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公开(公告)号：CN110092656B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910072676.4
申请日：2019-01-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/465 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/49
Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，其在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，A进一步包含选自Ca及Sr中的至少1种，B包含Ti，由X射线衍射法求得的烧结体晶格体积为以下。
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公开(公告)号：CN108257779B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201711443170.7
申请日：2017-12-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有充分的可靠性的层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电容器(2)具有内部电极层(12)和内侧电介质层(10)交替层叠而成的层叠体。内侧电介质层(10)的厚度为0.5μm以下，在内部电极层(12)的内部内包有陶瓷颗粒(50)，内包于内部电极层(12)的陶瓷颗粒(50)的截面积显示的含量比例为2～15％。
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公开(公告)号：CN110776317A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910641541.5
申请日：2019-07-16
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/48 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种进一步提高绝缘电阻率及高温负荷寿命的电介质陶瓷组合物。该电介质陶瓷组合物包含含有以通式ABO3(A为Ba等，B为Ti等)表示的主成分和稀土成分R的核-壳结构的电介质颗粒，其中，上述核-壳结构的壳部中的平均稀土浓度C为0.3atom％以上，壳部的稀土浓度梯度S为-0.010atom％/nm≤S≤0.009atom％/nm，或壳部的稀土浓度的偏差为σ/C≤0.15(σ为稀土浓度的标准偏差，C为稀土浓度的平均)。
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公开(公告)号：CN110092656A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910072676.4
申请日：2019-01-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/465 , H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/49
Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性的电介质陶瓷组合物及适用了该电介质陶瓷组合物的电子部件。一种电介质陶瓷组合物，其在A表示A位点的元素、B表示B位点的元素、O表示氧元素的情况下，以通式ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分，A包含Ba，A进一步包含选自Ca及Sr中的至少1种，B包含Ti，由X射线衍射法求得的烧结体晶格体积为以下。
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公开(公告)号：CN106024382B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610182460.X
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 层叠陶瓷电子部件具有交替层叠有多个电介质层和多个内部电极层而形成的陶瓷素体、以及在陶瓷素体的表面与上述内部电极层连接的至少一对外部电极。电介质层(10)的厚度为0.4μm以下。陶瓷素体(4)的沿着宽度方向的宽度尺寸(W0)为0.59mm以下。沿着陶瓷素体(4)的宽度方向，从陶瓷素体(4)的外表面到内部电极层(12)的端部为止的间隙尺寸(Wgap)为0.010～0.025mm。间隙尺寸与宽度尺寸的比率(Wgap/W0尺寸)为0.025以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104637675B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410612861.5
申请日：2014-11-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/16 , C04B2235/3298 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/80 , H01G4/085 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/55
Abstract: 本发明涉及介电组合物，提供一种维持高的相对介电常数并且显示良好的温度特性的介电组合物。所述介电组合物含有通式Bi12SiO20所表示的结晶相和通式Bi2SiO5所表示的结晶相作为主要成分。优选所述介电组合物含有Bi2SiO5结晶相5质量％～99质量％，进一步优选为30质量％～99质量％。
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公开(公告)号：CN114914086B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210101778.6
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。一种电介质组合物，其具有主相、第一偏析相以及第二偏析相。主相包含具有由ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。第一偏析相包含RE(RE为选自稀土元素中的一种以上)、A、Si、Ti及O。第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si。在电介质组合物的截面中，将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2，0.10
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公开(公告)号：CN114907113B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210098616.1
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相粒子和偏析粒子，主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。电介质组合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M为选自特定的元素组中的1种以上的元素。RA相对于主成分的含量CRA、RB相对于主成分的含量CRB、M相对于主成分的含量、Si相对于主成分的含量在规定的范围内。在将偏析粒子中主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti的特定偏析粒子中的RA的平均含量设为α摩尔％，将RB的平均含量设为β摩尔％的情况下，0.50＜(α/β)/(CRA/CRB)≤1.00。
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公开(公告)号：CN114644522B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111552201.9
申请日：2021-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，具有：电介质颗粒，其主成分为以组成式(Ba1－x－ySrxCay)m(Ti1－zZrz)O3表示的化合物；以及，晶界，其存在于该电介质颗粒之间，组成式的m、x、y、z均为摩尔比，组成式满足0.9≦m≦1.4、0≦x＜1.0、0＜y≦1.0、0.9≦(x+y)≦1.0、0.9≦z≦1.0，而且，电介质颗粒包含具有规定的粒内组织的特定结构颗粒，在该特定结构颗粒的粒内存在Ca浓度互不相同的第一区域及第二区域，将第一区域中的Ca浓度的平均值设为C1，且将第二区域中的Ca浓度的平均值设为C2时，C2/C1低于0.8。
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公开(公告)号：CN114914085A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210099142.2
申请日：2022-01-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相和含有稀土元素RE的偏析相。主相包含具有以ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分。将偏析相中、Si相对于RE的原子数比为0以上且0.20以下的偏析相设为第一偏析相，将Si相对于RE的原子数比超过0.20的偏析相设为第二偏析相。在电介质组合物的截面中，在将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2的情况下，0≤S1/S2≤0.10。第二偏析相中的Si相对于RE的原子数比平均为0.80以下。
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