公开(公告)号：DE102014115750A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014115750

申请日：2014-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst einen ersten Halbleiter-Chip, der eine erste Fläche umfasst, wobei eine erste Kontaktierungsstelle über der ersten Fläche angeordnet ist. Die Vorrichtung umfasst ferner einen zweiten Halbleiter-Chip, der eine erste Fläche umfasst, wobei eine erste Kontaktierungsstelle über der ersten Fläche angeordnet ist, wobei der erste Halbleiter-Chip und der zweite Halbleiter-Chip derart angeordnet sind, dass die erste Fläche des ersten Halbleiter-Chips in eine erste Richtung gewandt ist und die erste Fläche des zweiten Halbleiter-Chips in eine zweite Richtung gewandt ist, die zur ersten Richtung entgegengesetzt ist. Der erste Halbleiter-Chip ist lateral außerhalb eines Umrisses des zweiten Halbleiter-Chips angeordnet.

公开(公告)号：DE102014115509A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014115509

申请日：2014-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Bauelement beinhaltet einen ersten Halbleiterchip, der eine erste Fläche beinhaltet, wobei eine erste Kontaktstelle über der ersten Fläche angeordnet ist. Das Bauelement beinhaltet weiter einen zweiten Halbleiterchip, der eine erste Fläche beinhaltet, wobei eine erste Kontaktstelle über der ersten Fläche angeordnet ist, wobei der erste Halbleiterchip und der zweite Halbleiterchip so angeordnet sind, dass die erste Fläche des ersten Halbleiterchips in eine erste Richtung zeigt und die erste Fläche des zweiten Halbleiterchips in eine zur ersten Richtung entgegengesetzte zweite Richtung zeigt. Der erste Halbleiterchip befindet sich seitlich außerhalb von einer Außenlinie des zweiten Halbleiterchips.