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公开(公告)号：CN100371813C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410085639.0
申请日：2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板，该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT，用于保护TFT的保护膜，连接到TFT的像素电极，基本平行于像素电极的公共线，连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极，以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板，并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号：CN101060125A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710087382.6
申请日：2004-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1345
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括防静电装置，包括在非显示区上各自连接到信号线的多个薄膜晶体管，其特征在于，每一薄膜晶体管包括：由第一导电层形成的栅极；由第二导电层形成的源极和漏极；在源极和漏极之间限定沟道的半导体层；暴露出第一薄膜晶体管的第一导电层和第二薄膜晶体管的第二导电层的相邻部分的第一接触孔；以及在第一接触孔内由第三导电层形成的第一接触电极，连接暴露的第一导电层和暴露的第二导电层。
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公开(公告)号：CN1892394A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094214.5
申请日：2006-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36 , G02F1/1333 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 公开了一种简化了工艺的液晶显示器件及其制造方法。在制造该液晶显示器件的方法中，通过第一掩模工艺在基板上形成第一导电图案组，该第一导电图案组包括多层导电层形式的选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘，该多层导电层具有阶梯形状并包括透明导电层。通过第二掩模工艺在第一掩模图案组上形成包括多个接触孔的绝缘膜和半导体层。在半导体层上形成包括数据线、源极和漏极的第二图案组，并对半导体层进行构图，并且通过第三掩模工艺在源极和漏极之间暴露出有源层。
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公开(公告)号：CN1892385A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094216.4
申请日：2006-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 公开了一种简化工艺的液晶显示器件及其制造方法。在该液晶显示器件的制造方法中，在基板上形成包括选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘的第一导电图案组。在第一掩模图案组上形成半导体图案以及包括多个接触孔的绝缘膜。并且在设置有半导体图案的绝缘膜上形成包括数据线、源极和漏极并暴露出半导体图案的有源层的第二导电图案组。
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公开(公告)号：CN1790103A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112844.6
申请日：2005-10-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362 , H01S3/02
Abstract: 本发明涉及用于修复液晶显示板的装置和方法，该装置能够通过使亮点变暗来使液晶显示板的缺陷率最小化，从而提高其成品率。根据本发明的用于修复液晶显示板的装置包括：液晶显示板，其包括在彼此相对的第一基板和第二基板的任一个上形成的修复膜，液晶层位于所述两个基板之间；和激光照射装置，用于向修复膜照射激光，以使修复膜的特定区域变暗，该区域与液晶显示板中出现亮点的区域相对应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1614742A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410088814.1
申请日：2004-11-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/134363 , G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明公开了一种采用水平电场的薄膜晶体管基板结构，该结构包括一基板；在基板上由第一导电层彼此平行地形成的栅极线和公共线；在基板、栅极线和公共线上形成的栅极绝缘膜；由第二导电层在栅极绝缘膜上形成的数据线，该数据线与栅极线和公共线交叉以限定一像素区；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；覆盖数据线和薄膜晶体管的保护膜；由第三导电层形成的连接到公共线的公共电极，该公共电极设置在贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第一孔内；以及连接到薄膜晶体管并且由第三导电层形成的像素电极，该像素电极设置在像素区贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第二孔内，所设置的像素电极和公共电极限定一水平电场。
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公开(公告)号：CN1607445A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410085639.0
申请日：2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板，该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板，TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT，用于保护TFT的保护膜，连接到TFT的像素电极，基本平行于像素电极的公共线，连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极，以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板，并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号：CN1606125A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410070531.4
申请日：2004-08-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2201/50 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , Y10S438/951
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，能够简化基板结构和制造工艺。薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成栅极图案；在具有栅极图案的所述基板上形成栅极绝缘膜；形成源极/漏极图案和半导体图案；在所述基板的整个表面上形成钝化膜以保护薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案对所述钝化膜构图以形成钝化膜图案，钝化膜图案的线宽窄于光刻胶图案的线宽；形成透明电极图案，所述透明电极图案从钝化膜图案的侧平面延伸并形成于不包括钝化膜图案的区域。
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公开(公告)号：CN1605916A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410070171.8
申请日：2004-08-04
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133707
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板、具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示板以及制造该薄膜晶体管阵列基板和液晶显示板的方法，该方法可以简化该基板的结构及其制造过程并增大视角。根据本发明的用于液晶显示板的薄膜晶体管阵列基板包括：在基板上形成的栅极线；数据线，其与该栅极线交叉从而限定像素区，数据线与栅极线之间设有栅极绝缘膜；薄膜晶体管，其在栅极线和数据线的交叉处形成；钝化膜图案，其将薄膜晶体管的部分漏极暴露出来；至少一突起部分，其将像素区分为多个区，每个区具有彼此不同的液晶排列；以及与薄膜晶体管连接的像素电极，其在像素区中除钝化膜图案和突起部分以外的部分上形成。
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公开(公告)号：CN1326201C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410070531.4
申请日：2004-08-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2201/50 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , Y10S438/951
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，能够简化基板结构和制造工艺。该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括如下步骤：在基板上形成薄膜晶体管的栅极、与该栅极相连的栅极线，以及与栅极线相连的下栅极焊盘电极；在具有栅极图案的所述基板上形成栅极绝缘膜；形成源极/漏极图案和半导体图案；在所述基板的整个表面上形成钝化膜以保护薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案对所述钝化膜构图以形成钝化膜图案，钝化膜图案的线宽窄于光刻胶图案的线宽；形成透明电极图案，所述透明电极图案从钝化膜图案的侧平面延伸并形成于不包括钝化膜图案的区域。
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