公开(公告)号：KR100509168B1

公开(公告)日：2005-08-22

申请号：KR1020010053065

申请日：2001-08-30

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 공명선

IPC: G01N27/40 ,  C08F120/00

Abstract: 본 발명은 3차아민기를 포함하는 비닐단량체와 염을 포함하는 비닐단량체 그리고 1 또는 2이상의 비닐공단량체를 공중합시킨 제1공중합체 및 알킬할라이드기를 포함하는 비닐단량체와 1 또는 2이상의 비닐공단량체를 공중합시킨 제2공중합체를 서로 4차암모늄화 반응을 통해 가교화시켜 형성되는 감습제를 포함하여 이루어지는 고분자막 습도센서에 관한 것으로서, 감습막, 상기 감습막과 전기적 접촉을 유지하는 전극, 상기 전극을 고정시키는 전극스냅 및 상기 전극을 외부와 연결하는 단자를 포함하는 고분자막 습도센서에 있어서, 상기 감습막이 3차아민기를 포함하는 비닐단량체와 염을 포함하는 비닐단량체 그리고 1 또는 2이상의 비닐공단량체를 공중합시킨 제1공중합체 및 알킬할라이드기를 포함하는 비닐단량체와 1 또는 2이상의 비닐공단량체� �� 공중합시킨 제2공중합체를 서로 4차암모늄화 반응을 통해 가교화시켜 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 감습특성이 우수하고 내수성이 뛰어난 감습막을 포함하는 습도센서를 제공하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100483347B1

公开(公告)日：2005-04-15

申请号：KR1020030023758

申请日：2003-04-15

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/56

Abstract: 평활한 표면을 구현하므로 별도의 경면연마공정이 필요없고 생산수율 및 생산성이 향상되고 압전박막의 c-축 우선배향성이 향상되도록, 음향학적 반사층의 테두리를 형성하며 기판 위에 산화물이나 질화물 등을 소정의 두께로 증착하여 형성하는 식각전파방지막과, 식각전파방지막 위에 전도성 재료를 증착하여 형성하는 하부전극과, 하부전극 및 식각전파방지막 위에 압전특성을 보유하는 재료를 증착하여 형성하는 압전박막과, 압전박막 및 식각전파방지막 위에 전도성 재료를 증착하여 형성하는 상부전극을 포함하는 체적탄성파 소자를 제공한다.
그리고 기판에 식각전파 방지용 경계홈을 형성하는 홈형성단계와, 기판 위에 산화물이나 질화물 등으로 식각전파방지막을 형성하는 방지막형성단계와, 식각전파방지막 위에 하부전극을 형성하는 하부전극형성단계와, 하부전극 및 식각전파방지막 위에 압전특성을 보유하는 재료를 증착하여 압전박막을 형성하는 압전박막형성단계와, 압전박막 및 식각전파방지막 위에 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계와, 식각전파 방지용 경계홈 내부를 식각하여 음향학적 반사층을 형성하는 음향반사층형성단계를 포함하는 체적탄성파 소자 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050030244A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：KR1020030066427

申请日：2003-09-25

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  범진욱 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  범진욱 ,  송남진 ,  김재권 ,  나훈주

IPC: H01L29/772

Abstract: An SiC MESFET(MEtal-Semiconductor Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to increase breakdown voltage and to prevent field enhancement by using a dielectric bridge structure. An epitaxial layer is formed on a SiC substrate. A plurality of source and drain electrodes(14,12) are alternately spaced apart from each other on the epitaxial layer. Gate electrodes(10) are formed between the source and drain electrodes. A drain pad(13) for connecting the drain electrodes with each other is formed on the substrate. A gate pad(11) for connecting the gate electrodes with each other is formed on the substrate. A source pad(15) for connecting the source electrodes with each other is spaced apart from the drain and gate pads on the substrate. A source connecting part(16) is used for connecting the source pad with source electrodes. A dielectric bridge(20) made of a low dielectric material is formed between the drain electrode, the gate electrode, the drain pad, the gate pad and the source connecting part.

Abstract translation: 提供SiC MESFET（MEtal-Semiconductor Field Effect Transistor）及其制造方法以增加击穿电压并且通过使用介电桥结构来防止场增强。 在SiC衬底上形成外延层。 多个源极和漏极（14B）在外延层上彼此交替间隔开。 源极和漏极之间形成栅电极（10）。 在衬底上形成用于连接漏电极的漏极焊盘（13）。 在基板上形成用于连接栅电极的栅极焊盘（11）。 用于将源电极彼此连接的源极焊盘（15）与衬底上的漏极和栅极焊盘间隔开。 源连接部分（16）用于将源极焊盘与源电极连接。 在漏电极，栅电极，漏极焊盘，栅极焊盘和源极连接部分之间形成由低电介质材料制成的电介质电桥（20）。

公开(公告)号：KR200378172Y1

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR2020040034740

申请日：2004-12-07

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 이창진

IPC: H01Q1/24

CPC classification number: H01Q1/243 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q9/0407

Abstract: 크기가 작고, 간편하게 이동하면서 위성 DMB(Digital Multimedia Broadcasting) 신호를 수신할 수 있는 위성 DMB 수신용 패치 안테나를 제공한다.
유전체 기판과, 상기 유전체 기판의 배면 전체에 형성되는 접지판과, 상기 유전체 기판의 상면에 형성되는 삼각 패치와, 상기 접지판의 우편파를 수신할 수 있는 급전점의 위치에 접지판과 절연되게 설치되는 수신신호 출력부와, 상기 수신신호 출력부와 상기 삼각패치를 전기적으로 연결하는 연결부재로 구성되는 것으로서 이동체에 설치하여 위성 DMB 신호를 수신할 경우에 이동체의 이동에 따라 삼각 패치 안테나의 방향이 변하여도 수신감도를 그대로 유지하면서 위성 DMB 신호를 수신할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050010710A

公开(公告)日：2005-01-28

申请号：KR1020040053959

申请日：2004-07-12

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/56

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/02149 ,  H03H9/173

Abstract: PURPOSE: A silicon film bulk acoustic wave device is provided to improve c-axis orientation characteristics and resonance characteristics of a piezoelectric film by forming the piezoelectric film on a thin lower electrode formed on a planarized oxidation stopper layer or an etching stopper layer. CONSTITUTION: A silicon film bulk acoustic wave device includes an acoustic reflective layer(8), an oxidation stopper layer or an etching stopper layer(10), a thermal oxidation layer(12), a lower electrode(20), a piezoelectric film(30), and an upper electrode(40). The acoustic reflective layer removes a sacrifice layer formed on a substrate to form a hollow space between the acoustic reflective layer and the substrate(2). The oxidation stopper layer or the etching stopper layer is formed on the sacrifice layer with a pattern used for discerning a resonant region on which the acoustic reflective layer is formed. The thermal oxidation layer selectively oxidizes the sacrifice layer where the oxidation stopper layer or the etching stopper layer is not formed. The lower electrode, the piezoelectric film, and the upper electrode are formed on the thermal oxidation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种硅膜体声波装置，通过在平坦化的氧化阻挡层或蚀刻阻挡层上形成的薄的下部电极上形成压电膜来提高压电膜的c轴取向特性和谐振特性。 构成：硅膜体声波装置包括声反射层（8），氧化阻挡层或蚀刻阻挡层（10），热氧化层（12），下电极（20），压电膜（ 30）和上电极（40）。 声反射层去除形成在基底上的牺牲层，以在声反射层和基底（2）之间形成中空空间。 在牺牲层上形成氧化阻挡层或蚀刻停止层，其具有用于识别其上形成有声反射层的谐振区域的图案。 热氧化层选择性地氧化未形成氧化阻挡层或蚀刻停止层的牺牲层。 下部电极，压电膜和上部电极形成在热氧化层上。

公开(公告)号：KR100446258B1

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：KR1020020039212

申请日：2002-07-08

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/56

Abstract: PURPOSE: An RF bulk acoustic element using a piezoelectric single crystal and a fabricating method thereof are provided to control the thickness of a piezoelectric layer by using an anisotropic etch method. CONSTITUTION: An RF bulk acoustic element using a piezoelectric single crystal includes a piezoelectric layer(4), a coupled of electrodes(6), a couple of pads(8), and a connector(7). The piezoelectric layer(4) is formed by performing an anisotropic etch process for a piezoelectric single crystal(2) to form two grooves(3). The electrodes(6) are formed on both sides of the piezoelectric layer. The pads(8) are formed on an upper surface of the piezoelectric single crystal(2) between the piezoelectric layers in order to be connected to a power source or a circuit. The connector(7) is formed along each bottom face and each side of the grooves(3).

Abstract translation: 目的：提供使用压电单晶的RF体声元件及其制造方法，以通过使用各向异性蚀刻方法来控制压电层的厚度。 本发明涉及一种使用压电单晶的RF体声元件，其包括压电层（4），电极（6）的耦合，一对衬垫（8）和连接器（7）。 压电层（4）通过对压电单晶（2）进行各向异性蚀刻工艺形成两个凹槽（3）而形成。 电极（6）形成在压电层的两侧。 垫（8）形成在压电层之间的压电单晶（2）的上表面上，以便连接到电源或电路。 连接器（7）沿着凹槽（3）的每个底面和每个侧面形成。

公开(公告)号：KR1020030096866A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020033951

申请日：2002-06-18

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수 ,  송광호

IPC: G01K7/02

Abstract: PURPOSE: A temperature sensor by using a thermister thin film and a manufacturing method thereof are provided to make the temperature sensor in a compact size and to achieve a rapid reaction time by adjusting shapes of an electrode and the thermister thin film. CONSTITUTION: A temperature sensor includes a substrate(2). A first electrode layer(4) is formed on the substrate(2) in a predetermined pattern. A thermister thin film is deposited on the first electrode layer(4) in order to form a lower thin film(8). An insulation layer(7) is formed on the lower thin film(8) in a predetermined pattern. A second electrode layer(6) is formed on the insulation layer(7). The second electrode layer(6) has a size smaller than a size of the insulation layer(7). A thermister thin film is deposited on the second electrode layer(6) so as to form an upper thin film(9). The thermister thin film is covered with a protective layer(10).

Abstract translation: 目的：提供使用热敏电阻薄膜的温度传感器及其制造方法，使温度传感器小型化，通过调整电极和热敏电阻薄膜的形状来实现快速的反应时间。 构成：温度传感器包括基板（2）。 在基板（2）上以预定图案形成第一电极层（4）。 为了形成下部薄膜（8），在第一电极层（4）上沉积热敏电阻薄膜。 绝缘层（7）以预定图案形成在下薄膜（8）上。 在绝缘层（7）上形成第二电极层（6）。 第二电极层（6）的尺寸小于绝缘层（7）的尺寸。 在第二电极层（6）上沉积热敏电阻薄膜，形成上薄膜（9）。 热敏电阻薄膜被保护层（10）覆盖。

公开(公告)号：KR1020030076039A

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：KR1020020015682

申请日：2002-03-22

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  우종명

Inventor： 우종명 ,  김종래

IPC: H01Q13/08

Abstract: PURPOSE: A microstrip patch antenna is provided to miniaturize a total size by folding one or more times a patch to reduce a plane size of the patch. CONSTITUTION: A microstrip patch antenna includes a patch(30), a ground plate(10), and a dielectric layer(20). The patch(30) is formed by folding a shape of a plate one or more times. A feeding point connected to a feeder(40) is formed on an upper surface or a bottom surface of the patch(30). The ground plate(10) is installed between the folded patch(30). The dielectric layer(20) having the predetermined thickness is formed between the ground plate(10) and the patch(30). The patch(30) of two layers is formed by folding a center line of the patch(30).

Abstract translation: 目的：提供微带贴片天线，通过折叠一次或多次贴片来缩小总体尺寸，以减小贴片的平面尺寸。 构成：微带贴片天线包括贴片（30），接地板（10）和电介质层（20）。 贴片（30）通过将板的形状折叠一次以上而形成。 在贴片（30）的上表面或下表面上形成有与送料器（40）连接的供给点。 接地板（10）安装在折叠的贴片（30）之间。 具有预定厚度的电介质层（20）形成在接地板（10）和贴片（30）之间。 通过折叠贴片（30）的中心线来形成两层的贴片（30）。

公开(公告)号：KR1020030054245A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：KR1020010084381

申请日：2001-12-24

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수 ,  신금식

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/02 ,  H03H2001/0085 ,  H03L7/08

Abstract: PURPOSE: A VCO(Voltage Controlled Oscillator) using an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) is provided to reduce a device size by forming only an inductor part of a resonance portion. CONSTITUTION: A VCO includes a power supply portion for supplying DC power, a variable portion for varying an output frequency, a resonance portion for setting up a desired frequency, an oscillation portion having a negative resistance circuit, and an amplification portion for amplifying an output level of the oscillation frequency. An inductor part of the resonance portion is formed with an FBAR. The FBAR includes a substrate(2), an acoustically reflective layer(4), a lower electrode(6), a lower pad portion, a piezoelectric layer(10), an upper electrode(8), an upper pad portion, a couple of upper and lower lead lines(18,16), and a package member(20). The acoustically reflective layer is formed on the substrate. The lower electrode is formed on the acoustically reflective layer by using a conductive material. The lower pad portion is connected to the lower electrode. The piezoelectric layer is formed on the substrate and the lower electrode by using a piezoelectric material. The upper electrode is formed on the piezoelectric layer by using the conductive material. The upper pad portion is connected to the upper electrode. The upper lead line and the lower lead line are connected to the upper electrode and the lower electrode, respectively. The package member is used for covering the lower electrode, the upper electrode, and the piezoelectric layer.

Abstract translation: 目的：提供使用FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）的VCO（压控振荡器），通过仅形成谐振部分的电感器部分来减小器件尺寸。 构成：VCO包括用于提供DC电力的电源部分，用于改变输出频率的可变部分，用于设置期望频率的谐振部分，具有负电阻电路的振荡部分和用于放大输出的放大部分 振荡频率的电平。 谐振部分的电感部分由FBAR形成。 FBAR包括基板（2），声反射层（4），下电极（6），下焊盘部分，压电层（10），上电极（8），上焊盘部分 的上引线和下引线（18,16）以及封装构件（20）。 在基板上形成声反射层。 下电极通过使用导电材料形成在声反射层上。 下焊盘部分连接到下电极。 通过使用压电材料在基板和下电极上形成压电层。 上电极通过使用导电材料形成在压电层上。 上焊盘部分连接到上电极。 上引线和下引线分别连接到上电极和下电极。 封装构件用于覆盖下电极，上电极和压电层。

公开(公告)号：KR100369895B1

公开(公告)日：2003-01-30

申请号：KR1020000044801

申请日：2000-08-02

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 윤상옥 ,  송광호

IPC: H01C7/02

Abstract: PURPOSE: A thermistor for middle and high temperature and a fabricating method thereof are provided to enhance an adaptive characteristic to a thermal variation by using a fine glass layer and minimize a variation of the characteristic by using a porous layer. CONSTITUTION: A thermistor element(2) is used for indicating a variation of a particular resistance value according to a thermal variation. A terminal line(4) is installed to both sides of the thermistor element(2). An electrode layer(6) is used for adhering the terminal line(4) with the thermistor element(2). The thermistor element(2) and the electrode layer(6) are surrounded by a porous layer(8). A fine glass layer(10) is used for covering the porous layer(8). The porous layer(8) is formed by a metal such as an alumina, a zirconia, and a magnesia. The fine glass layer(10) is formed by performing a thermal process for glass powders. The electrode layer(6) is formed by using silver, gold, and platinum. The terminal line(4) is formed by a metal line including the silver, the gold, and the platinum.

Abstract translation: 目的：提供一种用于中高温的热敏电阻及其制造方法，以通过使用细玻璃层来增强对热变化的自适应特性，并通过使用多孔层使特性的变化最小化。 构成：热敏电阻元件（2）用于根据热变化指示特定电阻值的变化。 端子线（4）安装在热敏电阻元件（2）的两侧。 电极层（6）用于将端子线（4）与热敏电阻元件（2）粘合。 热敏电阻元件（2）和电极层（6）被多孔层（8）包围。 用细玻璃层（10）覆盖多孔层（8）。 多孔质层（8）由氧化铝，氧化锆，氧化镁等金属形成。 细玻璃层（10）通过对玻璃粉进行热处理而形成。 电极层（6）通过使用银，金和铂来形成。 终端线（4）由包括银，金和铂的金属线形成。