公开(公告)号：WO2004094298A3

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：PCT/US2004003405

申请日：2004-02-05

Applicant: MOTOROLA INC ,  WANG JOE P ,  FIELD CHERYL B ,  PFEIFER MICHAEL

Inventor： WANG JOE P ,  FIELD CHERYL B ,  PFEIFER MICHAEL

IPC: B81B20060101 ,  B81B1/00 ,  B81B7/00 ,  H01J9/38 ,  H01J19/70

CPC classification number: B81B7/0038 ,  H01J19/70 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014

Abstract: A microdevice assembly (20) that includes a device microstructure (22), a housing (30), and a fine grain getter layer (40). The housing (30) has a base portion (32) and a lid (34). The device microstructure (22) is attached to the base portion (32) and the lid (34) is hermetically sealed to the base portion (32). The housing (30) defines a cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The fine grain getter layer (40) is on an interior side (42) of the lid (34) for maintaining a vacuum in the cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The lid (34) may be made of metal or have at least a metallic surface in the region where the fine grain getter layer (40) is applied. The fine grain getter layer (40) has a sub-micron grain size. There is also a method for making the microdevice assembly (20).

Abstract translation: 包括器件微结构（22），壳体（30）和细颗粒吸气剂层（40）的微器件组件（20）。 壳体（30）具有基部（32）和盖（34）。 装置微结构（22）附接到基部（32），并且盖（34）被气密地密封到基部（32）。 壳体（30）限定围绕器件微结构（22）的空腔（38）。 细颗粒吸气剂层（40）位于盖（34）的内侧（42）上，用于在包围装置微结构（22）的空腔（38）内保持真空。 盖（34）可以由金属制成，或者在施加微粒吸气剂层（40）的区域中至少具有金属表面。 细颗粒吸收剂层（40）具有亚微米粒度。 还有一种制造微型装置组件（20）的方法。

公开(公告)号：WO2004094298A2

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：PCT/US2004/003405

申请日：2004-02-05

Applicant: MOTOROLA, INC. ,  WANG, Joe, P. ,  FIELD, Cheryl, B. ,  PFEIFER, Michael

Inventor： WANG, Joe, P. ,  FIELD, Cheryl, B. ,  PFEIFER, Michael

IPC: B81B

CPC classification number: B81B7/0038 ,  H01J19/70 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014

Abstract: A microdevice assembly (20) that includes a device microstructure (22), a housing (30), and a fine grain getter layer (40). The housing (30) has a base portion (32) and a lid (34). The device microstructure (22) is attached to the base portion (32) and the lid (34) is hermetically sealed to the base portion (32). The housing (30) defines a cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The fine grain getter layer (40) is on an interior side (42) of the lid (34) for maintaining a vacuum in the cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The lid (34) may be made of metal or have at least a metallic surface in the region where the fine grain getter layer (40) is applied. The fine grain getter layer (40) has a sub-micron grain size. There is also a method for making the microdevice assembly (20).

公开(公告)号：EP3156874A1

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：EP16186070.5

申请日：2011-10-05

Applicant: Advanced Fusion Systems LLC

Inventor： BIRNBACH, Curtis A.

IPC: G05F1/10 ,  H04N5/18 ,  H03H1/00 ,  H01R13/631 ,  H03K3/08 ,  H01G4/35 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

CPC classification number: H01G4/35 ,  G05F1/10 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16 ,  H01J19/24 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

Abstract: High voltage high current regulator circuit for regulating current is interposed between first and second terminals connected to an external circuit and comprises at least one main-current carrying cold-cathode field emission electron tube conducting current between the first and second terminals. First and second grid-control cold-cathode field emission electron tubes provide control signals for first and second grids of the at least one main-current carrying cold-cathode field emission electron tube for positive and negative excursions of voltage on the first and second terminals, respectively. The current regulator circuit may be accompanied by a voltage-clamping circuit that includes at least one cold-cathode field emission electron tube. At least two cold- cathode field emission electron tubes, configured to operate at high voltage and high current, are preferably contained within a single vacuum enclosure and are interconnected to provide a circuit function, so as to form a high voltage high current vacuum integrated circuit.

Abstract translation: 用于调节电流的高电压大电流调节器电路插入连接到外部电路的第一和第二端子之间，并且包括在第一和第二端子之间传导电流的至少一个主电流负载冷阴极场致发射电子管。 第一和第二格栅控制冷阴极场致发射电子管提供用于至少一个主电流负载冷阴极场发射电子管的第一和第二栅极的控制信号，用于在第一和第二端子上的正和负偏移电压 ， 分别。 电流调节器电路可以伴随着包括至少一个冷阴极场发射电子管的电压钳位电路。 配置为在高电压和高电流下操作的至少两个冷阴极场发射电子管优选地包含在单个真空外壳内并且互连以提供电路功能，以便形成高压大电流真空集成电路 。

公开(公告)号：EP2625581A4

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：EP11831549

申请日：2011-10-05

Applicant: ADVANCED FUSION SYSTEMS LLC

Inventor： BIRNBACH CURTIS A

IPC: H01J19/82 ,  G05F1/26 ,  H01J21/10 ,  H02H9/02

CPC classification number: H01G4/35 ,  G05F1/10 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16 ,  H01J19/24 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

Abstract: High voltage high current regulator circuit for regulating current is interposed between first and second terminals connected to an external circuit and comprises at least one main-current carrying cold-cathode field emission electron tube conducting current between the first and second terminals. First and second grid-control cold-cathode field emission electron tubes provide control signals for first and second grids of the at least one main-current carrying cold-cathode field emission electron tube for positive and negative excursions of voltage on the first and second terminals, respectively. The current regulator circuit may be accompanied by a voltage-clamping circuit that includes at least one cold-cathode field emission electron tube. At least two cold- cathode field emission electron tubes, configured to operate at high voltage and high current, are preferably contained within a single vacuum enclosure and are interconnected to provide a circuit function, so as to form a high voltage high current vacuum integrated circuit.

公开(公告)号：EP1608585A2

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：EP04708640.0

申请日：2004-02-05

Applicant: MOTOROLA, INC.

Inventor： WANG, Joe, P. ,  FIELD, Cheryl, B. ,  PFEIFER, Michael

IPC: B81B1/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  H01J19/70 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014

Abstract: A microdevice assembly (20) that includes a device microstructure (22), a housing (30), and a fine grain getter layer (40). The housing (30) has a base portion (32) and a lid (34). The device microstructure (22) is attached to the base portion (32) and the lid (34) is hermetically sealed to the base portion (32). The housing (30) defines a cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The fine grain getter layer (40) is on an interior side (42) of the lid (34) for maintaining a vacuum in the cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The lid (34) may be made of metal or have at least a metallic surface in the region where the fine grain getter layer (40) is applied. The fine grain getter layer (40) has a sub-micron grain size. There is also a method for making the microdevice assembly (20).

公开(公告)号：JP6248055B2

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：JP2015008345

申请日：2015-01-20

Applicant: ノリタケ伊勢電子株式会社 ,  株式会社ノリタケカンパニーリミテド

Inventor： 龍田 和典 ,  前田 忠己 ,  山中 美沙

IPC: H01J21/20 ,  H01J19/08 ,  H01J21/36 ,  H01J19/70 ,  H01J19/42

CPC classification number: H01J21/06 ,  H01J19/32 ,  H01J19/38 ,  H01J19/70 ,  H01J21/10

公开(公告)号：JP2013541931A

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：JP2013532927

申请日：2011-10-05

Applicant: アドバンスト フュージョン システムズ エルエルシー

Inventor： カーティス・エー・バーンバック

IPC: H02H9/02 ,  H02H7/00 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01G4/35 ,  G05F1/10 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16 ,  H01J19/24 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

Abstract: 【課題】
高電圧・大電流の送電グリッドまたは他の回路において、グリッド中の電気素子を破壊する可能性がある過渡電圧からグリッドを守ることのできる堅牢な高電圧・大電流調整器または電圧固定回路を提供する。
【解決手段】
電流を調整するための高電圧・大電流調整器回路は、外部回路に接続した第一および第二端子の間に間置し、当該第一および第二端子間で電流を伝導する少なくとも一つの主電流通過型冷陰極電界放出電子管から成る。 電流調整器回路は、少なくとも一つの冷陰極電界放出電子管を含む電圧固定回路を伴うこともある。 高電圧・大電流真空集積回路を形成するように、高電圧および大電流で作動するよう組み立てられた少なくとも二つの冷陰極電界放出電子管は、好ましくは単一の真空筺体内に収納され、回路機能を備えるため相互接続される。
【選択図】図７

Abstract translation: 用于调节电流的高压大电流调节器电路被插入在连接到外部电路的第一和第二端子之间，并且包括在第一和第二端子之间传导电流的至少一个主电流负载冷阴极场致发射电子管。 第一和第二格栅控制冷阴极场发射电子管提供用于至少一个主电流负载冷阴极场发射电子管的第一和第二栅极的控制信号，用于在第一和第二端子上的正和负偏移电压 ， 分别。 电流调节器电路可以伴随着包括至少一个冷阴极场发射电子管的电压钳位电路。 配置为在高电压和高电流下操作的至少两个冷阴极场发射电子管优选地包含在单个真空外壳内并且互连以提供电路功能，以便形成高压大电流真空集成电路 。

公开(公告)号：JP2016146745A

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：JP2016060406

申请日：2016-03-24

Applicant: アドバンスト フュージョン システムズ エルエルシー

Inventor： カーティス・エー・バーンバック

IPC: H02J3/01 ,  H02H9/04 ,  H02H9/02

CPC classification number: H01G4/35 ,  G05F1/10 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08 ,  H01J19/24

Abstract: 【課題】高電圧・大電流の送電グリッドまたは他の回路において、グリッド中の電気素子を破壊する可能性がある過渡電圧からグリッドを守ることのできる堅牢な高電圧・大電流調整器または電圧固定回路を提供する。 【解決手段】電流を調整するための高電圧・大電流調整器回路は、外部回路に接続した第一および第二端子13、15の間に間置し、当該第一および第二端子間で電流を伝導する少なくとも一つの主電流通過型冷陰極電界放出電子管23から成る。電流調整器回路120は、少なくとも一つの冷陰極電界放出電子管を含む電圧固定回路を伴うこともある。高電圧・大電流真空集積回路を形成するように、高電圧および大電流で作動するよう組み立てられた少なくとも二つの冷陰極電界放出電子管は、好ましくは単一の真空筺体内に収納され、回路機能を備えるため相互接続される。 【選択図】図7

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种稳定的高压大电流调节器或电压钳位电路，保护电网免受瞬间电压的影响，这可能会破坏电网中的电气元件，高压大电流输电网或其他电路。解决方案： 用于调节电流的高电压高电流调节器电路被插入到连接到外部电路的第一和第二端子13和15之间，并且包括至少一个主电流通道型冷阴极场致发射电子管23，其在第一和第二端之间传导电流 终端。 电流调节器电路120可以伴随有包括至少一个冷阴极场发射电子管的电压钳位电路。 配置为在高电压和高电流下操作的至少两个冷阴极场发射电子管优选地包含在单个真空外壳内并且互连以提供电路功能，以便形成高压大电流真空集成电路 选择图：图7

公开(公告)号：JP2006521688A

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：JP2005518872

申请日：2004-02-05

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： ファイファー、マイケル ,  ビー． フィールド、シェリル ,  ピー． ワン、ジョー

IPC: H01L23/26 ,  B81B20060101 ,  B81B1/00 ,  B81B7/00 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01J9/38 ,  H01J19/70 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B7/0038 ,  H01J19/70 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014

Abstract: デバイス・マイクロ構造体（２２）と、ハウジング（３０）と、微結晶粒ゲッタ層（４０）とを備えるマイクロデバイス組立体（２０）に関する。 ハウジング（３０）は基体部分（３２）と、蓋（３４）とを有する。 デバイス・マイクロ構造体（２２）は基体部分（３２）に取付けられ、蓋（３４）は基体部分（３２）に気密封止される。 ハウジング（３０）は、デバイス・マイクロ構造体（２２）の周囲のキャビティ（３８）を区画形成する。 微結晶粒ゲッタ層（４０）は、デバイス・マイクロ構造体（２２）の周囲のキャビティ（３８）における真空を維持するために蓋（３４）の内側面（４２）上にある。 蓋（３４）は金属で作製されてもよく、少なくとも微結晶粒ゲッタ層（４０）が付着される領域には金属表面を有してもよい。 微結晶粒ゲッタ層（４０）は、サブミクロンの結晶粒度を有する。 マイクロデバイス組立体（２０）を作製する方法も提供する。

公开(公告)号：KR101740762B1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：KR1020137008323

申请日：2011-10-05

Applicant: 어드밴스드 퓨젼 시스템스 엘엘씨

Inventor： 비른바흐,커티스,에이.

IPC: G05F1/42 ,  H01J19/24 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

CPC classification number: H01G4/35 ,  G05F1/10 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16 ,  H01J19/24 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

Abstract: 전류를조절하는고전압고전류조절기회로는외부회로에연결되는제1 및제2 단자들사이에삽입되고제1 및제2 단자들사이에서전류를전도시키는적어도하나의주전류운반냉음극필드방사전자관을포함한다. 제1 및제2 그리드제어냉음극필드방사전자관들은각각제1 및제2 단자들상의포지티브및 네거티브전압이탈들에대한적어도하나의주전류운반냉음극필드방사전자관의제1 및제2 그리드들을위해제어신호들을제공한다. 전류조절기회로는적어도하나의냉음극필드방사전자관을포함하는전압클램핑회로에의해동반될수 있다. 고전압및 고전류에서동작하도록구성된적어도두개의냉음극필드방사전자관들은단일진공인클로저내에포함되고회로기능을제공하기위해서로연결되어고전압고전류진공집적회로를형성한다.

Abstract translation: 高电压高电流控制机会来控制电流roneun包括至少一个主载流冷阴极场发射电子管用于第一mitje第二端子之间插入被连接到外部电路，并进行第一mitje第二端子之间的电流 。 用于所述至少一个主电流承载第一控制信号mitje冷阴极场发射电子管的第二栅格1 mitje第二格栅控制冷阴极场发射电子管分别是第一mitje二端的正电压和负电压偏差的 它提供。 Roneun电流调节机会它可以通过一个电压钳位电路，其包括一个冷阴极场发射电子管的至少一个陪同。 一个容纳并在一个单一的真空外壳中的电路功能，以形成高电压高电流真空集成电路发射配置以在高电压和大电流放电管来操作至少两个冷阴极场被连接，以便提供。