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    그래핀 적층체 및 그의 제조방법
    42.
    发明公开
    그래핀 적층체 및 그의 제조방법 审中-实审
    石墨烯层压板及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170058357A

    公开(公告)日：2017-05-26

    申请号：KR1020170062719

    申请日：2017-05-22

    Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

    Inventor： 조길원 ,  김해나 ,  강보석

    IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  C01B32/182

    CPC classification number: B32B9/007 ,  B32B9/04 ,  C01B32/182

    Abstract: 본발명은전자주개작용기를포함하는제1 그래핀층; 및제1 그래핀층상에위치하고, 그래핀을포함하는제2 그래핀층;을포함하고, 제2 그래핀층은상기제1 그래핀층에의해 n-도핑되는그래핀적층체에관한것이다. 이에의하여, 그래핀을아미노기로개질된그래핀으로도핑하여그래핀의투명도를저하시키지않고, 그래핀의도핑정도를조절할수 있으며, 보호층없이장시간도핑효과가지속될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及包含电子主铸造容器的第一石墨烯层; 以及位于第一石墨烯层上并包含石墨烯的第二石墨烯层，第二石墨烯层被第一石墨烯层n掺杂。 因此，石墨烯可以掺杂有用氨基改性的石墨烯以控制石墨烯的掺杂程度而不降低石墨烯的透明度，并且掺杂效果可以在没有保护层的情况下长时间保持。

    그래핀의 전사방법 및 그 방법을 이용한 전자소자의 제조방법
    43.
    发明公开
    그래핀의 전사방법 및 그 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 有权
    使用该方法转移石墨烯的方法和电子器件的制造方法

    公开(公告)号：KR1020170033673A

    公开(公告)日：2017-03-27

    申请号：KR1020150131710

    申请日：2015-09-17

    Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

    Inventor： 조길원 ,  김현호 ,  이성규 ,  이승구

    IPC: H01L29/16 ,  H01L51/00 ,  C01B31/04

    Abstract: 지지층/그래핀층을포함하는적층체를준비하는단계(단계 a); 적층체를홀(hole)이형성된홀더에위치시켜홀더복합체를제조하는단계 (단계 b); 기재상에유기용매를위치시키는단계(단계 c); 기재상에유기용매와그래핀층이접촉하도록홀더복합체를위치시키고유기용매를건조시키는단계(단계 d); 단계 d의결과물에서홀더를제거하는단계(단계 e); 및단계 e의결과물에서지지층을제거하여기재에전사된그래핀을제조하는단계(단계 f);를포함하는그래핀의전사방법이제공된다. 이에의하여, 본발명은표면장력이낮은용매를전사매개용매로사용하여그래핀의주름및 크랙없이그래핀을목적기재에전사시킬수 있고, 이와같이전사된그래핀을그래핀기반의트랜지스터등의전자소자에적용함으로써전자소자의전기적특성및 균일성을향상시키는효과가있다.

    Abstract translation: 制备包含载体层/石墨烯层的层压体（步骤a）; 将层压材料放置在孔可释放保持器中以制造保持器复合材料（步骤b）; 在基底上放置有机溶剂（步骤c）; 使支架复合体与基板上的有机溶剂和石墨烯层接触并干燥有机溶剂（步骤d）; 步骤d）从水和水中取出支架（步骤e）; 因此提供了用于传输包括一个销的方法;以及通过去除在步骤e分辨率所述支撑层和水以制备销是（步骤f）传送基板。 以这种方式，电子设备，如本发明使用的溶剂和表面张力低至转录介导的溶剂是是在引脚上没有皱纹和裂纹和sikilsu销传递到对象母材，以这种方式传送的石墨烯中的鳍式晶体管的所以 电子器件的电特性和均匀性可以得到改善。

    수평 구조의 플렉서블 유기 태양 전지 및 그의 제조방법
    44.
    发明公开
    수평 구조의 플렉서블 유기 태양 전지 및 그의 제조방법 审中-实审
    具有侧向结构的柔性有机太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170020719A

    公开(公告)日：2017-02-23

    申请号：KR1020170021391

    申请日：2017-02-17

    Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

    Inventor： 조길원 ,  김민 ,  박종환

    IPC: H01L51/44 ,  H01L51/00 ,  H01L31/0256

    CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/442 ,  H01L51/0097 ,  H01L2031/0344

    Abstract: 본발명은플렉서블기재; 플렉서블기재상에소정의간격을두고수평적으로배치되는두 개의전극; 및두 개의전극사이에형성된광활성층;을포함하는플렉서블유기태양전지이고, 광활성층이전자주개형유기반도체및 전자받개형유기반도체중 선택된어느하나의나노와이어; 및전자주개형유기반도체및 전자받개형유기반도체중 선택된다른하나의유기반도체;를포함하고, 나노와이어는길이방향의평균배향이두 개의전극을잇는최단거리의직선방향과같은플렉서블유기태양전지에관한것이다. 이에의하여, 기판이나전극을다양한소재로확대적용하여플렉서블소자의제조를용이하게할 수있고, 그구조가수평형으로직렬또는병렬연결을전극패턴화로간편하게수행하여대면적의모듈형유기태양전지를실현할수 있다. 또한, 광활성층에나노와이어형태의유기반도체를도입함으로써광전하입자들이전기에너지로효율적으로변환될수 있고, 나노와이어가일정한방향으로배향됨으로써광활성층의전하이동도를향상시킬수 있다.

    유리전이온도를 갖는 저분자 물질을 포함하는 적층체 및 그의 제조방법
    47.
    发明授权
    유리전이온도를 갖는 저분자 물질을 포함하는 적층체 및 그의 제조방법 有权
    包含小分子材料的层压结构及其制备方法

    公开(公告)号：KR101577989B1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：KR1020140140489

    申请日：2014-10-17

    Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

    Inventor： 조길원 ,  오준학 ,  강보석 ,  장문정 ,  정윤영

    IPC: H01L51/30 ,  C09K11/06 ,  H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/0032

    Abstract: 본발명은기재; 기재상에위치하고, 유리전이온도(T)를갖는저분자물질을포함하는유기중간층; 및유기중간층상에위치하는유기반도체층;을포함하는적층체에관한것이다. 이에의하여, 적층체의절연체상에저분자물질을포함하는유기중간층을도입함으로써유기반도체의높은결정화도와큰 결정립을구현하며, 이에따라종래의유기반도체박막에비하여전기적특성을향상시켜이와같은적층체를포함하는유기전자소자의효율을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种层叠体，包括：基材; 设置在基材上并包含玻璃化转变温度（T_g）的低分子材料的有机中间层; 以及设置在有机中间层上的有机半导体层，通过将包含低分子材料的有机中间层引入到层压体的绝缘体上，从而实现有机半导体的高结晶度和大晶粒。 因此，本发明比传统的有机半导体薄膜提高了电气特性，从而提高了包括层压体的有机电气装置的效率。

    커버부재를 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법
    48.
    发明授权
    커버부재를 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법 有权
    使用覆盖物制备石墨的方法和制备包含其的电子器件的方法

    公开(公告)号：KR101484770B1

    公开(公告)日：2015-01-21

    申请号：KR1020130074246

    申请日：2013-06-27

    Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

    Inventor： 조길원 ,  봉효진

    IPC: C01B31/02 ,  C23C16/06 ,  B01J23/755

    CPC classification number: C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/32 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  Y02P20/149

    Abstract: 본 발명의 실시예는 그래핀 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 그래핀의 제조방법은 기재상에 금속 촉매층을 형성하는 단계(단계 a); 단계 a의 금속 촉매층상에 커버 부재를 도입하는 단계(단계 b); 및 화학기상증착을 수행하여 단계 b의 금속 촉매층 상에 그래핀을 성장시키는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 응집을 촉진함과 동시에, 커버 부재의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지함으로써 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 합성된 그래핀의 투명성 등의 퀄리티를 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천(source)의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있다.

    그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법
    49.
    发明公开
    그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법 有权
    包含石墨的层压体及其制备方法

    公开(公告)号：KR1020140017787A

    公开(公告)日：2014-02-12

    申请号：KR1020120084315

    申请日：2012-08-01

    Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

    Inventor： 조길원 ,  조새벽 ,  김광수 ,  홍병희 ,  박재성

    IPC: H01L51/00 ,  B32B9/00 ,  H01L29/786

    CPC classification number: B32B9/007 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78696

    Abstract: Disclosed are laminations comprising graphene and a method for manufacturing the same. The laminations of the present invention comprise self-assembled monolayers (SAMs) including a first molecule having one selected from an electron-donating group and an electron-withdrawing group; a graphene layer which is arranged on the SAMs and includes graphene; a thin film layer which is arranged on the graphene layer and includes a second molecule having one selected from the electron-donating group and the electron-withdrawing group; and a base which is arranged on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the SAMs or on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the thin film layer. Therefore, an electron device or a transistor device including the laminations of the present invention is manufactured by reforming both of double layered upper and lower graphene layers based on a molecular method, thereby improving the performance due to a higher on/off current ratio than the existing graphene device without requiring a high resolution lithography process, simplifying the manufacturing processes, and saving the costs.

    Abstract translation: 公开了包括石墨烯的叠片及其制造方法。 本发明的叠片包括自组装单层（SAM），其包括选自供电子基团和吸电子基团的第一分子; 石墨烯层，其布置在SAM上并且包括石墨烯; 薄膜层，其设置在石墨烯层上，并且具有选自供电子基团和吸电子基团的第二分子; 以及在所述SAM的两个表面之间或与所述薄膜层的两个表面中的面向所述石墨烯层的表面的相反表面上的与面向所述石墨烯层的表面相反的表面上配置的基部。 因此，通过基于分子法对双层上，下石墨烯层进行重整来制造包含本发明的层叠体的电子器件或晶体管器件，由此能够提高由于比开关电流比高于 现有的石墨烯器件，而不需要高分辨率光刻工艺，简化了制造工艺，节省了成本。

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