公开(公告)号：CN203415561U

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201320370648.9

申请日：2013-06-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松浦真吾 ,  内田刚生 ,  黑须七惠

IPC: H01L23/13

Abstract: 本实用新型提供封装基体以及半导体元件承载体。获得引线端子、布线基板不易损伤的半导体元件收纳用封装的封装基体以及半导体元件承载体。封装基体包括在上侧主面具有用于承载半导体元件(5)的承载部(1a)的多边形状的布线基板(1)、与该布线基板(1)的下侧主面的一边接合的引线端子(4)以及与布线基板(1)的下侧主面接合的金属基板(2)，金属基板(2)在一边(1c)的两侧的至少一个角(1b)处具有向外侧伸出的伸出部(2a)，伸出部(2a)在侧面(2c)具有突起(2d)。

公开(公告)号：CN202809036U

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201220297308.3

申请日：2012-06-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 三垣俊二 ,  远矢祐大 ,  平田和幸 ,  中须贺实

IPC: D01D11/04

CPC classification number: D01D5/096 ,  B65H57/24 ,  B65H75/04 ,  D01D11/04 ,  D01H13/04

Abstract: 本实用新型提供一种能够抑制对纤维造成伤痕、松脱及起毛等损害，且耐磨损性高的高硬度的纤维引导器。至少线所接触的接线部(11)由陶瓷烧结体构成，根据接线部(11)的表面的粗糙度曲线求出的偏度(Rsk)为一2.0以上且3.0以下，因此能够使接线部(11)中的与纤维(100)接触的区域比较少，因此接线部(11)的磨损所造成的影响少，能够抑制对纤维(100)的损害。

公开(公告)号：CN2924990Y

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200520132200.9

申请日：2005-12-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 长迫龙一

IPC: H05B3/18 ,  H05B3/02 ,  H05B3/10 ,  A45D4/00 ,  A45D6/00

Abstract: 一种陶瓷加热器，其特征是：包含陶瓷体，该陶瓷体具有外表面和被埋设的导体图案，所述导体图案由导体构成，所述导体按照形成成为电阻发热体的折返部的方式被设置，在所述折返部中由邻接的导体所夹的陶瓷部的空孔占有率为0.01～50％。由此提供能防止高温条件下的绝缘性降低且具有良好耐久性的陶瓷加热器。

公开(公告)号：CN2731892Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420087165.9

申请日：2004-08-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藏原英治

IPC: H05B3/20

Abstract: 一种陶瓷加热器，在陶瓷片的表面上，进行发热电阻和与该发热电阻连接的电极引出部的网板印刷，进而，在与该电极引出部相对的背面，进行用于与上述电极引出部导通的电极焊盘的网板印刷，在把上述表面作为内侧而将上述陶瓷片密贴于陶瓷芯材的圆周上、形成陶瓷加热器，在该陶瓷加热器上的上述陶瓷芯材和上述陶瓷片的各平均气孔径为1～10μm。这种陶瓷加热器，防止陶瓷中的粘合料成分CaO、MgO、SiO2的离子移动和迁移，可防止由此引起的发热电阻断线和提高耐久性。

公开(公告)号：CN120015705A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510136611.7

申请日：2020-02-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  村川贤太郎

IPC: H01L21/78 ,  H10D62/10 ,  H10H20/819 ,  H10H20/01

Abstract: 提供一种半导体基板。本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序（S1），在基底基板（11）上形成半导体元件（15），所述半导体元件（15）经由连接部（13b）而与基底基板（11）连接，并且具有相对于基底基板（11）的生长面倾斜的上表面（15a）；准备工序（S2），准备具有与基底基板（11）对置的对置面（16c）的支承基板（16）；接合工序（S3），将半导体元件（15）的上表面（15a）向支承基板（16）的对置面（16c）按压以及进行加热，将半导体元件（15）的上表面（15a）和支承基板（16）接合；以及剥离工序（S4），将半导体元件（15）从基底基板（11）剥离。

公开(公告)号：CN119895565A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380066637.8

申请日：2023-09-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 辻野咲季 ,  赤星知幸 ,  山本崇

IPC: H01L23/40 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

Abstract: 半导体模块具有：基板；至少一个半导体元件，配置于基板的第一面；散热部件，配置于半导体元件的上方；以及光纤电缆，与半导体元件连接。另外，散热部件相对于半导体元件延伸的第一方向与光纤电缆相对于半导体元件延伸的第二方向交叉。

公开(公告)号：CN119856075A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380065484.5

申请日：2023-09-13

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 黑田淳 ,  佐原彻 ,  本间拓也 ,  香岛裕 ,  村上洋平

IPC: G01S13/34 ,  A61B5/0245 ,  A61B5/11 ,  G01S13/88

Abstract: 电子设备具有：发送部，发送发送波；接收部，接收发送波的来自物标的反射波；以及信号处理部，基于对发送波和接收波的差拍信号进行傅里叶转换后的转换信号，检测物标的距离、方向及速度；信号处理部利用复数个窗函数从转换信号中提取相当于伴随物标的心跳的心音振动的信号成分，对包络信号进行频率解析，该包络信号是对相当于心音振动的信号成分进行包络处理而得到的包络信号，对频率解析的结果进行统计结果的计算处理，基于计算结果，输出物标的心跳的频率的时序数据。

公开(公告)号：CN119731136A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380063674.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 饭田真美 ,  岛康平 ,  丰田谕史 ,  小川浩充

IPC: C04B35/581 ,  C04B41/87 ,  C23C16/34

Abstract: 陶瓷构造体具有：第一层，其具有第一晶体粒子；以及第二层，其位于第一层之上且具有第二晶体粒子。第一晶体粒子及第二晶体粒子分别含有选自Al、Si、Ti、Cr、Zr及Y中的1种以上的金属元素以及选自N、C及B中的1种以上的非金属元素。第一晶体粒子及第二晶体粒子是相同的化合物。在将第一层的X射线衍射中的第一晶体粒子的最大强度的密勒指数的峰值的半值宽度设为W1、将第二层的X射线衍射中的第二晶体粒子的与密勒指数相同的峰值的半值宽度设为W2的情况下，9×W1＞W2＞W1。

公开(公告)号：CN115461802B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202180029324.6

申请日：2021-04-14

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 青木胜美 ,  伊藤弘晃

IPC: G09F9/30

Abstract: 本公开的显示装置具备基板、显示部、第1布线焊盘、第1凹部、第2布线焊盘和侧面导体。基板具有第1面、侧面、与第1面相反的一侧的第2面。显示部位于第1面上，具有像素部。第1布线焊盘位于第1面上的端缘区域，与像素部电连接。第1凹部位于第1布线焊盘的第1外表面。第2布线焊盘在第2面上的端缘区域，位于与第1布线焊盘对应的部位。侧面导体经由侧面从第1面上设置到第2面上，将第1布线焊盘和第2布线焊盘连接。

公开(公告)号：CN114342565B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202080059797.6

申请日：2020-08-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 横山笃志

IPC: H05H13/04 ,  G21K1/093

Abstract: 一种电磁场控制用构件，具备：绝缘构件，由筒状的陶瓷构成，具有沿着轴向延伸的多个贯通孔；导通构件，由金属构成，封堵贯通孔，以使得具有在绝缘构件的外周开口的开口部；供电端子，与该导通构件连接，贯通孔的内壁面具备：倾斜面，从筒状的绝缘构件的内周朝向所述外周，相互对置的内壁间的宽度逐渐增加；以及垂直面，位于绝缘构件的内周侧，相互对置的内壁间的宽度恒定。