公开(公告)号：KR101718591B1

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：KR1020140184823

申请日：2014-12-19

Applicant: 재단법인차세대융합기술연구원 ,  한국생산기술연구원

Inventor： 박상윤 ,  성지현 ,  이보화 ,  이민영 ,  조한열 ,  임재관

IPC: B22F3/105 ,  B33Y70/00

CPC classification number: Y02P10/295

Abstract: 본발명은영구자석의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는 3D 프린터를이용하여영구자석을제조하는방법에관한것이다. 본발명에의하면, 3D 프린터로인쇄하기위한조형물에대한형상데이터를생성하는형상데이터생성단계; 영구자석의제조에필요한원료인적어도하나의금속분말을포함하는분말재료를준비하는원료준비단계; 및 3D 프린터가상기형상데이터를이용하여상기분말재료로입체조형물을인쇄하는 3D 프린팅단계를포함하는것을특징으로하는 3D 프린터를이용한영구자석의제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020160053114A

公开(公告)日：2016-05-13

申请号：KR1020140149613

申请日：2014-10-30

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  재단법인차세대융합기술연구원

Inventor： 최성화 ,  박상윤 ,  김융언 ,  권순일 ,  우제욱 ,  여창수

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M5/00

CPC classification number: B81C1/00 ,  A61M5/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00007

Abstract: 본발명은마이크로구조체의제조방법과제조장치를개시한다. 본발명에따른마이크로구조체의제조방법은, 베이스의일면에유체화된원료물질을준비하는단계; 상기원료물질의주변에전계(electric field)를인가하는단계; 상기원료물질이상기전계에의해변형되어마이크로구조체가생성되는단계를을 포함한다. 본발명에따르면, 전극사이의거리나전압을조절함으로써마이크로구조체의크기를정교하게조절할수 있고, 특히액적의모양및 크기에따라전계강도를조절해길이와형상을조절할 수있으므로종래의방법에비하여마이크로구조체의첨예도를크게향상시킬수 있다. 또한롤투롤또는인라인방식의연속공정을적용하여간편하게대량생산시스템을구축할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种微结构的制造方法及其制造装置。 根据本发明，用于制造微结构的方法包括：在基底的一个表面上制备流化原料的步骤; 在原料周围施加电场的步骤; 以及通过电场使原料变形以形成微结构的步骤。 根据本发明，调整电极之间的距离或电压以精确地调节微结构的尺寸。 具体地说，由于可以通过根据液滴的形状和尺寸来调节电场的强度来调节长度和形状，因此与常规方法相比，可以大大提高显微组织的清晰度。 此外，可以应用卷对卷式或在线式连续方法来方便地构建大规模生产系统。

公开(公告)号：KR100915440B1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：KR1020070125948

申请日：2007-12-06

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 이영백 ,  박상윤 ,  이형우 ,  이주열 ,  강지훈

IPC: H01L21/203

Abstract: 챔버 안에서 기판 상에 타겟 물질을 스퍼터링 증착법으로 박막 코팅하는 스퍼터링 증착 장치에 있어서, 상기 챔버 안의 산소 가스의 분압을 측정하는 잔류가스 분석기; 및 상기 잔류가스 분석기에서 측정한 상기 산소 가스의 분압이 미리 설정된 범위안에 있도록 상기 챔버 안에 주입되는 상기 산소 가스의 양을 조절하는 가스 주입 제어기를 포함하는 스퍼터링 증착 장치가 제시된다. 본 발명에 따른 자성 반도체 제조 방법 및 그 장치는 스퍼터링 증착 방법으로 제작되는 다결정 자성 반도체 제조공정에서 잔류가스 분석기를 통해 자성 반도체 내의 산소 결손량을 정밀조절하여 후열처리나 추가 도펀트(Dopant)의 주입없이 전하농도를 제어할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020090059218A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：KR1020070125948

申请日：2007-12-06

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 이영백 ,  박상윤 ,  이형우 ,  이주열 ,  강지훈

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/0042 ,  C23C14/086 ,  H01L29/66984

Abstract: A method and an apparatus for manufacturing a magnetic semiconductor are provided to control carrier concentration without injecting a dopant additionally or post-heating by controlling oxygen deficiency quantity in the magnetic semiconductor through a residual gas analyzer. A sputtering device is comprised to thinly coat a target material on a substrate inside a chamber(115) through a sputtering deposition method. A sputtering deposition device includes a residual gas analyzer(170) and a gas injection controller(180). The residual gas analyzer measures the partial pressure of the oxygen gas in the chamber. The gas injection controller controls an amount of the oxygen gas injected in the chamber to range the partial pressure of the oxygen gas within the predetermined value.

Abstract translation: 提供一种用于制造磁性半导体的方法和装置，以通过残留气体分析器控制磁性半导体中的氧缺乏量来控制载流子浓度，而不通过另外或后加热来注入掺杂剂。 溅射装置包括通过溅射沉积方法在室（115）内部的基板上薄涂目标材料。 溅射沉积装置包括残留气体分析器（170）和气体注入控制器（180）。 残留气体分析仪测量室内氧气的分压。 气体注入控制器控制在室中注入的氧气的量以使氧气的分压在预定值内。

公开(公告)号：KR100937510B1

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：KR1020070125949

申请日：2007-12-06

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 이영백 ,  박상윤 ,  강지훈 ,  이주열

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법을 제시할 수 있다. 반도체 소자 제조 장치가 상온 강자성 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서, 스퍼터링 증착 방식에 의해 챔버 안에서 기판 상에 타겟 물질을 박막 증착하여 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 반도체 박막에 도너 역할을 수행하는 이온화된 수소를 주입하는 단계; 및 상기 수소가 주입된 반도체 박막을 미리 설정된 온도하에서 열처리하여 재결정화하는 단계를 포함하는 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법이 제시된다. 본 발명에 따른 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자는 다결정 자성반도체에 이온주입장치를 이용하여 수소이온을 주입하고, 낮은 온도의 급속 열처리를 통해, 기존의 강자성 특성은 그대로 유지하며, 전하이동도를 높일 수 있는 효과가 있다.
반도체 소자, 강자성, 전하농도, 전하이동도.

公开(公告)号：KR1020090059219A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：KR1020070125949

申请日：2007-12-06

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 이영백 ,  박상윤 ,  강지훈 ,  이주열

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324

Abstract: A method for manufacturing a ferromagnetic semiconductor device and a semiconductor device manufactured by the same are provided to increase carrier mobility while maintaining a ferromagnetic characteristic by applying the hydrogen ion injection and rapid thermal process of a low temperature to the polycrystal magnetic semiconductor. A semiconductor thin film is formed by depositing a target material on a substrate in a chamber by a sputtering deposition method(S210). The ionized hydrogen is injected to the semiconductor thin film(S220). The ionized hydrogen serves as the donor. The semiconductor thin film is heated and re-crystallized under the predetermined temperature(S230). The predetermined temperature is between 200 to 400 degrees centigrade.

Abstract translation: 提供一种制造铁磁半导体器件的方法及其制造的半导体器件，以通过将氢离子注入和低温快速热处理应用于多晶磁性半导体来增加载流子迁移率，同时保持铁磁特性。 通过溅射沉积方法在室中的基板上沉积靶材而形成半导体薄膜（S210）。 电离的氢被注入半导体薄膜（S220）。 电离氢作为供体。 半导体薄膜在预定温度下被加热并再结晶（S230）。 预定温度在200至400摄氏度之间。