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公开(公告)号:CN115843143A
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202211179181.X
申请日:2022-09-27
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本申请公开了一种基于核电池的长寿命X射线脉冲信标装置,包括X射线脉冲源以及与X射线脉冲源相连的电源模块;X射线脉冲源包括:第一壳体;β放射源,设置于第一壳体内,用于产生β粒子;透射型薄膜热阴极,设置于第一壳体内,用于接受β粒子轰击以产生热电子;阳极靶,设置于第一壳体内,用于接受来自透射型薄膜热阴极的热电子轰击以产生X射线;以及栅极网,设置于第一壳体内,位于β放射源和透射型薄膜热阴极之间,电源模块在β放射源与栅极网之间施加脉冲电压,以使β粒子周期性穿过栅极网并轰击透射型薄膜热阴极。本申请能够发射稳定的X射线脉冲信号,从而能够被航天器搭载的探测器精准捕获识别,满足太空定位与导航需求。
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公开(公告)号:CN110957200B
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN201911293483.8
申请日:2019-12-12
Applicant: 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
Inventor: 陈瑞安
Abstract: 本发明涉及X射线技术领域,且公开了一种反射式X光管,包括玻璃罩、钨丝、冷却罩、进液管和出液管,所述钨丝的附近设有恒温管,所述出液管的一端伸入玻璃罩内并连通恒温管,所述恒温管的另一端引出玻璃罩,所述出液管的一端进入玻璃罩内之前连通有外导流管,所述外导流管与出液管连通处设有三通电磁阀。本发明通过将原出液管和进液管冷却通路改为由出液管经由钨丝处后再连通进液管,配合温度传感器的温度检测以及外导流管的旁路设置,可使得钨丝在正常发射电子之后,由出液管排出的高温冷却液流经钨丝的附近,对钨丝在持续工作情况下进行恒温,保障钨丝始终处于正常工作温度范围内,以应对电流波动的升温影响。
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公开(公告)号:CN114981914A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202080087680.9
申请日:2020-10-16
Applicant: 锐珂牙科有限责任公司
Abstract: 描述了电子发射装置的阴极,其中所述阴极包含碳纳米管(CNT);纳米填料材料;和可碳化聚合物;并且其中所述阴极表现出增加的硬度,通过高温热处理形成,并且没有基材。还描述了形成电子发射装置的阴极的方法,其中所述方法包括a)形成在溶剂中包含碳纳米管、纳米填料材料和可碳化聚合物的分散的混合物;b)涂布和/或挤出所述混合物;c)干燥所述涂布的和/或挤出的混合物以去除至少大部分所述溶剂;和d)使所述干燥的混合物经受高温热处理;其中所述方法得到具有增加的硬度的电子发射装置的阴极。
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公开(公告)号:CN114883163A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210781860.8
申请日:2022-07-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法。本发明采用具有陷光结构的透射式光阴极,陷光结构为在透明导电基底的下表面刻蚀出具有周期性结构的凹槽阵列,降低基底对入射激光的反射,从而提高对入射激光的吸收;透明导电基底的表面具有陷光结构能够改变入射激光的传输行为,减小透明导电基底的反射率,同时增加半导体光阴极薄膜层对入射光的吸收;采用激光背入射,光电子在发射前具有更长的传输距离后充分热化,从而降低了光阴极产生电子束的横向平均能量和本征发射度;本发明采用透射式激光驱动光阴极的方式,有利于得到低发射度电子束,对于硬X射线自由电子激光和超快电子衍射等各方面应用都具有重要意义。
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公开(公告)号:CN114743849A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202210363913.4
申请日:2022-04-07
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供用于近距离放射治疗的冷阴极X射线球管,涉及纳米材料的X射线管设计和使用技术领域。所述X射线球管包括管壳、管壳内部设置的阳极材料和阴极材料,且采用纳米碳管作为阴极材料,所述阳极材料与微型散热结构进行连接,阴极材料与外部电源连通,同时在近阴极处设置一个网格,通过调节电流和电压、驻留时间和驻留位置来实现X射线的射束强度、射束方向以及X射线源位置的调节,从而实现近距离的放射治疗。本发明克服现有技术的不足,对人体内使用的放射源进行设计,可以对球管发出的X射线的角度和能量能进行选择和调整,能够对多种恶性肿瘤的放射性治疗起到良好的改进和控制作用。
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公开(公告)号:CN114613653A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202111459102.6
申请日:2021-12-01
Applicant: 贝克休斯油田作业有限责任公司
Abstract: 本发明题为“X射线管接收器”。提供了一种包括X射线管的设备。该X射线管可包括阴极和耦接到该阴极的输入接收器。输入接收器可包括配置在输入接收器内的连接器。连接器可操作地耦接阴极和输入接收器。连接器可包括被配置为经由输入接收器接收输入信号的至少一个电路。该输入信号可介于20kV与400kV之间。输入信号可被接收为辅助供电电压。至少一个电路可被配置为生成指示X射线管的至少一个运行特性的输出信号。还提供了相关系统和使用方法。
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公开(公告)号:CN114496688A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202011270626.6
申请日:2020-11-13
Applicant: 张峥
Inventor: 不公告发明人
Abstract: 本发明公开了一种医疗设备用的光源发生器,包括X射线管、玻璃外壳、高压电源插座,所述X射线管、高压电源插座相连接并设置于玻璃外壳内;所述玻璃外壳上开设有X射线口,该X射线口位于X射线管的上方位置;所述X射线管包括真空管以及设置于真空管内的阴极、阳极,所述阳极包括外金属管、内金属管、阳极靶面;所述外金属管套设于内金属管外,所述阳极靶面朝向以及并设置于外金属管的一端部,外金属管的另一端设置有冷却出口;所述阴极上设置有一阴极环,该阴极环对准阴极所发射的电子向阳极靶面移动的路径。本发明有效的避免因X射线源泄露对人体造成伤害的缺陷,重量轻,密封效果好,同时能够有效迅速的降温,从而降低老化、损坏的几率。
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公开(公告)号:CN112635275B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202011428512.X
申请日:2020-12-09
Applicant: 武汉联影医疗科技有限公司
IPC: H01J35/06
Abstract: 本申请涉及一种X射线管的平板发射体。X射线管的平板发射体,包括相对的第一表面和第二表面,平板发射体的材料包括钨铼合金材料,钨铼合金材料中的铼金属含量沿第一方向增大,从第一表面指向第二表面的方向为所述第一方向。平板发射体使用钨铼合金材料。钨铼合金材料具有高熔点、高硬度、高塑性、高的再结晶温度(2500℃以上)的特性,钨铼合金材料使钨的延脆转变温度下降到室温或室温以下。钨铼合金材料的再结晶温度很高,在受到热冲击时,不易发生热变形或裂纹,进而提高了平板发射体的使用寿命。
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公开(公告)号:CN114303220A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201980099793.8
申请日:2019-08-28
Applicant: 高丽大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及一种X射线源装置及其控制方法,所述装置包括:发射器,形成在阴极电极的上表面上用于电子发射;阳极电极,被形成为与阴极电极间隔开预定距离;栅极电极,位于发射器与阳极电极之间且通过将由一个或多个层构成的石墨烯(graphene)薄膜转移到具有穿过金属电极形成的一个或多个开口的金属电极上而形成;聚焦透镜,位于栅极电极与阳极电极之间且将从发射器以电子方式发射的电子束聚焦到阳极电极;以及控制模块,对发射器及栅极电极实行2维矩阵控制,以调节对象上的每一位置的X射线剂量,其中发射器在第一方向上以阵列形式布置;栅极电极在第二方向上以阵列形式布置;第一方向与第二方向彼此垂直交叉;且控制模块根据阵列布置的范围确定X射线剂量。
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公开(公告)号:CN110071027B
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN201910333271.1
申请日:2019-04-24
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法。该制备方法包括:在基底上形成金属电极层;在所述金属电极层上形成铜基底层;在所述铜基底层上形成硫化亚铜纳米线层。该场致发射器件包括:基底;金属电极层,设置于所述基底上;铜基底层,设置于所述金属电极层上;硫化亚铜纳米线层,设置于所述铜基底层上。该制备方法简单易于控制,条件温和,适用于具有大面积的场致发射电极阵列的制备,且制成的器件具有体积小、工作寿命长、场发射性能优异等优点。
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