公开(公告)号：JP4157654B2

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：JP23584899

申请日：1999-08-23

Applicant: 株式会社島津製作所 ,  独立行政法人 日本原子力研究開発機構

Inventor： 一雄 佐野 ,  善寿 原田 ,  雅人 小池

IPC: G01J3/18 ,  G01J3/06 ,  G02B5/18

CPC classification number: G01J3/1804 ,  G01J3/06 ,  G01J3/189 ,  G02B5/1828

公开(公告)号：JP4044989B2

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：JP27666997

申请日：1997-09-25

Applicant: バリアン・インコーポレイテッド

Inventor： リン・リン・チエン

IPC: G21K1/06 ,  G01J3/18 ,  G02B5/18

CPC classification number: G01J3/1809 ,  G01J3/189

公开(公告)号：TW201810477A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106119204

申请日：2017-06-09

Applicant: 克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： 克里許南 桑卡 ,  KRISHNAN, SHANKAR ,  布特納爾 亞歷山德爾 ,  BUETTNER, ALEXANDER ,  普魯克 克里絲汀 ,  PURRUCKER, KERSTIN ,  王 大衛 Y ,  WANG, DAVID Y.

IPC: H01L21/66 ,  G01J3/02

CPC classification number: G01J3/189 ,  G01J3/0289 ,  G01J3/10 ,  G01J3/2803 ,  G01N21/255 ,  G01N21/27 ,  G01N33/00 ,  G01N2033/0095

Abstract: 本文呈現用於在入射角(AOI)、方位角或兩者之一寬範圍內執行半導體結構之同時光譜量測的方法及系統。在不同感測器區域上方依高通量同時量測包含入射角、方位角或兩者之兩個或兩個以上子範圍的光譜。根據AOI、方位角或兩者之各子範圍之波長來跨一或多個偵測器之不同光敏區域線性分散收集光。各不同光敏區域配置於該一或多個偵測器上以對AOI、方位角或兩者之各不同範圍執行一單獨光譜量測。依此方式，依高信雜比同時偵測AOI、方位角或兩者之一寬範圍。此方法實現依高通量、高精確度及高準確性來高通量量測高縱橫比結構。

Abstract in simplified Chinese: 本文呈现用于在入射角(AOI)、方位角或两者之一宽范围内运行半导体结构之同时光谱量测的方法及系统。在不同传感器区域上方依高通量同时量测包含入射角、方位角或两者之两个或两个以上子范围的光谱。根据AOI、方位角或两者之各子范围之波长来跨一或多个侦测器之不同光敏区域线性分散收集光。各不同光敏区域配置于该一或多个侦测器上以对AOI、方位角或两者之各不同范围运行一单独光谱量测。依此方式，依高信杂比同时侦测AOI、方位角或两者之一宽范围。此方法实现依高通量、高精确度及高准确性来高通量量测高纵横比结构。