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公开(公告)号：CN102569550A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110403030.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0202 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，包括由III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于上述发光层的另一侧的n型引导层；配置于上述p型引导层的与上述发光层相反一侧的p型包层；和配置于上述n型引导层的与上述发光层相反一侧的n型包层。半导体层叠构造包括：与c轴在上述晶体生长面上的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与上述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。半导体层叠构造也可以由将半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN102484047A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037288.X
申请日：2010-08-23
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。
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公开(公告)号：CN101373884B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810130888.5
申请日：2008-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/0201 , H01S5/2201
Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。
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公开(公告)号：CN101569069B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880001217.7
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2223 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3072 , H01S5/3077 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。
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公开(公告)号：CN101123343B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101877456A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010143171.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34306 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3213
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。
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公开(公告)号：CN101361238B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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公开(公告)号：CN1945365B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610142293.2
申请日：2006-06-16
Applicant: 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。
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公开(公告)号：CN101728766A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208160.4
申请日：2009-10-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01S5/0042 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 一种条形半导体激光芯片，可以抑制振荡波长的变化。所述条形半导体激光芯片具有氮化物半导体衬底和半导体层，所述半导体层形成在所述氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分。所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列。氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面。氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。
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公开(公告)号：CN101567417A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910137372.8
申请日：2009-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/812 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01S5/0201 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮化物类半导体元件和其制造方法。该氮化物类半导体元件包括：基板；在基板的第一侧端面的主表面侧形成的第一台阶部；在第一侧端面的相反侧、并且在与第一侧端面大致平行的第二侧端面的主表面侧形成的第二台阶部；和在主表面上，具有由将第一台阶部的第一侧壁作为起点的(000－1)面构成的第一侧面、和将第二台阶部的第二侧壁作为起点的第二侧面的氮化物类半导体层。
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