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公开(公告)号：CN100376996C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410085644.1
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 公开了一种形成有三个导电层的三掩模水平电场施加型薄膜晶体管基板。第一导电层包含平行的选通线和公共线以及选通电极和公共电极。在该结构上涂布的栅绝缘膜上形成半导体图案。第二导电层在该半导体图案上形成数据线、与该数据线相连的源极以及与该源极相对的漏极。在其上涂布保护膜。对该保护膜和栅绝缘膜进行构图，以露出漏极的一部分和像素孔。对第三导电层进行构图，以提供在该像素孔内与该被露出的漏极相连并与该保护膜形成界面的像素电极。
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公开(公告)号：CN100368920C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410088816.0
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管基板结构。该结构包括由第一导电层形成的栅线和公共线；由第二导电层形成并与所述栅线和公共线交叉的数据线，该数据线与所述栅线和公共线通过栅极绝缘膜相互绝缘，该数据线与所述栅线的交叉限定像素区；在交叉点处的薄膜晶体管；在像素区内公共电极的延伸部分；由第三导电层形成并连接到薄膜晶体管的像素电极，其在像素区内具有延伸部分，由该像素电极和公共电极形成水平电场；并且限定多个像素孔，其中所述像素电极设置在至少一像素孔内并且连接到漏极。
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公开(公告)号：CN100368918C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410086756.9
申请日：2004-10-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/134363 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 一种水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板结构，它包括多个设置在基板上具有栅极线、数据线和公共线的多条信号线；所述数据线与所述栅极线和公共线交叉，栅极绝缘膜设置在所述数据线和所述栅极线及公共线之间，所述数据线和栅极线交叉确定像素区域；设置在所述数据线和栅极线交叉处的薄膜晶体管；公共电极和像素电极，两者都具有延伸到所述像素区域内的部分；设置在整个基板上和薄膜晶体管上的保护膜；以及至少一个焊盘结构，其包括在第一接触孔内与下焊盘电极相接触的上焊盘电极，其中所述保护膜的上表面不具有所述上焊盘电极。
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公开(公告)号：CN101097907A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126005.9
申请日：2007-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L27/3253
Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件机器制造方法。有机发光器件包括第一显示基板、第二显示基板、和第一粘着力增强件。第一显示基板包括第一基板、第一电极、有机发光图案、第一衬垫料，和第二电极。第一电极在第一基板的整个表面上形成，而有机发光图案设置在第一电极上。第一衬垫料对应有机发光图案并且设置在第一电极上。第二电极覆盖有机发光图案和第一衬垫料。第二显示基板包括第二基板、和第一驱动信号传输部分。第一粘着力增强件将第二电极电/物理结合到第一驱动信号传输部分。
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公开(公告)号：CN100345053C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410092535.2
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及利用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法。一种用于使用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；由第一导电层形成在基板上且彼此平行的选通线和第一公共线；形成在基板、选通线和公共线上的栅绝缘膜；由第二导电层形成在栅绝缘膜上的数据线，其与选通线和公共线交叉，以限定像素区域；薄膜晶体管，与选通线和数据线相连接；保护膜，覆盖数据线和薄膜晶体管；由第三导电层形成并通过穿过保护膜和栅绝缘膜的孔与公共线相连接的公共电极；以及，由第二导电层形成的像素电极，其与薄膜晶体管相连接以在该像素电极与公共电极之间限定一水平电场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1614492A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410092535.2
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 利用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法。一种用于使用水平电场的薄膜晶体管基板结构，包括：基板；由第一导电层形成在基板上且彼此平行的选通线和第一公共线；形成在基板、选通线和公共线上的栅绝缘膜；由第二导电层形成在栅绝缘膜上的数据线，其与选通线和公共线交叉，并且栅绝缘膜位于其与选通线和公共线之间，以限定像素区域；薄膜晶体管，与选通线和数据线相连接；保护膜，覆盖数据线和薄膜晶体管；由第三导电层形成并通过穿过保护膜和栅绝缘膜的孔与公共线相连接的公共电极；以及，由第二导电层形成的像素电极，其与薄膜晶体管相连接以在该像素电极与公共电极之间限定一水平电场。
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公开(公告)号：CN1614489A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410088815.6
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/134363 , G02F2001/136231
Abstract: 一种水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板包括：在基板上由第一导电层形成的平行设置的栅线和公共线；由第二导电层形成的数据线，该数据线与栅线和公共线相互交叉并且其间设置有栅绝缘层，使得该数据线、栅线和公共线限定一像素区；薄膜晶体管，具有连接到栅线的栅极和连接到数据线的源极；公共电极，由第一导电层形成并从公共线延伸到像素区；保护膜，用于覆盖多条信号线、多个电极和薄膜晶体管；在保护膜中平行于公共电极的细长形像素孔；和在像素孔中由第三导电层形成的连接到薄膜晶体管的漏极侧表面的像素电极。
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公开(公告)号：CN1614485A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410086756.9
申请日：2004-10-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/134363 , G02F2001/136231 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 一种水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板结构，它包括多个设置在基板上具有栅极线、数据线和公共线的多条信号线；所述数据线与所述栅极线和公共线交叉，栅极绝缘膜设置在所述数据线和所述栅极线及公共线之间，所述数据线和栅极线交叉确定像素区域；设置在所述数据线和栅极线交叉处的薄膜晶体管；公共电极和像素电极，两者都具有延伸到所述像素区域内的部分；设置在整个基板上和薄膜晶体管上的保护膜；以及至少一个焊盘结构，其包括在第一接触孔内与下焊盘电极相接触的上焊盘电极，其中所述保护膜的上表面不具有所述上焊盘电极。
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公开(公告)号：CN1614484A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410085644.1
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 公开了一种形成有三个导电层的三掩模水平电场施加型薄膜晶体管基板。第一导电层包含平行的选通线和公共线以及选通电极和公共电极。在该结构上涂布的栅绝缘膜上形成半导体图案。第二导电层在该半导体图案上形成数据线、与该数据线相连的源极以及与该源极相对的漏极。在其上涂布保护膜。对该保护膜和栅绝缘膜进行构图，以露出漏极的一部分和像素孔。对第三导电层进行构图，以提供在该像素孔内与该被露出的漏极相连并与该保护膜形成界面的像素电极。
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公开(公告)号：CN1606162A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083486.6
申请日：2004-10-09
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L27/1248 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458
Abstract: 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板包括在一基板上的选通图形。选通图形包括栅极、连接到栅极的选通线、和连接到选通线的下选通焊盘电极。源/漏图形包括源极和漏极、连接到源极的数据线、和连接到数据线的下数据焊盘电极。半导体图形形成在源/漏图形之下。透明电极图形包括连接到漏极的像素电极、连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极、和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极。薄膜晶体管阵列基板还包括在除了其中形成有透明电极图形的区域以外的剩余区域处层叠的栅绝缘图形和钝化膜图形。
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