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公开(公告)号：CN1862749A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610079489.1
申请日：2006-05-09
Applicant: 诺利塔克股份有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 一种制造电子发射源的方法包括第一至第三步骤。在第一步骤中，在反应炉中将由包含铁、镍、钴和铬中任一种的金属制成的阴极结构加热到第一温度，其中已经向所述反应炉中引入碳源气体，以通过化学气相沉积在阴极结构上形成多个第一碳纳米管。在第二步骤中，在阴极结构和多个第一碳纳米管中的至少一个上沉积充当阴极结构材料的金属，以形成催化剂金属层。在第三步骤中，在反应炉中将包括催化剂金属层的阴极结构加热到比第一温度高的第二温度，其中已经向反应炉中引入了碳源气体，以通过化学气相沉积在催化剂金属层上形成比第一碳纳米管细的多个第二碳纳米管。还公开了一种电子发射源。
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公开(公告)号：CN1830766A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610008640.2
申请日：2006-02-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供CNT结构及其制造方法、以及利用该CNT结构的FED装置及其制造方法。该CNT结构包括基板、涂覆在基板上具有预定尺寸的多个缓冲颗粒、通过对在基板上沉积至预定厚度从而覆盖缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在缓冲颗粒的表面上的多个催化剂层、以及从催化剂层生长的多个CNT。
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公开(公告)号：CN1821067A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009255.X
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。
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公开(公告)号：CN1801425A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137777.3
申请日：2002-11-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。
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公开(公告)号：CN1770352A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410052163.0
申请日：2004-11-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置及具有该装置的显示器。该场发射装置包括一基板以及形成于该基板上的多个阴极以及形成于阴极表面的多个电子发射体，其中形成有多个电子发射体的阴极表面为凸起的曲面。由于阴极表面为凸起的曲面，使得形成于该表面的多个电子发射体呈发散状分布，从而使得相邻电子发射体的尖端之间距离增大，场屏蔽效应减弱，从而使获得同样电流需要的电场强度降低，可降低驱动成本。本发明还公开了采用该场发射装置的场发射显示器。
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公开(公告)号：CN1252329C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03159461.1
申请日：2003-09-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , D01F9/127 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/843 , Y10S977/887
Abstract: 提供一种碳纤维的制造方法及其应用、以及催化剂制造用印墨。该催化剂制造用印墨在衬底上涂敷后可稳定地形成金属粒子，该金属粒子用作适于使碳纤维生长的催化剂。该催化剂制造用印墨以水或有机溶剂为主溶剂，是包含有机金属化合物和水溶性高分子化合物的溶液，该有机金属化合物包含选自Pd、Fe、Co和Ni中的任一种金属。
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公开(公告)号：CN1757594A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200410051806.X
申请日：2004-10-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B05D3/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及纳米材料，特别涉及一种碳纳米管阵列处理方法。本发明中，在基底上形成一碳纳米管阵列；通过预定图形的模压装置对所述碳纳米管阵列压印；取下模压装置，形成具有相应图形的碳纳米管阵列。该方法工艺简单、成本较低、有利于大批量生产。
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公开(公告)号：CN1739189A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108992.X
申请日：2003-12-19
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01L21/32134
Abstract: 一种包括在催化剂层上形成的保护层来保护该催化剂层在阴极处理期间或之前免受有害环境条件影响的电子发射设备。本发明还包括半蚀刻处理，其适用于从催化剂层上部分去除保护层，以蚀刻除了碳纤管生长部分之外的催化剂层。部分保护层仍然保留在催化剂层上以保护该催化剂层在下个阴极形成处理中免受有害条件的影响。
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公开(公告)号：CN1725416A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200410050829.9
申请日：2004-07-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示装置及其制备方法，用于解决三极或四极型场发射显示装置中栅极与阴极间绝缘层难于制造的技术问题。该场发射显示装置包括：一绝缘基底，具有多个电子发射端的阴极，以及栅极，其特征在于该绝缘基底一表面上内陷有多个凹槽，阴极形成于该凹槽底部，栅极形成于该基底表面，并与阴极绝缘。本发明还提供一种场发射显示装置的制备方法，其包括下列步骤：步骤一，提供一具有一平整表面的绝缘基底；步骤二，在绝缘基底表面形成多个内陷的凹槽；步骤三，在凹槽底部形成阴极层；步骤四，在阴极层上形成电子发射端；步骤五，在基底表面形成栅极。
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公开(公告)号：CN1707727A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510072913.5
申请日：2005-05-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器。该场发射器件包括玻璃基板、形成在玻璃基板上且具有凹的部分的材料层、形成在材料层上的阴极电极、形成在阴极电极凹的部分上的电子发射极、形成在阴极电极上并具有与凹的部分连通的腔的栅极绝缘层、以及形成在栅极绝缘层上并具有与腔对准的栅极孔的栅极电极。
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