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公开(公告)号：CN103025648B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180032552.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 原子能和替代能源委员会
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G03F7/24 , B81B2201/0214 , B81B2201/058 , B81B2201/06 , B81C1/00206 , B81C2201/0154 , F04B19/006
Abstract: 本发明涉及一种用于使微机械器件中的流体管道(1b)功能化的方法，所述流体管道的壁包括不透明层。为此目的，本发明提供一种用于使设置有流体管道的微机械器件功能化的方法，所述流体管道包括外围壁(5)，所述外围壁具有在所述管道外面的表面(2)和内表面(3)，所述内表面限定流体能在其中循环的空间(1b)，所述外围壁至少部分地包括硅层(5a)。所述方法包括下列步骤：a)提供器件，所述器件的外围壁(5)至少部分地包括至少局部具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度(e)的硅层(5a)；c)至少硅烷化所述流体管道的内表面；d)通过在所述壁上具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度的点处使所述外围壁曝光，而至少在硅烷化器件的内表面上局部地、选择性地光去保护。
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公开(公告)号：CN102300800A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200980143654.7
申请日：2009-11-03
Applicant: 曳达研究和发展有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C12M23/06 , B81C1/00031 , B81C2201/0154 , B81C2201/0198 , C12M27/00 , H01F41/16
Abstract: 本发明涉及用于对基板进行构图的方法和装置。该方法包括以下步骤：提供至少一个磁性图案生成器(100b)，该至少一个磁性图案生成器被配置为可操作用于根据期望图案调制磁场，以使磁场改变磁性能；在所述基板(102)附近施加经调制的磁场，在所述基板顶部形成要获得的相互作用区域的特定图案；以及使所述基板与磁性粒子(106)相互作用，同时在所经调制的磁场的施加下，所述磁性粒子被吸引到所述特定图案限定的选定相互作用区域，同时基本不被吸引到该相互作用区域外部的区域，由此在所述基板的顶部形成与所述磁性粒子相互作用的区域的所述特定图案。所述期望图案对应于针对预定磁场分布曲线、并位于距样本所位于的所述磁性图案生成器预定距离处的所述特定图案。
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公开(公告)号：CN106395733B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510465602.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 任鹏
IPC: B81C1/00 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0154 , B81C2201/05 , B81C2203/0778 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/13024
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。
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公开(公告)号：CN102216987A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145649.X
申请日：2009-11-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00111 , B81C2201/0154 , B81C2201/038 , Y10T428/2457 , Y10T428/26
Abstract: 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
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公开(公告)号：CN107032288A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610882059.7
申请日：2016-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00285 , B81C2201/0125 , B81C2201/0154 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0792 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81C1/00301
Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105236345A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510608392.4
申请日：2015-09-22
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2203/0315 , B81B2203/033 , B81B2203/0384 , B81C1/00285 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0154 , B81C2201/0198 , B81C2203/0109 , H01L23/26
Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件、半导体器件及其制造方法，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。本发明能够在常规的蒸发、溅射设备上以较小的入射角度形成吸气剂薄膜，即形成多孔性、高粗糙度的吸气剂薄膜。
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公开(公告)号：CN102216987B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200980145649.X
申请日：2009-11-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00111 , B81C2201/0154 , B81C2201/038 , Y10T428/2457 , Y10T428/26
Abstract: 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
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公开(公告)号：CN107835788A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680041349.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B7/0058 , B81B2201/042 , B81B2203/0384 , B81C1/00317 , B81C2201/0133 , B81C2201/0143 , B81C2201/0154 , B81C2203/0136 , G02B1/14 , G02B26/0833
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械窗结构的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：提供衬底(1)，其中，所述衬底(1)具有正面(4)和背面(5)；在所述正面(4)上形成第一凹部(6)；在所述正面(4)和所述第一凹部(6)上构造覆层(8；8‘、8“)；并且在所述背面(5)上形成第二凹部(7)，使得所述覆层(8)至少局部地露出，由此通过所述覆层的露出区域形成窗(F)。
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公开(公告)号：CN106395733A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510465602.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 任鹏
IPC: B81C1/00 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0154 , B81C2201/05 , B81C2203/0778 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/13024
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。
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公开(公告)号：CN104240731A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410437147.7
申请日：2009-11-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00111 , B81C2201/0154 , B81C2201/038 , Y10T428/2457 , Y10T428/26
Abstract: 本发明涉及用于二嵌段聚合物的超薄对准壁。根据本发明的一种方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
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