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公开(公告)号：CN105047735B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510242310.9
申请日：2012-08-10
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/34 , H01S5/32 , B82Y20/00
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/1808 , H01L33/34 , H01S5/125 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3201 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/3427 , Y02E10/547
Abstract: 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。
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公开(公告)号：CN103215648B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310119866.X
申请日：2007-02-06
Applicant: 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 , 首尔半导体株式会社
Inventor： 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 , 诺姆·佩托维奇·索西沁 , 瓦列里·佩托维奇·苏切科夫 , 尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫 , 弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫 , 塞尔盖·亚历克桑德诺维奇·萨克哈若夫 , 弗拉季米尔·亚历克桑德诺维奇·戈比列夫
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01S5/0218 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明是基于氮化镓生长半导体异质结构的方法。提供了一种基于III族氮化物元素的化合物和合金生长用于发光二极管的外延异质结构的方法，所述方法包括在硅酸镓镧基底上利用气相沉积生长由式子AlxGa1-xN表示的一层或多层异质结构层的步骤，其中，0≤x≤1，其中，硅酸镓镧基底用Ce和Pr进行掺杂。
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公开(公告)号：CN105047735A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510242310.9
申请日：2012-08-10
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/34 , H01S5/32 , B82Y20/00
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/1808 , H01L33/34 , H01S5/125 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3201 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/3427 , Y02E10/547
Abstract: 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。
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公开(公告)号：CN104242055A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410274243.4
申请日：2014-06-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 川岛毅士
CPC classification number: G02B1/14 , G01N21/1702 , G02B1/105 , G03G15/04072 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01L33/46 , H01L51/5265 , H01S3/0941 , H01S3/1633 , H01S5/18308 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/187 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/34333 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR的方法。该半导体DBR包括第一多层结构、第二多层结构以及保护层。第一多层结构包括：多个第一半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第一半导体层中的对应一对第一半导体层之间；第二多层结构包括：多个第三半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第三半导体层中的对应一对第三半导体层之间；保护层插入在第一多层结构与第二多层结构之间。第二半导体层具有比第一半导体层低的分解温度。第三半导体层具有比第二半导体层低的分解温度。
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公开(公告)号：CN102422495B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080020691.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15包含有源层21及载流子阻挡层23。第一覆盖区域17包含n型AlGaN覆盖层25及n型InAlGaN覆盖层26。n型InAlGaN覆盖层26设置于n型AlGaN覆盖层25与有源层21之间。界面27b处的错配位错密度大于界面27a处的错配位错密度。AlGaN覆盖层25相对于GaN支撑基体13产生晶格弛豫，InAlGaN覆盖层26相对于AlGaN覆盖层25产生晶格弛豫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103326240A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310091688.4
申请日：2013-03-21
Applicant: 帕洛阿尔托研究中心公司
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18366 , B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18383 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 公开了一种包括设置在激光器光学空腔中的部分反射元件的表面发射激光器结构。垂直外部空腔表面发射激光器（VECSEL）结构包括：泵浦源，其构造为以泵浦波长λpump发射辐射；外部外耦合反射器；分布式布拉格反射器（DBR）；以及有源区，其布置在所述DBR与所述外耦合反射器之间。所述有源区构造为以激光波长λlase发射辐射。所述VECSEL结构还包括部分反射元件（PRE），其布置在增益元件与所述外部外耦合反射器之间。所述PRE对于以所述激光波长的辐射而言具有在大约30%和大约70%之间的反射率并且对于以所述泵浦波长的辐射而言具有在大约30%和大约70%之间的反射率。
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公开(公告)号：CN102918727A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026326.6
申请日：2011-05-26
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor： R·巴特
CPC classification number: H01S5/3201 , B82Y20/00 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种GaN边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底、有源区、N侧波导层、P侧波导层、N型包覆层和P型包覆层。GaN衬底限定了晶体生长面和滑移面。N侧和P侧波导层包含GaInN/GaN或GaInN/GaInN超晶格（SL）波导层。N侧和P侧SL波导层的超晶格层限定了针对波导平面性进行优化的相应层厚度，所述层厚度在约1nm与约5nm之间。根据本发明的另一实施方式，通过确保N侧和P侧GaN基波导层以超过约0.09nm/s的生长速率生长来促进平面化，而不管N侧和P侧GaN基波导层被设置为GaInN/GaN或GaInN/GaInN SL波导层还是本体波导层。在其他一些实施方式中，可通过选择最佳SL层厚度和生长速率来促进平面化。本发明还描述了其他的实施方式，并要求专利保护。
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公开(公告)号：CN102237634A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110107287.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 笹冈千秋
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/0207 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/021 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器及其制造方法，其包括：半导体衬底；和谐振器，其形成在半导体衬底上方并且包含氮化物半导体层。施加在谐振器端面附近区域上的应变小于施加在端面附近区域之间的区域上的应变。
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公开(公告)号：CN101132118A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710147710.7
申请日：2007-08-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 竹内哲也
CPC classification number: H01S5/18369 , B82Y20/00 , H01L33/105 , H01S5/10 , H01S5/18358 , H01S5/3201 , H01S5/34306 , H01S5/34333 , H01S5/3436
Abstract: 公开了一种光学设备，包括具有光学厚度不为λ/4的层的多层反射器，以及一种使用这种光学设备的垂直腔面发射激光器。能够抑制由λ/4光学厚度的偏差造成的共振频率偏移或反射率下降，从而改善性能和产量。用于产生波长λ的光的光学设备包括反射器和活性层。反射器为半导体多层反射器，包含被交替层压并具有不同折射率的第一层和第二层。第一层具有小于λ/4的光学厚度。第二层具有大于λ/4的光学厚度。在第一层和第二层之间的界面位于既不在反射器内光强分布的波节的位置也不在波腹的位置。
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公开(公告)号：CN1901302A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106015.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
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