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公开(公告)号：CN105470091B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510796539.7
申请日：2015-11-18
Applicant: 山东航天电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于微通道板的空间低能电子模拟源，包括加热板、微通道板、电源以及两个栅网电极；加热板用于对微通道板(2)进行加热，控制微通道板的热噪声；微通道板上通过电源加载有偏置电压，用于产生电子束流；两个栅网电极放置在电子束流产生方向，两者之间形成电压差并产生均匀电场，对微通道板产生的电子进行加速；本发明的模拟源从原理上避免了光电子发射源普遍存在的“光噪声”问题；通过控制微通道板的温度和偏转电压，能够产生极弱的电子流密度、较大的动态范围以及均匀的大面阵电子束流。
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公开(公告)号：CN105845537A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610335822.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 四川汇英光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微通道孔径可变的改进型微通道板，包括主体，主体沿径向外侧设置有保护环，主体上设置有若干微通道，微通道平行于主体的轴向，微通道的直径沿着主体轴向先逐渐变小再逐渐变大，当两个保护套关于主体镜面对称放置时，保护环位于两个保护套所形成的凹槽中，凹槽直径等于保护环外径，凹槽内与主体平行的侧面上设置有硬弹簧，硬弹簧连接有缓冲块，还包括紧固螺栓，所述紧固螺栓沿与主体垂直的方向贯穿两个保护套，紧固螺栓不与保护环接触。本发明通过设置微通道的直径沿主体轴向先缩小再增大的结构，削弱了离子反馈效应，有效地降低了噪声，提高了图像清晰度，还保护了光电阴极。
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公开(公告)号：CN1628364A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03803429.8
申请日：2003-02-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J31/50 , H01J1/34 , H01J31/506 , H01J2201/3421
Abstract: 本发明的透射型光电阴极包括以下构成：由金刚石或以金刚石为主要成分的材料形成的光吸收层(1)、增强光吸收层(1)机械强度的支持框(21)、与光吸收层(1)的入射面相对设置的第1电极(31)、以及与光吸收层(1)的出射面相对设置的第2电极(32)。而且，在光吸收层(1)的入射面和出射面之间施加电压在光吸收层(1)内部形成有电场，一旦待检测光入射在光吸收层(1)内部有光电子产生，光电子就因光吸收层(1)内部所形成的电场而在出射面方向上得到加速，从而放射出到透射型光电阴极的外部。
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公开(公告)号：CN119361411A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410987735.1
申请日：2024-07-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种光电倍增管，其具备：容器，其具有由透光性材料形成的窗部、和与窗部连接且与窗部一同划定真空空间的管状部；光电面，其通过由钠、钾及锑构成的光电子发射材料形成，设置于窗部的真空空间侧的第一表面上，并根据入射光发射光电子；电子倍增部，其根据从光电面发射的光电子的入射而发射二次电子，并且将二次电子倍增。在光电面和窗部之间及管状部的表面上形成有氧化铝层。
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公开(公告)号：CN119108258A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411318821.X
申请日：2024-09-21
Applicant: 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
Abstract: 本发明属于光电倍增管技术领域，尤其涉及光电阴极，公开一种具有长使用寿命的高灵敏度高温光电倍增管光电阴极及其制备方法。采用“夹心式”制备高温光电阴极的方法，先蒸镀K3Sb底层，再进行Na激活，最后再蒸镀K3Sb面层，从而将碱金属Na埋入K3Sb层中，形成“夹心式”结构，使金属锑和碱金属K和Na充分反应，优化阴极的化学配比，提升阴极的灵敏度1倍以上，阴极灵敏度达到50μA/lm以上。通过加电去除锑珠吸附的碱金属，并设计一种环形加热装置对高温管管壁及内部固定陶瓷片进行局部加热，以去除其表面吸附的碱金属，从而避免了高温下碱金属对光电阴极的破坏，实现寿命高达400h以上的阴极制备，提升寿命3倍以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118899211A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410953315.1
申请日：2024-07-16
Applicant: 北方夜视技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种具有电子准直结构的EBAPS结构、EBAPS器件，包括：容纳设置于管壳内的：入射窗、光电阴极、微通道板、支撑基底、背照式图像传感器；入射窗设置于管壳的光学入射端面上；光电阴极设置于入射窗底面上，并朝向微通道板设置；微通道板安装于管壳内中部；光电阴极与微通道板的入口面间设置电压Va；微通道板的入口面、电子出射面间设置电压Vb；微通道板电子出射面与背照式CMOS之间电压为Vc。该结构能在不减小近贴距离的情况下，实现有效抑制光电子渡越弥散，提高低照度下的分辨力，降低击穿或漏电风险。
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公开(公告)号：CN114026669B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080047134.2
申请日：2020-06-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 电子管(1)包括：壳体(10)，其包括具有电磁波透射性的窗(11a)；电子释放板(21)，其配置于壳体(10)的内部，根据电磁波的入射而释放电子；和保持部件(22)，其配置于壳体(10)的内部，保持电子释放板(21)并且对电子释放板(21)施加电压。电子释放板(21)具有彼此相对的第1主面(21a)和第2主面(21b)。保持部件(22)具有与第1主面(21a)接触的基部(25)，和与第2主面(21b)的缘部接触并且对电子释放板(21)向基部(25)弹性地施力的多个电子释放板施力部(27c)。保持部件(22)经由该多个电子释放板施力部(27c)与第2主面(21b)电连接。
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公开(公告)号：CN113994220B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080044526.3
申请日：2020-05-22
Applicant: 法国甫托尼公司
Abstract: 本发明涉及一种电磁辐射检测器，包括用于接收入射光子流的入口窗口(310)和半导体层形式的光电阴极(320)。在入口窗口的下游面(312)上沉积导电层(316)，并且在导电层(316)和半导体层(320)之间设置薄介电层(317)。导电层的电势低于半导体层的电势，以将光电子驱逐出复合区域，从而提高光电阴极的量子产率。
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公开(公告)号：CN114171366B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111500019.9
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国科学院高能物理研究所 , 中国科学院西安光学精密机械研究所 , 中国建筑材料科学研究总院有限公司 , 北方夜视技术股份有限公司
Inventor： 白永林 , 黄永刚 , 常乐 , 王志刚 , 须恃愉 , 董永伟 , 王乐 , 贾金升 , 刘术林 , 高佳锐 , 付杨 , 龚燕妮 , 朱科军 , 曹伟伟 , 张敬 , 丛晓庆 , 王博 , 宋普光 , 刘倍宏 , 胡泽训 , 王久旺 , 王云 , 周游
Abstract: 本发明是关于一种具有双光纤光锥结构的像增强器及像增强型探测成像系统，所述像增强器包括：壳体；电子倍增元件，其设置于所述壳体内；阴极输入窗，其设置于所述电子倍增元件的输入端，并与所述壳体连接；光电阴极，其设置于所述壳体内，并与所述阴极输入窗连接；以及阳极输出窗，其设置于所述电子倍增元件的输出端，并与所述壳体连接。本发明中像增强器或光电倍增管的输入、输出端面结构上与传统有所不同，通过这种新颖的结构设计，可有效减少元件的耦合界面数量，提高耦合效率，并且在不增加图像传感器如ICMOS或ICCD器件体积，甚至于减小体积的前提下扩大观测视野。
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公开(公告)号：CN117882169A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280055977.6
申请日：2022-08-05
Abstract: 在光电转换装置中，超表面包括第一天线部、第一偏置部、第二天线部和第二偏置部。第一天线部在第一方向上延伸并且响应于电磁波的入射而发射电子。第一偏置部面对第一天线部，并且被配置为在第一偏置部和第一天线部之间产生具有第一方向上的分量的电场。第二天线部在与第一方向交叉的第二方向上延伸并响应于电磁波的入射而发射电子。第二偏置部面对第二天线部，并且被配置为在第二偏置部和第二天线部之间产生具有第二方向上的分量的电场。
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