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    STRUCTURED LAYER DEPOSITION ON PROCESSED WAFERS USED IN MICROSYSTEM TECHNOLOGY
    31.
    发明申请
    STRUCTURED LAYER DEPOSITION ON PROCESSED WAFERS USED IN MICROSYSTEM TECHNOLOGY 审中-公开
    微结构技术中使用的加工过程的结构层沉积

    公开(公告)号：US20100311248A1

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：US12664272

    申请日：2008-06-16

    Applicant: Roy Knechtel

    Inventor： Roy Knechtel

    IPC: H01L21/30 ,  B05C3/20

    CPC classification number: C23C16/042 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  C23C14/042 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a method and a through-vapor mask for depositing layers in a structured manner by means of a specially designed coating mask which has structures that accurately fit into complementary alignment structures of the microsystem wafer to be coated in a structured manner such that the mask and the wafer can be accurately aligned relative to one another. Very precisely defined portions on the microsystem wafer are coated through holes in the coating mask, e.g. by mans of sputtering, CVD, or to evaporation processes.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过特殊设计的涂层掩模以结构化方式沉积层的方法和通气蒸气掩模，所述涂层掩模具有能够以结构化方式精确地配合到要被涂覆的微系统晶片的互补对准结构的结构，使得 掩模和晶片可以相对于彼此精确地对准。 在微系统晶片上的非常精确地限定的部分通过涂覆掩模中的孔涂覆，例如， 通过溅射，CVD或蒸发过程。

    Procédé de fabrication d'une structure micromécanique et/ou nanomécanique comportant une surface poreuse
    34.
    发明公开
    Procédé de fabrication d'une structure micromécanique et/ou nanomécanique comportant une surface poreuse 有权
    一种用于生产微或纳米机械结构，其包括多孔表面的方法

    公开(公告)号：EP2767504A1

    公开(公告)日：2014-08-20

    申请号：EP14155613.4

    申请日：2014-02-18

    Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    Inventor： Ollier, Eric

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00515 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00412 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/038

    Abstract: Procédé de fabrication d'une structure micromécanique et/ou nanomécanique comportant les étapes à partir d'un élément comportant un substrat support et une couche sacrificielle :
    a) formation d'une première couche dont au moins une partie est poreuse,
    b) formation, sur la première couche, d'une couche en un (ou plusieurs) matériau(x) assurant les propriétés mécanique de la structure, dite couche intercalaire,
    c) formation, sur la couche intercalaire, d'une deuxième couche dont au moins une partie est poreuse,
    d) formation de ladite structure dans l'empilement de la première couche, de la couche intercalaire et de la deuxième couche,
    e) libération de ladite structure par retrait au moins partielle de la couche sacrificielle.

    Abstract translation: 该方法包括：形成第一层，即 硅层（6），其一部分是多孔的，并且在所述第一层上的层间（16）形成，以确保结构的机械性能。 第二层被形成在层间，其中所述第二层的一部分是多孔的上。 在第一层中，层间和第二层，其中第一层和第二层由多孔硅锗和在层间的由非多孔硅锗的堆叠的结构被形成。 该结构是通过牺牲层（4）的部分撤回释放。

    Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces
    35.
    发明公开
    Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权
    一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法

    公开(公告)号：EP2620409A1

    公开(公告)日：2013-07-31

    申请号：EP13163979.1

    申请日：2009-12-18

    Applicant: Siltectra GmbH

    Inventor： Lichtensteiger, Lukas

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/304 ,  B28D1/00 ,  B28D1/22

    CPC classification number: B28D1/221 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/038 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76251 ,  Y10T225/10

    Abstract: It is disclosed a method of printing comprising the steps of:
    providing a solid state material having at least one exposed surface;
    applying an auxiliary layer to the exposed surface to form a composite structure;
    subjecting the composite structure to conditions inducing a stress pattern in the auxiliary layer and in the solid state material, thereby facilitating fracture of the solid state material substantially along a plane at a depth therein; and patterning the auxiliary layer after removing the auxiliary layer and, therewith, a layer of the solid state material terminating at the fracture depth.

    Abstract translation: 它是圆盘印刷游离缺失的方法，包括以下步骤：提供具有至少一个暴露表面的固态材料; 施加到辅助层，以暴露表面上以形成复合结构; 对该复合物结构，以在所述辅助层，并在固态材料中诱导的应力图案，由此促进所述固态材料的断裂沿着在一个深度在其中的平面基本条件; 并用，在断裂深度终止固态材料层除去所述辅助层，并且还有后图案化所述辅助层。

    Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces
    36.
    发明公开
    Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权
    一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法

    公开(公告)号：EP2620408A1

    公开(公告)日：2013-07-31

    申请号：EP13163963.5

    申请日：2009-12-18

    Applicant: Siltectra GmbH

    Inventor： Lichtensteiger, Lukas

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/304 ,  B28D1/00 ,  B28D1/22

    CPC classification number: B28D1/221 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/038 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76251 ,  Y10T225/10

    Abstract: It is disclosed a method of printing comprising the steps of: providing a solid state material having at least one exposed surface;
    applying an auxiliary layer to the exposed surface to form a composite structure; wherein the auxiliary layer comprises a silicone polymer or a copolymer;
    subjecting the composite structure to conditions inducing a stress pattern in the auxiliary layer and in the solid state material, thereby facilitating fracture of the solid state material substantially along a plane at a depth therein; and
    removing the auxiliary layer and, therewith, a layer of the solid state material terminating at the fracture depth.

    Abstract translation: 它是圆盘印刷游离缺失的方法，包括以下步骤：提供具有至少一个暴露表面的固态材料; 施加到辅助层，以暴露表面上以形成复合结构; worin辅助层包含有机硅聚合物或共聚物; 对该复合物结构，以在所述辅助层，并在固态材料中诱导的应力图案，由此促进所述固态材料的断裂沿着在一个深度在其中的平面基本条件; 并用，在断裂深度终止固态材料层除去所述辅助层，并在那里。

    Procédé de fabrication d'éléments de microstructures flottants rigides et dispositif équipé de tels éléments
    39.
    发明公开
    Procédé de fabrication d'éléments de microstructures flottants rigides et dispositif équipé de tels éléments 失效
    对于其装备有这种元件的浮动的，刚性的微结构和装置的元件制造方法

    公开(公告)号：EP0753671A1

    公开(公告)日：1997-01-15

    申请号：EP96401540.8

    申请日：1996-07-11

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： Vilain, Michel

    IPC: F15C5/00 ,  G01J5/02

    CPC classification number: B81C1/00658 ,  B81B3/007 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/038 ,  F15C5/00 ,  G01J5/20

    Abstract: Ce procédé de fabrication d'au moins un élément de microstructure (104, 116) dans un substrat comprenant un empilement d'une couche de support (100), d'une couche (102) de matériau sacrificiel et d'une couche de structure (104), comporte les étapes suivantes :

    a) gravure dans le substrat d'une structure en relief (108) avec des flancs latéraux (110a, 110b),
    b) formation d'une garniture dite de rigidité (116) sur les flancs latéraux (110a, 110b),
    c) élimination du matériau sacrificiel de la structure en relief (108) pour libérer microstructure flottante.

    Abstract translation: 该方法产生在雅舞蹈一个微结构元件（104）与给E. G.的牺牲层（102）上蚀刻图案 SiO 2或聚酰亚胺覆盖的衬底（100）。 的浮雕图案（108）进行蚀刻在硬化涂层被施加的横向边缘（110A，110B）。 然后将浮雕结构的牺牲材料被消除，以便释放其涂层浮动微观结构。 所得到的器件具有至少一个悬挂梁浮动结构连接到所述基底，以在梁的边缘加固涂层。

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