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公开(公告)号：CN101102909B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200580046637.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 兰姆研究公司
IPC: H01L21/302 , B44C1/22 , C03C15/00 , C03C25/68 , C23F1/00
CPC classification number: B08B7/0035 , H01J37/32 , H01J37/32862
Abstract: 提供了一种从等离子体处理腔的上电极的等离子体暴露表面除去黑硅或黑碳化硅的方法。该方法包括使用包含含氟气体的气体组合物形成等离子体，并且用该等离子体从表面除去黑硅或黑碳化硅。该方法还可以从上电极以外的处理腔中元件的表面除去黑硅或黑碳化硅。
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公开(公告)号：CN101053068A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037637.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 兰姆研究公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/0035 , B05D1/62 , H01J37/32559 , H01L21/31116
Abstract: 提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。
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公开(公告)号：CN100466187C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200580037637.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 兰姆研究公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/0035 , B05D1/62 , H01J37/32559 , H01L21/31116
Abstract: 提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。
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公开(公告)号：CN101102909A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046637.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 兰姆研究公司
CPC classification number: B08B7/0035 , H01J37/32 , H01J37/32862
Abstract: 提供了一种从等离子体处理腔的上电极的等离子体暴露表面除去黑硅或黑碳化硅的方法。该方法包括使用包含含氟气体的气体组合物形成等离子体，并且用该等离子体从表面除去黑硅或黑碳化硅。该方法还可以从上电极以外的处理腔中元件的表面除去黑硅或黑碳化硅。
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