 소자의 표면을 보호할 수 있어 신뢰성이 높은 화합물 반도체 소자를 제작할 수 있다. 또한, 게이트 리세스 공정을 이 단계로 실시함으로써, 게이트 전극의 유효 길이 손실을 방지할 수 있기 때문에 화합물 반도체 소자의 차단주파수를 향상시킬 수 있다.
미세 게이트 패턴, 게이트 리세스, 산화막 스페이서, 질화막

公开(公告)号：KR100751065B1

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：KR1020060050820

申请日：2006-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍주연 ,  윤형섭 ,  이경호 ,  강동민 ,  심재엽

IPC: H04B1/16 ,  H04B1/40

Abstract: 본 발명은 핵심 구성 요소들 간의 연결 구조를 개선하여 수신감도를 향상시킬 수 있는 RF 송수신 모듈, 및 이 RF 송수신 모듈을 이용하는 밀리미터파 FMCW 레이더 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RF 송수신 모듈은 전압제어발진기에 의해 생성된 변조신호를 분배하는 전력분배기를 구비하며 변조신호를 2체배하고 증폭하며 증폭된 변조신호를 송신 안테나를 통해 방사하는 송신단과, 전력분배기로부터 나오는 변조신호를 국부발진기에서 나오는 국부발진신호를 이용하여 상향 및 하향 변환하고 변환된 제1 신호와 제2 신호를 출력하는 평형혼합부, 및 수신 안테나를 통해 수신한 신호를 하향주파수혼합기를 통해 제1 신호와 하향혼합하고 하향혼합된 제3 신호를 중간주파수혼합기를 통해 제2 신호와 혼합하며 혼합된 신호를 출력하는 수신단을 포함하여 이루어진다.
FMCW 레이더, 밀리미터파, RF 송수신 모듈, MMIC

公开(公告)号：KR100668365B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020040103679

申请日：2004-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍주연 ,  강동민 ,  심재엽 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H03D7/12

Abstract: 본 발명은 주파수 혼합기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소오스 단자가 접지되는 전계효과 트랜지스터와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 LO 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 LO 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 RF 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 RF 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 게이트 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 드레인 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 상기 LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 IF 신호를 제공받아 소정의 IF 대역의 신호를 출력단자에 출력하기 위한 IF 정합부를 포함함으로써, 마이크로파 또는 밀리미터파 대역의 혼합기에 용이하게 사용할 수 있고, 혼합기의 LO 삽입 손실을 감소시키며, DC 전력 소모를 감소시킴과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있는 효과가 있다.
주파수 혼합기, 전계효과 트랜지스터, 드레인 바이어스부, RF 정합부, LO 정합부, IF 정합부

公开(公告)号：KR100578341B1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040097645

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤형섭 ,  이진희 ,  심재엽 ,  이경호

IPC: H01L29/778

Abstract: 본 발명은 고주파 전자소자의 제조 방법에 관한 것으로, 에피택셜 성장된 갈륨비소 기판 상에 식각정지층, 오믹층, 산화막 및 질화막을 적층하는 단계, 상기 질화막 상에 금속 패턴을 형성한 후 노출된 부분의 상기 질화막을 식각하는 단계, 상기 금속 패턴과 상기 질화막의 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 단계, 상기 질화막 스페이서 사이의 노출된 상기 산화막을 식각한 후 노출된 부분의 상기 오믹층을 식각하되, 측면 식각에 의해 상기 산화막 양측 하부에 캐비티가 형성되도록 하는 단계, 상기 캐비티를 포함하는 홀의 측벽에 산화막 스페이서를 형성하여 상기 캐비티 내부를 진공으로 유지시키는 단계, 상기 산화막 스페이서 사이의 노출된 상기 식각정지층을 제거하여 게이트 전극 형성을 위한 홀을 완성하는 단계, 상기 홀과 상기 금속 패턴 상에 감마(Γ)자형 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 측부의 노출된 상기 금속 패턴, 질화막 및 산화막을 순차적으로 식각하여 상기 오믹층을 노출시키는 단계, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 영역의 상기 오믹층 상에 금속전극을 각각 형성하는 단계를 포함한다.
고주파 전자소자, 감마(Γ)자형, 게이트 전극, 진공 캐비티, 자기정렬

Abstract translation: 本发明涉及一种制造高频电子设备中，镓蚀刻停止层的砷衬底上的外延生长，欧姆层，沉积氧化物膜和氮化物膜，形成在氮化膜露出的部分的金属图案后的方法 蚀刻金属图案和氮化物层之间的暴露的氧化物层，蚀刻氮化物层的暴露部分的欧姆层，以及蚀刻暴露的氧化物层， 在包括空腔的孔的侧壁上形成氧化物膜间隔物，以通过去除暴露在氧化物膜间隔物之间​​的蚀刻停止层而将空腔的内部保持在真空状态 由此完成用于形成栅电极的孔; 在栅电极上形成栅电极，通过顺序地蚀刻暴露的金属图案，氮化物层和栅电极侧上的氧化物层来暴露欧姆层， 并在欧姆层上分别形成金属电极。

公开(公告)号：KR1020090013657A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：KR1020070123639

申请日：2007-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성열 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  심재엽 ,  김현탁

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: A Ge based MIT thin film, the MIT device, the method for manufacturing the same are provided to easily grow the material of the MIT thin film by using the Ge element material. The MIT device comprises the substrate(100), and the Ge base MIT thin film (300a), at least two electrode thin films(410a,420a). The Ge base MIT thin film is formed on the substrate and generates the discontinuity metal-insulator transition(MIT) in the transition voltage. The electrode thin film is contacted with the Ge base MIT thin film. The Ge base MIT thin film causes the discontinuity MIT by voltage or the applied current.

Abstract translation: 提供基于Ge的MIT薄膜，MIT装置及其制造方法，以通过使用Ge元素材料容易地生长MIT薄膜的材料。 MIT装置包括基板（100）和Ge基MIT薄膜（300a），至少两个电极薄膜（410a，420a）。 Ge基MIT薄膜形成在衬底上并产生转变电压中的不连续金属 - 绝缘体转变（MIT）。 电极薄膜与Ge基MIT薄膜接触。 Ge基MIT薄膜通过电压或施加电流导致不连续MIT。

公开(公告)号：KR100772927B1

公开(公告)日：2007-11-02

申请号：KR1020060095400

申请日：2006-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  홍주연 ,  심재엽 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H04B1/26

CPC classification number: G01S13/34 ,  G01S7/03

Abstract: A heterodyne RF transceiver for a radar sensor is provided to improve receive sensitivity which is more than 30dB compared with an existing homodyne at a 76-77GHz band. A transmitting unit(150) generates a transmission signal and transmits it to a transmission antenna(112). A local oscillating unit(160) generates a local oscillation wave. An up-mixer(106) up-mixes the transmission signal and the local oscillation wave. A receiving unit(170) receives reception signals through reception antennas(113-115). A down-mixer(111) down-mixes a mixed signal of the up-mixer(106) and the reception signals. An RF unit deduces a bit signal from a mixed signal of the down-mixer(111) and the local oscillation wave.

Abstract translation: 提供了一种用于雷达传感器的外差RF收发器，以提高与76-77GHz频带上现有零差相比超过30dB的接收灵敏度。 发送单元（150）生成发送信号并将其发送到发送天线（112）。 本地振荡单元（160）产生局部振荡波。 上混频器（106）将传输信号和本地振荡波混频。 接收单元（170）通过接收天线（113-115）接收接收信号。 下混频器（111）将上混频器（106）的混合信号和接收信号混频。 RF单元从下混频器（111）和本地振荡波的混合信号中推出比特信号。

公开(公告)号：KR100737387B1

公开(公告)日：2007-07-09

申请号：KR1020040097648

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강동민 ,  홍주연 ,  심재엽 ,  이진희 ,  윤형섭 ,  이경호

IPC: H03B19/00

Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에 적용되는 주파수 체배기에 관한 것으로, 입력정합회로에 RC 병렬회로를 적용하여 높은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시키며, 게이트 바이어스 공급부의 저항값을 조절하여 낮은 주파수 대역에서의 안정도 특성을 향상시킨다. 또한, 출력정합회로의 출력단에 레이디얼-스터브(radial-stub)를 병렬로 연결하여 체배된 제 2 고조파(harmonic frequency)인 출력주파수(2fo)에 대해 입력주파수(fo)를 30dBc 이하로 억압시킨다. 밀리미터파 대역의 고주파(RF) 시스템에서 발진 주파수의 한계를 극복할 수 있으며, 77GHz 대역의 자동차 충돌 방지 레이다 시스템에 적용이 가능하다.
밀리미터파, 주파수 체배기, 정합회로, 병렬회로, 억압 특성

公开(公告)号：KR1020070059861A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060050820

申请日：2006-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍주연 ,  윤형섭 ,  이경호 ,  강동민 ,  심재엽

IPC: H04B1/16 ,  H04B1/40

CPC classification number: H04B1/40

Abstract: An RF transceiver module and a millimeter-wave FMCW(Frequency Modulated Continuous Wave) radar sensor using the same are provided to eliminate the signal interference between a transmitting unit and a receiving unit, which is generated in the case of directly using a modulation signal from a VCO(Voltage Controller Oscillator) of the transmitting unit, and to improve the performance of signal sensitivity. An RF transceiver module comprises a transmitting unit(117), a parallel frequency mixer(107), and a receiving unit(119). The transmitting unit(117) distributes a modulation signal, created from a VCO(106), through a power distributor(105), amplifies the modulation signal, and radiates the amplified modulation signal through a transmitting antenna(101). The parallel frequency mixer(107) up-converts and down-converts the modulation signal, outputted from the power distributor(105), using a local oscillation signal outputted from a local oscillator(108) and outputs the first signal and the second signal. The receiving unit(119) mixes an external signal, received through a receiving antenna(109), with the first signal through a down-mixer(112), mixes the mixed signal, or the third signal, with the second signal through an IF(Intermediate Frequency) mixer(115), and outputs the mixed signal.

Abstract translation: 提供使用其的RF收发器模块和毫米波FMCW（频率调制连续波）雷达传感器，以消除发送单元和接收单元之间的信号干扰，这是在直接使用来自 VCO（电压控制器振荡器），并提高信号灵敏度。 RF收发器模块包括发送单元（117），并行混频器（107）和接收单元（119）。 发射单元（117）通过功率分配器（105）分配由VCO（106）产生的调制信号，放大调制信号，并通过发射天线（101）辐射放大的调制信号。 并行混频器（107）使用从本地振荡器（108）输出的本地振荡信号对从分配器（105）输出的调制信号进行上变频和下变频，并输出第一信号和第二信号。 接收单元（119）通过下混频器（112）将通过接收天线（109）接收的外部信号与第一信号混合，通过IF将混合信号或第三信号与第二信号混合 （中频）混频器（115），并输出混合信号。