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    METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC CONVERSION ELEMENT, CERAMIC CONVERSION ELEMENT AND OPTOELECTRONIC DEVICE
    31.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC CONVERSION ELEMENT, CERAMIC CONVERSION ELEMENT AND OPTOELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    陶瓷转换元件，陶瓷转换元件和光电器件的生产方法

    公开(公告)号：WO2016087600A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：PCT/EP2015/078559

    申请日：2015-12-03

    Applicant: OSRAM SYLVANIA INC. ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PIQUETTE, Alan ,  KUNDALIYA, Darshan ,  GOEOETZ, Britta ,  KELSO, John F. ,  RAUKAS, Madis ,  LINKOV, Alexander

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/0753

    Abstract: A method for producing a ceramic conversion element comprising the following steps is provided: - providing a ceramic basic body in the green state, said ceramic basic body comprises a phosphor, which converts light of a first wavelength range into light of a second wavelength range, - structuring the ceramic basic body in the green state such that pixel regions are formed within the ceramic basic body, said pixel regions being separated from each other by grooves, while the ceramic basic body comprises a continuously connecting part, which connects the pixel regions along a main surface, wherein - the structuring is performed by one of the following methods: laser structuring, micro-embossing, sawing, grinding, etching in combination with a mask, sand blasting, jet cutting. Alternatively, a ceramic basic body in the sintered state is provided and structured accordingly. Further, a conversion element as well as a optoelectronic device is described.

    Abstract translation: 提供了一种陶瓷转换元件的制造方法，包括以下步骤： - 提供处于绿色状态的陶瓷基体，所述陶瓷基体包括将第一波长范围的光转换成第二波长范围的光的荧光体， - 将陶瓷基体构造成绿色状态，使得像素区域形成在陶瓷基体内，所述像素区域通过凹槽彼此分离，而陶瓷基体包括连续连接部分，其连接像素区域沿着 主表面，其中 - 结构化通过以下方法之一进行：激光结构，微压花，锯切，研磨，与掩模组合的蚀刻，喷砂，喷射切割。 或者，提供烧结状态的陶瓷基体并相应地构成。 此外，描述了转换元件以及光电子器件。

    HALBLEITERCHIP, DISPLAY MIT EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    33.
    发明申请
    HALBLEITERCHIP, DISPLAY MIT EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
    半导体芯片中，随着对半导体芯片的数字和方法施展

    公开(公告)号：WO2012130499A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：PCT/EP2012/051446

    申请日：2012-01-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  LINKOV, Alexander ,  LINDER, Norbert

    Inventor： VON MALM, Norwin ,  LINKOV, Alexander ,  LINDER, Norbert

    IPC: H01L33/46 ,  H01L27/15 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, der einen Halbleiterkörper (6) aus Halbleitermaterial, eine dem Halbleiterkörper in Abstrahlrichtung nachgeordnete Auskoppelfläche (9) und eine Spiegelschicht (1) aufweist. Der Abstand zwischen aktiver Schicht (2) und Spiegelschicht (1) ist derart eingestellt, dass eine von der aktiven Schicht (2) in Richtung der Auskoppelfläche (9) emittierte Strahlung mit einer an der Spiegelschicht (1) reflektierten Strahlung so interferiert, dass der Halbleiterchip (100) eine Abstrahlcharakteristik der emittierten Strahlung mit einer Vorzugsrichtung in Vorwärtsrichtung aufweist. Weiter wird ein Display (1000) mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (100) angegeben. Weiter werden Verfahren zu deren Herstellung angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（100）包括半导体材料的半导体本体（6），在辐射耦合输出区域（9）下游的半导体主体和反射镜层（1）。 活性层（2）和镜面层（1）之间的距离被设定为使得所述有源层中的一个（2）辐射朝向输出表面发射（9），其具有在反射镜层（1）反射的辐射，从而干扰该 半导体芯片（100）具有所发射的辐射与在向前方向上的优选方向的辐射图案。 此外，具有多个这样的半导体芯片（100）的显示（1000）中指定的。 下一步程序及其制备规定。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    35.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子半导体芯片和方法及其

    公开(公告)号：WO2012062512A1

    公开(公告)日：2012-05-18

    申请号：PCT/EP2011/066743

    申请日：2011-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher

    Inventor： SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/20 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0083

    Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsseite (21) auf. Der Halbleiterchip (10) weist weiter eine Konversionsschicht (3) auf, die mit einer Befestigungsseite (31) auf der Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (3) ist geeignet, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Befestigungsseite (31) der Konversionsschicht (3) weist eine erste Nanostrukturierung (4) auf. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine zweite Nanostrukturierung (5) auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

    Abstract translation: 它被指示时，光电子半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）。 半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射有源层和辐射出射侧（21）的开口。 半导体芯片（10），还包括被布置成与上半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）连接侧（31）的转换层（3）。 转换层（3）被适配为至少从所述有源层发射到不同的波长的辐射的光的一部分转换。 转换层（3）的紧固侧（31）具有第一纳米结构体（4）。 半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）包括第二纳米结构化（5）。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    36.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2012016850A1

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：PCT/EP2011/062598

    申请日：2011-07-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LINKOV, Alexander ,  WIRTH, Ralph

    Inventor： LINKOV, Alexander ,  WIRTH, Ralph

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es handelt sich um ein optoelektronisches Bauelement (1) zur Mischung von elektromagnetischer Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen, insbesondere im Fernfeld. Das optoelektronisches Bauelement (1) umfasst einen Träger (2). Auf dem Träger (2) ist mindestens ein erster Halbleiterchip (3) mit einer ersten Strahlungsaustrittsfläche (13) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten Spektralbereich (14) vorgesehen. Auf dem Träger (2) ist mindestens ein zweiter Halbleiterchip (4) mit einer zweiten Strahlungsaustrittsfläche (17) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten Spektralbereich (15) vorgesehen. Auf den vom Träger (2) abgewandten Strahlungsaustrittsflächen (13, 17) der Halbleiterchips (3, 4) ist eine Streuschicht (8) vorgesehen.

    Abstract translation: 它是一种光电子器件（1）到具有在远场中不同的波长，特别是电磁辐射该混合物。 光电子器件（1）包括支撑件（2）。 在载体（2）是具有用于在第一频谱区域（14）发射电磁辐射的第一辐射出射表面（13）的至少一个第一半导体芯片（3）。 在载体（2）是至少一个第二半导体芯片（4）与第二辐射出射表面（17），用于在第二光谱区（15）的电磁辐射的发射。 在载体（2）远离所述半导体芯片的辐射出射表面（13，17）（3,4）设置的扩散层（8）。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    37.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2010012264A1

    公开(公告)日：2010-02-04

    申请号：PCT/DE2009/000988

    申请日：2009-07-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BINDER, Michael ,  LINKOV, Alexander ,  ZEILER, Thomas ,  BRICK, Peter

    Inventor： BINDER, Michael ,  LINKOV, Alexander ,  ZEILER, Thomas ,  BRICK, Peter

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit - einem Anschlussträger (2), - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1), der auf einer Montagefläche (22) des Anschlussträgers (2) angeordnet ist, und - einem strahlungsdurchlässigen Körper (3), der den Halbleiterchip (1) umgibt, wobei - der strahlungsdurchlässige Körper (3) ein Silikon enthält, - der strahlungsdurchlässige Körper (3) zumindest eine Seitenfläche (31) aufweist, die zumindest stellenweise in einem Winkel (β)

    Abstract translation: 本发明提供一种光电子半导体器件，包括： - （2），一个连接载体 - 的光电子半导体芯片（1）设置在所述连接架（2）的安装面（22），以及 - 辐射透明体（3），在半导体芯片的 （1），其中 - 所述辐射透射体（3）含有有机硅， - 所述辐射透射体（3）的至少一个侧表面（31）（SS）在以一定的角度<90°到安装表面至少局部地延伸（22） 和 - 侧表面（3）是通过单片化过程中产生的。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    40.
    发明公开
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 有权

    公开(公告)号：EP2308105A1

    公开(公告)日：2011-04-13

    申请号：EP09775971.6

    申请日：2009-07-15

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： BINDER, Michael ,  LINKOV, Alexander ,  ZEILER, Thomas ,  BRICK, Peter

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor component, having – a connection carrier (2), - an optoelectronic semiconductor chip (1) disposed on a mounting surface (22) of the connection carrier (2), and – a body transparent to radiation (3) enclosing the semiconductor chip (1), wherein – the body transparent to radiation (3) comprises a silicone, - the body transparent to radiation (3) comprises at least one side surface (31) running at least in places at an angle (β)

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电子半导体器件，其具有 - 连接载体（2）， - 设置在连接载体（2）的安装表面（22）上的光电子半导体芯片（1），以及 - 对辐射 3）包围半导体芯片（1），其中 - 对辐射透明的主体（3）包括硅树脂， - 对辐射透明的主体（3）包括至少一个侧面（31） （β）<90°，并且 - 侧表面（3）通过分割工艺产生。

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