公开(公告)号：CN101743071A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024918.2

申请日：2008-07-17

Applicant: P2I有限公司

Inventor： 斯蒂芬·理查德·库尔森 ,  查尔斯·埃德蒙·金

IPC: B05D7/24 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01J37/32449 ,  B05D1/62 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/507 ,  C23C16/54 ,  Y10T428/31504

Abstract: 一种通过等离子体沉积来使物品(14)的表面涂覆有薄膜聚合物层的设备(10)，该设备包括：多个处理室(12a，12b，12c，...12n)，一个或多个物品能被放进该多个处理室中的每一个处理室内；用于对所述处理室提供活性物质以便在所述室中形成等离子体的装置(18，19，20，21，22)；多个感应装置(24)，其与相应的处理室相关联，每一个感应装置可操作以在关联的处理室内感生电场，以便在所述活性物质被提供到该处理室时形成等离子体，使得所述物品表面能通过等离子体沉积而被涂覆有薄膜聚合物层；用于在感应装置中提供随时间变化的电流的装置(26)；以及压力控制装置(28)，其用于选择性地控制所述处理室中的压力，使得所述室中的任何一个或多个室中的压力能独立于所述室中其它室中的压力而被控制。

公开(公告)号：CN101688083A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880020534.3

申请日：2008-06-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松尾泰秀

IPC: C09J5/02 ,  B32B9/00 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B05D1/62 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  C08G77/12 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/31504

Abstract: 本发明的接合方法包括：在第一基材的表面上形成等离子体聚合膜，得到第一粘附体的第一工序；向等离子体聚合膜的表面照射紫外光，活化表面的第二工序；准备至少在供给于与第一粘附体的接合的面不具备等离子体聚合膜的第二粘附体(第二基材)，使该第二粘附体和活化的等离子体聚合膜的表面接触地贴合第一粘附体和第二粘附体，得到接合体的第三工序。

公开(公告)号：CN101528975A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039001.5

申请日：2007-10-18

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 莫塞斯·M·大卫 ,  史蒂文·J·马丁 ,  鲁道夫·达姆斯 ,  韦恩·W·凡

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  B05D7/24 ,  C23C28/04

CPC classification number: B05D5/083 ,  B05D1/62 ,  B05D7/14 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  C23C28/00 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开一种形成易于清洁的金属或金属化基底的方法，所述方法包括通过等离子沉积在所述基底的至少一部分表面上形成包括硅、氧和氢的层；以及将包括至少一个硅烷基团的至少部分氟化的组合物施加到包括硅、氧和氢的所述层的至少一部分表面上；以及通过所述方法制备的易于清洁的制品。

公开(公告)号：CN101248211A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680027317.8

申请日：2006-07-24

Applicant: 西得乐公司

Inventor： 让-米歇尔·鲁斯

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  B05D7/22

CPC classification number: C23C16/045 ,  B05D1/62 ,  B05D7/02 ,  B05D7/227 ,  C23C16/511

Abstract: 一种通过等离子体增强型化学气相沉积，用于在容器(2)的内壁上沉积有阻挡作用的材料的薄层的装置(1)，所述装置(1)包括：处理单元(4)，其容纳容器(2)和装有电磁波生成器(11)；前驱气体入口(17)；注入器(13)，用于将所述前驱气体注入到容器(2)中，所述注入器(13)具有向外打开到容器(2)中的底端(14)和对应的顶端(15)；前驱气体供料管(20)，其使前驱气体入口(17)进入到与注入器(13)的顶端(15)相连的流体流动中；和电磁阀(25)，其插入到前驱气体出口(17)和注入器(13)之间的供料管(20)中，其紧挨着注入器(13)顶端(15)的上游。

公开(公告)号：CN100412230C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN03811921.8

申请日：2003-05-26

Applicant: 肖特股份公司

Inventor： 斯特凡·贝勒 ,  安德烈亚斯·吕特林豪斯-亨克尔 ,  格雷戈尔·阿诺尔德 ,  马蒂亚斯·比克尔 ,  马滕·瓦尔特 ,  于尔根·克莱因

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/50 ,  B05D7/24 ,  C03C17/00

CPC classification number: C23C16/4409 ,  B05D1/62 ,  B08B7/00 ,  B08B9/426 ,  B29C49/421 ,  B29C2049/4221 ,  B29C2791/001 ,  B65D23/02 ,  B65G29/00 ,  B65G2201/0244 ,  C03C17/005 ,  C08J9/0004 ,  C08J2300/14 ,  C23C14/046 ,  C23C14/505 ,  C23C14/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32733

Abstract: 为了简化工件(25、27)在等离子涂层的反应器中的插入和取出并且提高生产能力，本发明提供一种涂层装置(1)，其包括：一具有一可移动的套筒元件(19)和一底座元件(33)的反应器(18)，其中在结合在一起的位置在套筒元件(19)与底座元件(33)之间限定至少一个密封的涂层室(15、17)；以及一用于将电磁能输入至少一个涂层室(15、17)的装置(2)，其中反应器(18)具有至少两个涂层位置(12、14)。

公开(公告)号：CN100400183C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN03807354.4

申请日：2003-03-24

Applicant: 普拉索技术有限公司

Inventor： 罗布·肖特 ,  贾森·惠特尔 ,  亚历克斯G·沙尔德 ,  戴维·巴顿

IPC: B05D7/24 ,  G01N33/543

CPC classification number: B05D1/62 ,  C08F255/00 ,  C08F283/06 ,  C08F291/00 ,  G01N33/54393 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/336 ,  H01J2237/3382

Abstract: 本发明提供一种制备基体的至少一个表面的至少一部分的方法，该方法包括在该表面上沉积至少一种等离子单体，其中在沉积该单体的过程中，提供了沿待处理表面移动该单体以制备非均匀等离子体聚合物表面的装置。

公开(公告)号：CN101053068A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037637.7

申请日：2005-10-26

Applicant: 兰姆研究公司

Inventor： 陈婉琳 ,  竹下健二 ,  朝生强 ,  川口晴司 ,  T·麦克拉德 ,  E·马格尼 ,  M·凯利 ,  M·卢潘 ,  R·赫夫蒂

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B05D1/62 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/31116

Abstract: 提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。

公开(公告)号：CN100340595C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03825717.3

申请日：2003-01-30

Applicant: 欧洲等离子公司

Inventor： 马克·保韦尔斯 ,  安东尼·范兰德格姆 ,  约翰·帕尔默斯

IPC: C08J9/36 ,  B05D7/24

CPC classification number: B05D7/02 ,  B05D1/62 ,  B05D3/0493 ,  B05D5/083 ,  B05D2201/00 ,  C08J9/365 ,  C08J2205/05 ,  H01J2237/3382

Abstract: 本发明一方面涉及一种在整个结构中具有开孔结构的制品表面上提供涂层的方法，其中所述涂层通过等离子体聚合法获得。对于该具体过程，需要制备泡沫以用于等离子体聚合法。在开孔和半-开孔结构中以定性和均质的方法进行聚合。另一方面，本发明涉及上述方法在整个聚合物结构中的开孔聚合物的表面上作为疏水剂、疏油剂、阻燃剂和/或防渗涂层的应用。

公开(公告)号：CN101031669A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032732.8

申请日：2005-09-02

Applicant: 陶氏环球技术公司

Inventor： A·M·加贝尔尼克 ,  C·A·兰伯特

IPC: C23C16/02 ,  C08J7/04 ,  C23C16/40 ,  B05D7/24

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D7/53 ,  B05D2201/00 ,  C08J7/123 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401

Abstract: 本发明提供在有机聚合物基材的表面上通过大气压等离子体沉积制备多层涂层的方法，方法的步骤包括在第一步骤中由气态混合物的大气压等离子体沉积，沉积等离子体聚合的，光学透明，高度粘附的有机硅化合物的层(第一层)到有机聚合物基材的表面上，该气态混合物包括有机硅试剂化合物和任选地氧化剂和其后在第二步骤中由气态混合物的大气压等离子体沉积，沉积硅氧化物化合物的基本均匀层(第二层)到该第一层的曝露表面上，该气态混合物包括氧化剂和有机硅试剂化合物，其中在气态混合物中氧化剂对有机硅试剂化合物的摩尔比在第二步骤中比在第一步骤中大。

公开(公告)号：CN1973059A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020739.8

申请日：2005-09-05

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 泷川志郎 ,  加藤圭司 ,  米山信夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  B05D1/62 ,  C23C14/205 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447

Abstract: 本发明提供将圆筒构件的一部分作为靶使用，而且有意利用该圆筒构件附加等离子体聚合功能的的真空成膜装置。真空成膜装置(100)具备具有内部空间的导电性真空槽(13)、在内部空间(10)并排配置多个弯曲成扇形的弯曲构件(31、32)，以此形成大致圆筒形从而形成的框体(15)、配置于被框体(15)包围的内部，沿着框体(15)的圆周方向形成磁场的磁场形成装置(33)，弯曲构件(15、16)中的至少一个是使用于溅射的靶，而且是除了靶的框体(15)的区域外被使用于等离子体聚合的装置。