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公开(公告)号:JP5835123B2
公开(公告)日:2015-12-24
申请号:JP2012140124
申请日:2012-06-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08L33/08 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08L25/04
CPC classification number: C08L25/06 , B05D5/00 , C08L33/14 , C09D133/066 , C09D133/08 , C09D133/16 , G03F7/0002 , C08L33/16
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公开(公告)号:JP2015166438A
公开(公告)日:2015-09-24
申请号:JP2014085946
申请日:2014-04-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/40 , C08F297/02 , H01L21/027 , C08L53/00
CPC classification number: C09D153/00 , C08F212/08 , C08F230/08 , C08F297/026 , G03F7/0002 , B05D1/185
Abstract: 【課題】相分離時間及び塗布性を維持しつつ、十分に微細なパターンを形成することが可能なパターン形成用組成物の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、ケイ素原子を含む第1繰り返し単位からなる第1ブロックと、ケイ素原子を含まない第2繰り返し単位からなる第2ブロックとを有し、自己組織化により相分離構造を形成し得るブロック共重合体、及び溶媒を含有するパターン形成用組成物であって、上記第1繰り返し単位が2個以上のケイ素原子を含みかつ構成する原子の原子量の総和が700以下であることを特徴とする。上記第2ブロックとしては非置換若しくは置換スチレン単位からなるポリスチレンブロック又は(メタ)アクリル酸エステル単位からなるポリ(メタ)アクリル酸エステルブロックが好ましい。 【選択図】図8
Abstract translation: 要解决的问题:提供能够形成足够细微图案同时保持相分离时间并施加性能的图案形成组合物。解决方案:图案形成组合物包括:嵌段共聚物,其具有包含第一重复单元的第一嵌段,包括硅原子 和包含不包含硅原子的第二重复单元的第二块,并且通过自组织实现相分离结构; 和溶剂。 第一重复单元包括两个或多个硅原子,并且具有700或更小的构成原子的总和。 第二块优选为包含未取代或取代的苯乙烯单元或包含(甲基)丙烯酸酯单元的聚(甲基)丙烯酸酯嵌段的聚苯乙烯嵌段。
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公开(公告)号:JP5713012B2
公开(公告)日:2015-05-07
申请号:JP2012515933
申请日:2011-05-19
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , C07C69/653 , C07C69/753 , C07D307/93 , C08F22/18 , C08F220/26 , C08F24/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/2041 , C08F220/24
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公开(公告)号:JPWO2020166486A1
公开(公告)日:2021-12-16
申请号:JP2020004640
申请日:2020-02-06
Applicant: JSR株式会社
IPC: G16C60/00
Abstract: 本発明のデータ処理方法は、物性値の真値が既知の複数の第1化合物それぞれについて、物性値としての第1の計算値を第1の計算法により、物性値としての第2の計算値を第2の計算法により取得し、第1の計算値を真値に補正する第1の補正モデルと第2の計算値を真値に補正する第2の補正モデルとを生成し、物性値の真値が未知の第2化合物について、少なくとも第1の計算法により計算結果が取得できる領域を含む領域において第1の計算法により物性値として得られた計算値を第1の補正モデルにより補正した値を真値とし、少なくとも第1の計算法により計算結果が取得できない領域を含む領域において第2の計算法により第2化合物の物性値として取得した計算値を第2の補正モデルにより補正した値を真値としてデータベースに格納する。
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公开(公告)号:JP2020019899A
公开(公告)日:2020-02-06
申请号:JP2018145309
申请日:2018-08-01
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】金属基板の表面を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる組成物、基板表面の修飾方法及び重合体を提供する。 【解決手段】金属基板の表面修飾に用いられる組成物であって、芳香環を含む第1構造単位及びエチレン性二重結合を含む第2構造単位を有する重合体と、熱酸発生剤と溶媒とを含有し、上記重合体が上記金属基板中の金属原子と結合する官能基を有する組成物。上記重合体は上記官能基を含む基を主鎖の末端又は側鎖の末端に有することが好ましい。上記第1構造単位は置換又は非置換のスチレンに由来することが好ましい。上記重合体における上記第2構造単位の含有割合は50モル%以下が好ましい。上記第2構造単位は、エチレン性二重結合を主鎖中及び側鎖中に含むことが好ましい。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP2020013994A
公开(公告)日:2020-01-23
申请号:JP2019123719
申请日:2019-07-02
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/31 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 【課題】表層に金属原子を有する領域を有する基板の表面を簡便かつ高選択的に疎水化することができ、この疎水化処理によってALD法又はCVD法による金属オキサイド形成に対する高いブロッキング性能を発揮することができる基板処理方法、基板処理システム及び自己組織化材料の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、1又は複数のシアノ基を有する炭素数6以上の化合物を含む自己組織化材料を用い、表層に金属原子を有する第1領域を有する基板の表面に膜を積層する工程と、上記積層工程後、上記第1領域以外の領域の膜を除去する工程と、上記除去工程後、上記基板表面のうち上記第1領域以外の領域にALD法又はCVD法により金属オキサイドを主成分とするパターンを形成する工程とを備える基板処理方法である。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6394042B2
公开(公告)日:2018-09-26
申请号:JP2014085946
申请日:2014-04-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/40 , C08F297/02 , H01L21/027 , C08L53/00
CPC classification number: C09D153/00 , B05D1/185 , C08F212/08 , C08F230/08 , C08F297/026 , G03F7/0002
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公开(公告)号:JP2018025739A
公开(公告)日:2018-02-15
申请号:JP2016217575
申请日:2016-11-07
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/38 , C08F220/18 , C08F212/14 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 【課題】良好な感度を維持しつつ優れたリソグラフィ性能を発揮することが可能な化学増幅型レジスト材料の提供を目的とする。 【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(a)成分又は上記(c)成分が、感放射線性を有する第1化合物及び感放射線性を有する第2化合物を有し、上記第1化合物が、第1オニウムカチオンと第1アニオンとを含み、上記第2化合物が、第2オニウムカチオンと上記第1アニオンと異なる第2アニオンとを含み、上記第1オニウムカチオン及び上記第2オニウムカチオンが、ラジカルに還元される際に放出するエネルギーが共に5.0eV未満である。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP2017054116A
公开(公告)日:2017-03-16
申请号:JP2016174104
申请日:2016-09-06
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F20/00 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/203 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/325 , C08F2220/283 , C08F2220/382
Abstract: 【課題】EUV光等の250nm以下の波長を有する放射線をパターン露光光として用いた場合における感度及びリソグラフィ性能を両立可能なパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明に係るレジストパターン形成方法は、基板に化学増幅型レジスト材料を用いてレジスト膜を形成する膜形成工程と、上記レジスト膜に250nm以下の波長を有する放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト膜に250nmを超える波長を有する放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト膜を加熱するベーク工程と、上記レジスト膜を有機溶媒を主成分とする現像液に接触させる現像工程とを備え、上記化学増幅型レジスト材料が、(1)重合体成分と、(2)成分とを含み、上記(2)成分が、(a)及び(b)成分、(b)及び(c)成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有し、(b)成分が、下記式(B)で表される化合物を含む。 【選択図】なし
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