多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2020160354A

    公开(公告)日:2020-10-01

    申请号:JP2019061760

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 【課題】 露光光に対する反射率が高く、かつ欠陥検査の際のバックグラウンドレベルが低い多層反射膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを製造するために用いられる多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】 基板の上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜からなり、露光光を反射するための多層反射膜を備える多層反射膜付き基板であって、前記多層反射膜が、上層と、前記上層及び前記基板の間に配置される下層とを含み、前記下層が、ホウ素(B)、炭素(C)、ジルコニウム(Zr)、窒素(N)、酸素(O)及び水素(H)から選択される少なくとも1つの添加元素を含み、前記上層が、前記添加元素を実質的に含まない ことを特徴とする多層反射膜付き基板である。 【選択図】 図1

    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2020166249A

    公开(公告)日:2020-10-08

    申请号:JP2020042971

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 【課題】 露光光に対する反射率が高く、かつ欠陥検査の際のバックグラウンドレベルが低い多層反射膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを製造するために用いられる多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】 基板の上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜からなり、露光光を反射するための多層反射膜を備える多層反射膜付き基板であって、前記多層反射膜が、モリブデン(Mo)と、窒素(N)、ホウ素(B)、炭素(C)、ジルコニウム(Zr)、酸素(O)、水素(H)及び重水素(D)から選択される少なくとも1つの添加元素とを含み、X線回折によるMo(110)の回折ピークから算出される前記多層反射膜の結晶子サイズが2.5nm以下であることを特徴とする多層反射膜付き基板である。 【選択図】 図1

    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法

    公开(公告)号:JP6931729B1

    公开(公告)日:2021-09-08

    申请号:JP2020058487

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 【課題】多層反射膜のEUV露光光に対する反射率を十分に低下させることが可能であるとともに、多層反射膜上の保護膜の表面が膨れる現象や保護膜が剥がれる現象が発生することを防止することのできる多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】多層反射膜付き基板110は、基板1の主表面上に、多層反射膜5および保護膜6をこの順に備える。基板1は、ケイ素、チタンおよび酸素を主成分とし、さらに水素を含有する。多層反射膜5は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造を有する。多層反射膜5は、水素を含有する。多層反射膜5中の水素の原子数密度は、7.0×10 −3 atoms/nm 3 以下である。 【選択図】 図1

    導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2019117296A

    公开(公告)日:2019-07-18

    申请号:JP2017251162

    申请日:2017-12-27

    Abstract: 【課題】平坦度に優れかつ反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜23が形成された導電膜付き基板50であって、前記導電膜23は、チタン(Ti)及び窒素(N)を含む材料からなり、チタン及び窒素の合計含有量が95原子%以上であり、前記材料は化学量論的組成の窒化チタンよりもチタンを多く含むことを特徴とする導電膜付き基板50である。 【選択図】図1

    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法

    公开(公告)号:JP2021157097A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020058487

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 【課題】多層反射膜のEUV露光光に対する反射率を十分に低下させることが可能であるとともに、多層反射膜上の保護膜の表面が膨れる現象や保護膜が剥がれる現象が発生することを防止することのできる多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】多層反射膜付き基板110は、基板1の主表面上に、多層反射膜5および保護膜6をこの順に備える。基板1は、ケイ素、チタンおよび酸素を主成分とし、さらに水素を含有する。多層反射膜5は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造を有する。多層反射膜5は、水素を含有する。多層反射膜5中の水素の原子数密度は、7.0×10 −3 atoms/nm 3 以下である。 【選択図】 図1

    反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2021128247A

    公开(公告)日:2021-09-02

    申请号:JP2020022459

    申请日:2020-02-13

    Abstract: 【課題】薄い金属膜の膜質が経時的に変化することを抑制することのできる反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 反射型マスクブランク100は、基板10と、基板10上の多層反射膜12と、多層反射膜12上の積層膜16とを備える。積層膜16は、最上層20と、それ以外の下層18とを含む。最上層20の膜厚は、0.5nm以上5nm未満である。最上層20は、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、白金(Pt)、ルテニウム(Ru)、金(Au)、イリジウム(Ir)、コバルト(Co)、錫(Sn)、ニッケル(Ni)、レニウム(Re)、モリブデン(Mo)及びニオブ(Nb)から選ばれる少なくとも1つの金属元素と、水素(H)及び重水素(D)から選ばれる少なくとも1つの添加元素とを含む。最上層の金属元素の合計含有量は、95原子%以上である。 【選択図】 図1

    導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2019131506A1

    公开(公告)日:2020-12-10

    申请号:JP2018047246

    申请日:2018-12-21

    Abstract: 機械強度が高い裏面導電膜を有し、かつ反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供する。 リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板(10)の主表面上の一方の表面に、導電膜(23)が形成された導電膜付き基板(50)であって、前記導電膜は、前記基板側に設けられた透明導電層(23a)と、前記透明導電層の上に設けられた上層(23b)とを含み、前記導電膜の波長532nmの光における透過率が10%以上であり、前記上層は、タンタル(Ta)及びホウ素(B)を含む材料からなり、前記上層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする導電膜付き基板である。

    多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法

    公开(公告)号:JP2021184108A

    公开(公告)日:2021-12-02

    申请号:JP2021132309

    申请日:2021-08-16

    Abstract: 【課題】多層反射膜のEUV露光光に対する反射率を十分に低下させることが可能であるとともに、多層反射膜上の保護膜の表面が膨れる現象や保護膜が剥がれる現象が発生することを防止することのできる多層反射膜付き基板を提供する。 【解決手段】多層反射膜付き基板110は、基板1の主表面上に、多層反射膜5および保護膜6をこの順に備える。基板1は、ケイ素、チタンおよび酸素を主成分とし、さらに水素を含有する。多層反射膜5は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造を有する。多層反射膜5は、水素を含有する。多層反射膜5中の水素の原子数密度は、7.0×10 −3 atoms/nm 3 以下である。 【選択図】 図1

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