公开(公告)号：KR100481929B1

公开(公告)日：2005-04-11

申请号：KR1020020033951

申请日：2002-06-18

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수 ,  송광호

IPC: G01K7/02

Abstract: 소형화가 가능하고 반응속도가 빠르며 전극의 전기이동 현상 및 절연파괴와 결함구조에 의한 이온전도 현상 등을 방지할 수 있도록, 중간에 포크형상 또는 성곽형상이 기어와 같이 맞물리는 형상이면서 소정의 패턴으로 형성되는 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈이 형성되는 기판과, 기판의 제1전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제1전극과, 기판의 제2전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제2전극과, 제1전극 및 제2전극 위에 형성되고 절연칸막이를 가로질러 형성되는 써미스터박막과, 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막을 포함하여 이루어지는 써미스터 박막을 이용한 온도센서를 제공한다.
또 기판에 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈을 형성하는 홈형성공정과, 제1전극홈 및 제2전극홈에 각각 돌출되지 않는 높이로 제1전극 및 제2전극을 형성하는 전극형성공정과, 제1전극 및 제2전극 위에 절연칸막이를 가로질러 써미스터박막을 형성하는 박막형성공정과, 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 보호막을 형성하는 보호막형성공정을 포함하여 이루어지는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020030096866A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020033951

申请日：2002-06-18

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수 ,  송광호

IPC: G01K7/02

Abstract: PURPOSE: A temperature sensor by using a thermister thin film and a manufacturing method thereof are provided to make the temperature sensor in a compact size and to achieve a rapid reaction time by adjusting shapes of an electrode and the thermister thin film. CONSTITUTION: A temperature sensor includes a substrate(2). A first electrode layer(4) is formed on the substrate(2) in a predetermined pattern. A thermister thin film is deposited on the first electrode layer(4) in order to form a lower thin film(8). An insulation layer(7) is formed on the lower thin film(8) in a predetermined pattern. A second electrode layer(6) is formed on the insulation layer(7). The second electrode layer(6) has a size smaller than a size of the insulation layer(7). A thermister thin film is deposited on the second electrode layer(6) so as to form an upper thin film(9). The thermister thin film is covered with a protective layer(10).

Abstract translation: 目的：提供使用热敏电阻薄膜的温度传感器及其制造方法，使温度传感器小型化，通过调整电极和热敏电阻薄膜的形状来实现快速的反应时间。 构成：温度传感器包括基板（2）。 在基板（2）上以预定图案形成第一电极层（4）。 为了形成下部薄膜（8），在第一电极层（4）上沉积热敏电阻薄膜。 绝缘层（7）以预定图案形成在下薄膜（8）上。 在绝缘层（7）上形成第二电极层（6）。 第二电极层（6）的尺寸小于绝缘层（7）的尺寸。 在第二电极层（6）上沉积热敏电阻薄膜，形成上薄膜（9）。 热敏电阻薄膜被保护层（10）覆盖。

公开(公告)号：KR100369895B1

公开(公告)日：2003-01-30

申请号：KR1020000044801

申请日：2000-08-02

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 윤상옥 ,  송광호

IPC: H01C7/02

Abstract: PURPOSE: A thermistor for middle and high temperature and a fabricating method thereof are provided to enhance an adaptive characteristic to a thermal variation by using a fine glass layer and minimize a variation of the characteristic by using a porous layer. CONSTITUTION: A thermistor element(2) is used for indicating a variation of a particular resistance value according to a thermal variation. A terminal line(4) is installed to both sides of the thermistor element(2). An electrode layer(6) is used for adhering the terminal line(4) with the thermistor element(2). The thermistor element(2) and the electrode layer(6) are surrounded by a porous layer(8). A fine glass layer(10) is used for covering the porous layer(8). The porous layer(8) is formed by a metal such as an alumina, a zirconia, and a magnesia. The fine glass layer(10) is formed by performing a thermal process for glass powders. The electrode layer(6) is formed by using silver, gold, and platinum. The terminal line(4) is formed by a metal line including the silver, the gold, and the platinum.

Abstract translation: 目的：提供一种用于中高温的热敏电阻及其制造方法，以通过使用细玻璃层来增强对热变化的自适应特性，并通过使用多孔层使特性的变化最小化。 构成：热敏电阻元件（2）用于根据热变化指示特定电阻值的变化。 端子线（4）安装在热敏电阻元件（2）的两侧。 电极层（6）用于将端子线（4）与热敏电阻元件（2）粘合。 热敏电阻元件（2）和电极层（6）被多孔层（8）包围。 用细玻璃层（10）覆盖多孔层（8）。 多孔质层（8）由氧化铝，氧化锆，氧化镁等金属形成。 细玻璃层（10）通过对玻璃粉进行热处理而形成。 电极层（6）通过使用银，金和铂来形成。 终端线（4）由包括银，金和铂的金属线形成。

公开(公告)号：KR1020020011498A

公开(公告)日：2002-02-09

申请号：KR1020000044801

申请日：2000-08-02

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 윤상옥 ,  송광호

IPC: H01C7/02

Abstract: PURPOSE: A thermistor for middle and high temperature and a fabricating method thereof are provided to enhance an adaptive characteristic to a thermal variation by using a fine glass layer and minimize a variation of the characteristic by using a porous layer. CONSTITUTION: A thermistor element(2) is used for indicating a variation of a particular resistance value according to a thermal variation. A terminal line(4) is installed to both sides of the thermistor element(2). An electrode layer(6) is used for adhering the terminal line(4) with the thermistor element(2). The thermistor element(2) and the electrode layer(6) are surrounded by a porous layer(8). A fine glass layer(10) is used for covering the porous layer(8). The porous layer(8) is formed by a metal such as an alumina, a zirconia, and a magnesia. The fine glass layer(10) is formed by performing a thermal process for glass powders. The electrode layer(6) is formed by using silver, gold, and platinum. The terminal line(4) is formed by a metal line including the silver, the gold, and the platinum.

Abstract translation: 目的：提供一种中高温热敏电阻及其制造方法，以通过使用细玻璃层来增强热变化的自适应特性，并通过使用多孔层来最小化特性的变化。 构成：热敏电阻元件（2）用于根据热变化指示特定电阻值的变化。 端子线（4）安装在热敏电阻元件（2）的两侧。 电极层（6）用于将端子线（4）与热敏电阻元件（2）粘合。 热敏电阻元件（2）和电极层（6）被多孔层（8）包围。 微细玻璃层（10）用于覆盖多孔层（8）。 多孔层（8）由金属如氧化铝，氧化锆和氧化镁形成。 微细玻璃层（10）通过对玻璃粉进行热处理而形成。 电极层（6）通过使用银，金和铂形成。 端子线（4）由包括银，金和铂的金属线形成。