公开(公告)号：CN102237634A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110107287.4

申请日：2011-04-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 笹冈千秋

IPC: H01S5/16

CPC classification number: H01S5/0207 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/021 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器及其制造方法，其包括：半导体衬底；和谐振器，其形成在半导体衬底上方并且包含氮化物半导体层。施加在谐振器端面附近区域上的应变小于施加在端面附近区域之间的区域上的应变。

公开(公告)号：CN102170089A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110030737.4

申请日：2011-01-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 笹冈千秋

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件。为了抑制杂质附着到半导体发光元件，提供一种氮化物基半导体发光元件，包括：层压体，所述层压体具有第一包覆层、第一包覆层上方形成的有源层以及在该有源层上方形成的第二包覆层；以及电介质膜，所述电介质膜具有3μm或更大厚度，所述电介质膜被形成在发射光侧上的层压体的侧表面上，并且至少覆盖有源层的第一侧表面。