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    反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法
    31.
    发明专利
    反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 有权
    反光掩模，反射掩模层及其制造方法

    公开(公告)号：JP2015128183A

    公开(公告)日：2015-07-09

    申请号：JP2015043579

    申请日：2015-03-05

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 笑喜 勉

    IPC: G03F1/24 ,  G03F1/32 ,  H01L21/027

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26

    Abstract: 【課題】ハーフトーンマスクの原理を利用したEUV露光用マスクにおいて、転写エリアの低反射部分とブラインドエリアの漏れ光エリアが重なるように被写体のレジスト膜に対して転写パターンを隙間なく転写しても、重なり部分のレジストが感光しないようなEUV露光用マスク及びそれを製造するためのマスクブランクを提供する。 【解決手段】本発明の反射型マスクは、基板11上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜13と、前記多層反射膜13上に積層されておりEUV露光光を吸収する吸収膜15と、を備えており、前記吸収膜15は、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるEUV露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜であり、ブラインドエリアの多層反射膜13は、上層から複数層又は全層が除去されてなることを特徴とする。 【選択図】図3D

    Abstract translation: 要解决的问题：使用半色调掩模理论提供用于EUV曝光的掩模，以及用于制造EUV曝光掩模的掩模板，其被配置为使得即使当传送图案之间没有间隙地转印到 通过将转印区域的低反射部分和盲区的漏光区域重叠而形成目标抗蚀剂膜，重叠部分中的抗蚀剂不被致敏。解决方案：反射掩模包括具有结构的多层反射膜13 其中高折射率层和低折射率层交替层压在基板11上，以及层叠在多层反射膜13上并适于吸收EUV曝光光的吸收膜15。 吸收膜15是相对于直接入射到多层反射膜并被多层反射膜反射的EUV曝光光，在通过膜并被多层反射膜反射的曝光光中产生预定延迟的相移膜。 在多个上层或所有层中去除了盲区中的多层反射膜13。

    反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
    34.
    发明专利
    反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019225736A1

    公开(公告)日：2021-06-10

    申请号：JP2019020632

    申请日：2019-05-24

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 池邊 洋平 ,  笑喜 勉

    IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20 ,  G03F1/32

    Abstract: 反射型マスクのシャドーイング効果をより低減するとともに、微細で高精度な位相シフトパターンを形成できる反射型マスクブランクを提供する。 基板上に、多層反射膜及びEUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜は、ルテニウム(Ru)と、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、(Co)、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、ゲルマニウム(Ge)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、スズ(Sn)、テルル(Te)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)及びレニウム(Re)のうち少なくとも1以上の元素とを含む金属を含む材料からなる薄膜を有することを特徴とする反射型マスクブランクである。

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