公开(公告)号：CN101039873A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580029941.7

申请日：2005-11-10

Applicant: 尼康股份有限公司

Inventor： 泷优介 ,  筱原清晃

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/36 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管集合体的制造方法，其含有：在基板上形成既定粒径的金属微粒的步骤；使该金属微粒于还原环境气氛中加热至300℃～400℃的既定温度使表面还原的步骤；使该金属微粒于反应炉内加热至既定的反应温度的步骤；将有机化合物蒸气导入至反应炉而在该金属微粒上成长碳纳米管的步骤，其从开始对该金属微粒进行加热后、至碳纳米管开始成长的期间，是使该金属微粒的温度超过450℃的时间为600秒以内。

公开(公告)号：CN1998061A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN03820815.6

申请日：2003-07-02

Applicant: 新泰科有限公司

Inventor： 高波

IPC: H01J9/00 ,  G01N27/26

CPC classification number: C25D15/02 ,  B82Y10/00 ,  C25D5/48 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种形成电子发射极的方法，包括步骤：(i)形成一种含毫微结构的材料；(ii)形成一种含毫微结构材料和一种基质材料的混合物；(iii)通过电泳淀积方法在基片至少一个表面的至少部分上淀积一层该混合物；(iv)烧结或熔化该层从而形成一种复合材料；和(v)用电化学方法蚀刻该复合材料，除去其表面上的基质材料，从而暴露含毫微结构的材料。

公开(公告)号：CN1988100A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200510121025.8

申请日：2005-12-20

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 董才士

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在金属层表面形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN1967765A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610137626.2

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文钟云

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种电子发射源，其包括含碳材料，并且由形成于所述电子发射源的侧表面上的保护层进行保护。因此，所述电子发射源所受到的外界环境的损害被减至最小，于是得到了清晰得多的显示屏，并且所述电子发射源表现出高稳定性。包括所述电子发射源的电子发射装置具有较高的可靠性和较长的使用寿命。

公开(公告)号：CN1959896A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200510101025.1

申请日：2005-11-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  姜开利 ,  刘锴 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射体及其制备方法，该制备方法包括步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长在一基体上，该碳纳米管阵列包括与基体接触的根部及相对远离基体的顶部；提供一阴极基底，其包括基底本体及形成在该基底本体上的粘结剂层；将该碳纳米管阵列的顶部与粘结剂层接触，使碳纳米管阵列与阴极基底形成电接触；固化该粘结剂层，使该碳纳米管阵列与该阴极基底结合牢固；去除该基体以露出该碳纳米管阵列的根部，以获得一碳纳米管场发射体。本发明通过将碳纳米管阵列反粘在阴极基底上，以使碳纳米管阵列的位于同一平面的根部作为碳纳米管场发射体的发射端，其制备工艺简单、成本低，且碳纳米管场发射体具有较佳场发射均匀性。

公开(公告)号：CN1949449A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200510100365.2

申请日：2005-10-14

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 姜开利 ,  柳鹏 ,  魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/00 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/14 ,  H01J1/15 ,  H01J1/20 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/19 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30496

Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。

公开(公告)号：CN1301212C

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN02134777.8

申请日：2002-09-17

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  范守善

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/04 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/901

Abstract: 本发明涉及一种调整一维纳米材料的形状和方向的方法，利用脉冲激光束按选定方向照射一维纳米材料阵列，形成锥形的尖端，改变其形状及方向，并清洁阵列的上表面，从而降低场发射电场阈值，消除电场屏蔽效应，提高场发射效果。

公开(公告)号：CN1295145C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN01133899.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 滝川浩史 ,  双叶电子工业株式会社

Inventor： 滝川浩史 ,  日比美彦

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/082 ,  B01J2219/0822 ,  B01J2219/083 ,  B01J2219/0839 ,  B01J2219/0886 ,  B01J2219/0892 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/844

Abstract: 一种能够因电弧放电而使主要包括石墨的电弧处理材料的表面瞬间形成纳米管的方法和装置，该电弧放电利用类似焊接电弧焊炬等的单元进行，而无需处理容器，这形成用于电子发射源的纳米管。用作第一电极的焊炬电极与由石墨制成且用作第二电极的电弧处理材料彼此相对设置。将电压加载到两个电极之间，以在其间产生电弧放电。将具有开口图案的掩膜设置在电弧处理材料上，使得仅位于电弧处理材料表面上与掩膜开口相对应的部分上的石墨暴露给电弧，从而形成纳米管。

公开(公告)号：CN1881512A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610084157.2

申请日：2006-04-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文希诚 ,  金载明

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种显示装置和制造该显示装置的方法。电子发射体涂覆有金属氧化物纳米颗粒。显示装置包括电子发射体。电子发射体具有碳颗粒和金属氧化物颗粒。碳颗粒具有表面并且至少一部分金属氧化物颗粒形成在至少一部分碳颗粒表面上。当将具有涂覆外壁的碳纳米管用在电子发射体上时，电子发射发生在碳纳米管尖端和涂覆外壁，这使得当相邻的碳纳米管开始相互接触时，基于涂覆颗粒而增大电子发射区域并提高碳纳米管的传导率。

公开(公告)号：CN1877775A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200510023037.7

申请日：2005-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/14 ,  H01J9/42

CPC classification number: H01J63/02 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种包括纳米尺寸无机材料和载体的制备电子发射源的组合物、用该组合物制备电子发射源的方法、包括纳米尺寸无机材料和少量残余的碳的电子发射源，以及包括电子发射源的电子发射装置。