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公开(公告)号：TW202014804A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108122129
申请日：2019-06-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 徐 端孚 , HSU, DUAN-FU STEPHEN , 漢尼克斯 克里斯多夫 瑞尼 康拉德 希布拉 , HENNERKES, CHRISTOPH RENE KONRAD CEBULLA , 何威爾 羅福 C , HOWELL, RAFAEL C. , 施展 , SHI, ZHAN , 李 小陽 , LI, XIAOYANG JASON , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK
IPC: G03F7/20
Abstract: 本發明描述一種用於判定一圖案化程序之一圖案化裝置之一波前的方法。該方法包括獲得：一參考裝置(例如一掃描器)之一參考表現(例如一輪廓、EPE、CD)、經組態以將一波前的一波前參數轉換為致動器移動之一圖案化裝置的一透鏡模型、及一調節掃描器(例如一待匹配掃描器)之一透鏡指紋。此外，該方法涉及基於該調節掃描器之該透鏡指紋、該透鏡模型及一成本函數來判定該波前參數(例如，諸如傾角、偏移等波前參數)，其中該成本函數為該參考表現與一調節掃描器表現之間的一差。
Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种用于判定一图案化进程之一图案化设备之一波前的方法。该方法包括获得：一参考设备(例如一扫描仪)之一参考表现(例如一轮廓、EPE、CD)、经组态以将一波前的一波前参数转换为致动器移动之一图案化设备的一透镜模型、及一调节扫描仪(例如一待匹配扫描仪)之一透镜指纹。此外，该方法涉及基于该调节扫描仪之该透镜指纹、该透镜模型及一成本函数来判定该波前参数(例如，诸如倾角、偏移等波前参数)，其中该成本函数为该参考表现与一调节扫描仪表现之间的一差。
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公开(公告)号：TW202004366A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108119376
申请日：2019-06-04
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 崔波狄 羅倫蘇 , TRIPODI, LORENZO , 華那爾 派翠克 , WARNAAR, PATRICK , 葛澤拉 葛澤高爾茲 , GRZELA, GRZEGORZ , 哈吉阿瑪迪 莫哈瑪德瑞薩 , HAJIAHMADI, MOHAMMADREZA , 法哈迪查德 法爾查德 , FARHADZADEH, FARZAD , 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 米德雷布魯克斯 史考特 安德森 , MIDDLEBROOKS, SCOTT ANDERSON , 庫博曼 安卓尼斯 康納力司 馬修士 , KOOPMAN, ADRIANUS CORNELIS MATHEUS , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 彼得森 布洛南 , PETERSON, BRENNAN , 巫斯登 安東 伯恩哈得 凡 , VAN OOSTEN, ANTON BERNHARD
Abstract: 本文中揭示一種判定與一基板上之藉由一微影製程形成之一結構相關的一所關注特性的方法，該方法包含：獲得該結構之一輸入影像；及使用一經訓練神經網路以自該輸入影像判定該所關注特性。本文中亦揭示一種倍縮光罩，其包含一目標形成特徵，該特徵包含兩個以上子特徵，該等子特徵在成像於一基板上以在該基板上形成一對應目標結構時各自具有對於一所關注特性不同的敏感度。亦描述相關方法及設備。
Abstract in simplified Chinese: 本文中揭示一种判定与一基板上之借由一微影制程形成之一结构相关的一所关注特性的方法，该方法包含：获得该结构之一输入影像；及使用一经训练神经网络以自该输入影像判定该所关注特性。本文中亦揭示一种倍缩光罩，其包含一目标形成特征，该特征包含两个以上子特征，该等子特征在成像于一基板上以在该基板上形成一对应目标结构时各自具有对于一所关注特性不同的敏感度。亦描述相关方法及设备。
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公开(公告)号：TW201826340A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106136441
申请日：2017-10-24
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 摩斯 艾佛哈德斯 柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 威爾登伯格 裘簡 賽巴斯汀 , WILDENBERG, JOCHEM SEBASTIAAN , 瓦勒伯斯 艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 , WALLERBOS, ERIK JOHANNES MARIA , 凡 德 斯加 毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 艾力奇 法蘭西斯可思 亨德利克斯 阿諾爾德斯 , ELICH, FRANCISCUS HENDRICUS ARNOLDUS
IPC: H01L21/027 , G06F17/50
Abstract: 一種用於改良一微影製程之良率之方法，該方法包含： 判定跨越一基板之一效能參數之一參數指紋，該參數指紋包括與該效能參數之不確定性相關之資訊； 判定跨越該基板之該效能參數之一製程窗指紋，製程窗與該效能參數之一可允許範圍相關聯；及 判定與該效能參數在一可允許範圍外部之機率相關聯之一機率度量。 視情況，基於該機率度量而判定對該微影製程之一校正。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于改良一微影制程之良率之方法，该方法包含： 判定跨越一基板之一性能参数之一参数指纹，该参数指纹包括与该性能参数之不确定性相关之信息； 判定跨越该基板之该性能参数之一制程窗指纹，制程窗与该性能参数之一可允许范围相关联；及 判定与该性能参数在一可允许范围外部之概率相关联之一概率度量。 视情况，基于该概率度量而判定对该微影制程之一校正。
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公开(公告)号：TWI629574B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW106105681
申请日：2017-02-21
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 泰爾 溫 提波 , TEL, WIM TJIBBO , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 莫斯羅 馬克 約翰 , MASLOW, MARK JOHN , 亞蘭希亞多 羅伊 , ANUNCIADO, ROY , 喬錢森 馬利那 , JOCHEMSEN, MARINUS , 克瑞馬 雨果 奧格斯提納斯 約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 休威斯 湯馬士 , THEEUWES, THOMAS , 希尼 保羅 克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号：TW201805730A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106116043
申请日：2017-05-16
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 葛西亞 格藍達 米歌爾 , GARCIA GRANDA, MIGUEL , 李維斯 克理斯宣 馬瑞斯 , LEEWIS, CHRISTIAN MARINUS , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK
CPC classification number: G03F9/7026 , G03F7/70633 , G03F9/7046
Abstract: 一種方法，其包括：藉由使用一基板量測配方而自一基板上之一目標獲得一量測結果；藉由一硬體電腦系統自該量測結果判定一參數，其中該參數特性化針對用於該基板量測配方之入射輻射的該量測結果對該目標之一光學路徑長度之相依性，且該判定該參數包含判定該量測結果對該入射輻射之波長之一相對改變的相依性；及若該參數不在一指定範圍內，則調整該基板量測配方。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法，其包括：借由使用一基板量测配方而自一基板上之一目标获得一量测结果；借由一硬件电脑系统自该量测结果判定一参数，其中该参数特性化针对用于该基板量测配方之入射辐射的该量测结果对该目标之一光学路径长度之相依性，且该判定该参数包含判定该量测结果对该入射辐射之波长之一相对改变的相依性；及若该参数不在一指定范围内，则调整该基板量测配方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI686682B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107142848
申请日：2018-11-30
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 布羅爾 愛力克 喬思 安東 , BROUWER, ERIC JOS ANTON , 魯吉坦 卡羅 康妮斯 瑪里亞 , LUIJTEN, CARLO CORNELIS MARIA , 維森 尚 皮耶 雅格尼司 亨利克司 瑪利 , VAESSEN, JEAN-PIERRE AGNES HENRICUS MARIE
IPC: G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/956
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公开(公告)号：TW201921138A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128448
申请日：2018-08-15
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 李發宏 , LI, FAHONG , 葛西亞 格藍達 米歌爾 , GARCIA GRANDA, MIGUEL , 魯吉坦 卡羅 康妮斯 瑪里亞 , LUIJTEN, CARLO CORNELIS MARIA , 席責斯 巴特 皮特 柏特 , SEGERS, BART PETER BERT , 凡 登 波乙爾 康納利斯 安德雷斯 法蘭西斯可思 喬漢斯 , VAN DER POEL, CORNELIS ANDREAS FRANCISCUS JOHANNES , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 凡 巫斯登 安東 伯恩哈得 , VAN OOSTEN, ANTON BERNHARD , 里丹 莫哈曼德 , RIDANE, MOHAMED
Abstract: 一微影裝置之聚焦效能係使用已經曝光(1110)之若干對目標運用一像差設定(例如散光)來量測，該像差設定在該等對之目標之間誘發一相對最佳聚焦偏移。藉由在FEM晶圓上曝光相似目標(1174、1172)而預先獲得一校準曲線(904)。在一設置階段，使用多個像差設定來獲得校準曲線，且記錄一錨點(910)，所有該等校準曲線在該錨點處相交。當量測(1192)一新校準曲線時，該錨點用以產生一經調整之經更新校準曲線(1004')以消除聚焦漂移且視情況量測散光之漂移。本發明之另一態樣(圖13至圖15)在每一量測中使用兩個像差設定(+AST、-AST)，從而減小對散光漂移之敏感度。另一態樣(圖16至圖17)使用藉由在一個抗蝕劑層中進行雙重曝光而印刷為具有相對聚焦偏移的若干對目標。
Abstract in simplified Chinese: 一微影设备之聚焦性能系使用已经曝光(1110)之若干对目标运用一像差设置(例如散光)来量测，该像差设置在该等对之目标之间诱发一相对最佳聚焦偏移。借由在FEM晶圆上曝光相似目标(1174、1172)而预先获得一校准曲线(904)。在一设置阶段，使用多个像差设置来获得校准曲线，且记录一锚点(910)，所有该等校准曲线在该锚点处相交。当量测(1192)一新校准曲线时，该锚点用以产生一经调整之经更新校准曲线(1004')以消除聚焦漂移且视情况量测散光之漂移。本发明之另一态样(图13至图15)在每一量测中使用两个像差设置(+AST、-AST)，从而减小对散光漂移之敏感度。另一态样(图16至图17)使用借由在一个抗蚀剂层中进行双重曝光而印刷为具有相对聚焦偏移的若干对目标。
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公开(公告)号：TWI649788B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106136441
申请日：2017-10-24
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 摩斯 艾佛哈德斯 柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 威爾登伯格 裘簡 賽巴斯汀 , WILDENBERG, JOCHEM SEBASTIAAN , 瓦勒伯斯 艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 , WALLERBOS, ERIK JOHANNES MARIA , 凡 德 斯加 毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 艾力奇 法蘭西斯可思 亨德利克斯 阿諾爾德斯 , ELICH, FRANCISCUS HENDRICUS ARNOLDUS
IPC: H01L21/027 , G06F17/50
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公开(公告)号：TWI649614B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106128022
申请日：2017-08-18
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 泰爾 溫 提波 , TEL, WIM TJIBBO , 莫斯羅 馬克 約翰 , MASLOW, MARK JOHN , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 希尼 保羅 克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
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40.发明专利
公开(公告)号：TWI646409B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106123141
申请日：2017-07-11
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 泰爾 溫 提波 , TEL, WIM TJIBBO , 史達爾 法蘭克 , STAALS, FRANK , 戴 尼偉利 馬丁 裘力 瑪里-愛米 , DE NIVELLE, MARTIN JULES MARIE-EMILE , 哈珊 添伯爾 , HASAN, TANBIR
IPC: G03F9/00
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